产品详细介绍         产品图片                  产品特点        1.      构成：由铁架台、平抛轨道、支撑座、调零装置、释放装置、回收装置及系列紧固件构成。 2.      典型应用：可描绘平抛运动过程中运动物体在平面内的轨迹，验证二维平抛运动的规律。         产品范围        朗威®DISLab产品支持的学科以物理、环境科学和小学科学为主，兼顾化学、生物；并且涵盖基础教育的全学段，即从小学科学到初、高中理科实验教学。         产品用户          凭借强有力的教学科研支撑、稳定的产品质量和优良的售后服务，朗威®DISLab产品先后中标沪、京、浙、苏、皖、鲁、闽、粤、桂、陕等省大型政府项目，多年间装备了全国2000多所中学及200多所高等师范院校。           产品服务            朗威®DISLab产品每年在北京、上海、广州、新疆等全国30个省、市自治区开展数字化实验室教学培训，为各校提供了系统的产品应用培训、有力的促进了数字化实验在教学中的应用及推广。     山东远大深切了解一线用户的需求，本着强烈的社会责任和奉献精神，十年来的服务足迹遍及大江南北、天山脚下、白山黑水和西南边陲，从而获得了广大用户的好评。         产品意义        在中学物理教学领域的应用逐步从课件和虚拟走向了数据采集和实时实验，这是由物理教学的本质特征所决定的。具有代表性的首先是上海市编写的《上海市二期课改高中物理教材》，其次是人民教育出版社、上海科技教育出版社以及广东教育出版社新课程教材。在这些教材中，均明确提出了以朗威®DISLab传感器、数据采集器为基础的数字化物理实验的概念，并明确给出了教学实施方案。学校选用朗威®DISLab，既体现了信息技术与物理教学整合的课改理念，又能够使实验教学装备与新课标教材要求保持高度一致。         生产能力        山东远大总部及生产基地位于济南市，公司占地2000平方米，有员工近130人，其中专业技术人员30多人。公司拥有整套完善的生产管理、产品质量控制程序。公司在同行业中率先通过了ISO9001：2008质量管理体系认证和ISO14001：2004环境管理体系论证及GB/T28001-2001职业健康安全管理体系认证。         公司简介        山东省远大网络多媒体股份有限公司，成立于1997年，是依托山东大学组建的高新技术企业，产品注册商标为“朗威”牌llongwill®。 山东远大立足知名学府，身处高科技前沿。自1999年起,致力于数字化实验系统的研发,并于2000年推出第一代产品,在国内率先提出了实验教学采用“传感器+数据采集器+计算机”模式。2001年度，山东远大研发、生产的“微机辅助中学物理实验系统”产品顺利通过国家教育部部级新产品新技术鉴定,并荣获国家科技部科技型中小企业技术。山东远大在注重技术进步的同时，格外注重向整个教育领域传播全新的教学理念。以技术为依托、以产品为载体、以理念为先导，是山东远大一贯坚持的发展思路。作为中国数字化实验教学领域的开创者和领先者，山东远大的业绩在十年间有了长足进步公司影响力在同行业中名列前茅,朗威®系列产品已经初步具备了与国际一流品牌抗衡、冲击国际教育市场的实力，山东远大也正向教育行业的中型高科技企业稳步迈进。   山东远大，必将为中国教育做出更大贡献！

本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs 

近年来，除石墨烯以外的超薄二维纳米材料的研究引起了极大的关注。其中，二维MOF纳米材料由于其可调的结构和功能、高度有序的孔洞排列、及全方位暴露的活性位点，在探测、催化、吸附/分离等方面显示了巨大的应用潜力。本研究通过溶剂辅助的超声剥离技术，成功制备了单层二维纳米片[Co(CNS)2 (pyz)2]n (pyz = pyrazine)，在此基础上，开发了基于超薄二维纳米材料的检测试纸，借助智能手机的览色APP扫描技术，实现了一种便携式、原位可视化检测策略。 这一策略在爆炸物探测、有毒分子检测、分子探针，反应过程追踪等方面显示了巨大的实际应用潜力。

晶盛机电以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉等晶体生长设备，同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备，致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业；在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化，并取得半导体材料装备的领先地位；成功掌握国际领先的450kg级超大尺寸泡生法蓝宝石晶体生长技术，蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势；在工业4.0方向，公司为半导体产业、光伏产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对“机器换人+智能制造”的生产模式需求。

