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气体压强传感器
产品详细介绍
量程：0KPa ～ 700Kpa，可用于直接测量气体的绝对压强；分辨率：0.1KPa 数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯、无线通讯和独立数据显示三种工作方式。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
普通温度传感器
产品详细介绍
量程：-50℃ ～ +150℃；分辨率：0.1℃；直径3mm不锈钢探针，可测量各种物体或溶液的温度.数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯、无线通讯和独立数据显示三种工作方式。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
电子罗盘传感器
产品详细介绍
量程0～359度，灵敏度：0.1度，数据传输端口为智能USB接口
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
总盐度传感器
产品详细介绍
量 程：0～1000ppm/0～10000ppm 分辨率：1 ppm/10 ppm，软件选择量程，数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯和无线通讯。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
氧化还原传感器
产品详细介绍
量程：-2000mv~+2000mv,分辨率：1mv,精度：1%FS 数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯和无线通讯。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
排温传感器
排温传感器
山东鸣川汽车集团有限公司
2022-03-01
光电传感器
山东格瑞水务有限公司
2021-09-08
福建省莆田市衡力传感器有限公司
福建省莆田市衡力传感器有限公司
2022-05-24
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11
二维磁性材料磁光拉曼效应
研究了二维铁磁材料VI 3
南方科技大学
2021-04-14