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

中红外光谱技术被广泛应用于医疗诊断、军事侦察、工业控制、环境监测等领域。其中，中红外光源是实现中红外技术的核心部件之一。作为二维层状材料家族的新兴成员，黑磷（BP）已因其独特的性能而得到广泛研究。

产品详细介绍购买价格请咨询商家RETAS!PRO HD RETAS!PRO HD 系列是一套完整的数码动画制作工具，它取代了原先手工制作的塞璐璐与胶片，仅在一台个人电脑上就实现了动画制作。制作流程被分为多个环节，包括“作画”“上色”以及“合成”，而且这些环节一般是分别实施的。为了迎合“分开的”动画制作流程，RETAS!PRO HD 系列针对每个环节的特征设计了不同的工具。 从首次发布开始，RETAS!PRO HD 就不断地根据动画制作现场反馈来的建议与意见进行多样化的改进，从而进化成为含概作画、上色、合成环节等在内的一套完整的动画制作工具。此次最新发布的HD系列已经是从RETAS!PRO Ver.1算起的第六代产品了。RETAS!PRO HD 系列已经在日本超过400家制作公司以及80家教育院校所使用，并且远销海外多个国家，主要在中国、韩国、美国及加拿大。1、单一来源、多种用途制作好的成片可在多种媒体上播放，比如电视、DVD、影院片、出版物、网络以及移动媒体等。2、高图像质量、高精度 可支持更高的图像质量以及更高的精度，以满足即将到来的高清数字时代。3、前后兼容性完全迎合制作流程，能够再现动画人的技法，让作品更有效率。并且具有向后兼容性，可使用旧版本打开。4、为专业动画师打造的无纸作画工具STYLOS HD 几乎含概了制作流程中与作画有关的所有环节，包括从前期的设计稿、到原画与动画的创建、在到阴影指示等。 同时支持能再现自然笔触的矢量图像以及体现细微表现的位图图像。用户可以根据自己的喜好以及需求，选择使用矢量或者位图作画。而且，STYLOS HD 可以处理多层结构，帮助用户按工作需要在各个不同形式的层之间来回切换（包括草稿、清稿层、阴影指示等）。 对于动画中割非常重要的透光桌功能在本次版本中不仅有所改进，而且还增加了许多新功能，比如“Quick Motion (快速动检）”命令帮助用户工作时实时检查中割动作，“Vanishing Point Layer (消失点层）”为方便用户进行透视作画。 5、支持矢量化和48位的扫描与描线制作工具TraceMan HD 是一款支持矢量化和48位的扫描与描线工具。该软件能扫描大批量的动画和背景，并对动画进行线描，是他们适合上色。TraceMan HD 有Mono（单色）、Gray(灰度）、Vector（矢量）描线功能，并且能将描好的线条（包括不同颜色）转换成不受精度限制的矢量数据。而且，因为是按照最大48位（每通道16位）进行扫描的，所以图象原本的颜色质量的或色调调节时质量的损失都会被减少到最低。同样的，用于调整图像明亮度和锐利度的色调调节功能也被改进了，添加了诸如为了保持图像原来设置而可进行灰阶调节的灰度层，以及支持ADF（自动进纸机）等功能。6、高质量高效率的上色工具PaintMan HD 是一套可以保证高效高质的数字上色工具。该软件含概了从动画上色、色指定到颜色特效等的所有上色中所涉及的环节。自动连接断线功能可在发现线条缺口时终止上色，这使上色效率得到很大地改善。另外还有通过拾取透光桌中的颜色进行上色的功能，“喷枪笔工具”也有较大的改进，用户还可以通过操作alpha通道来设置上色的透明度，并能产生三种颜色渐变的特效，等等这些改进都加强了软件的使用性。7、满足多种表现形式及高速渲染要求的合成与特效工具CoreRETAS HD 是用于动画制作中合成环节的工具。该工具可以将分开的素材，如背景和上色完成的动画张等，整合到拍摄舞台中，组成一个镜头。CoreRETAS HD 利用律表，将所有素材安排在合适的位置与时间段，并利用多种特效来完成合成工作。CoreRETAS HD 可帮助您在个人电脑的数字环境下，实现传统赛璐璐与胶片制作中，镜头的推拉摇移。售后支持：电话联系：13601359559QQ：22901791947*24小时电话技术支持

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。