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西安维塑智能科技有限公司
西安维塑智能科技有限公司 2022-05-24
维山高清拍摄仪SD8342
产品详细介绍
北京维山科技有限公司 2021-08-23
维山高清拍摄仪SD8342
产品详细介绍
北京维山科技有限公司 2021-08-23
噢易PC终端运维管理平台
噢易PC终端运维管理系统为PC终端机房管理提供更具针对性的环境,为上机过程提供完善的运维支持,保障教学平台网络畅通,保证软件系统系统免受病毒或人为操作的损坏,并且对使用者在上机过程中的行为进行有效的管理和约束,限制计算机的部分功能等。另外,管理端还可以对上机过程中客户端的各种操作进行监控和统计,统计客户端的实时数据。 系统界面 主要功能 噢易PC终端运维管理系统包括三个部分:中心服务器(服务端)、管理端、客户端。 中心服务器负责客户端的连接和消息通信,负责整个系统的运营任务,负责对客户端进行监控、限制和管理。主要包括客户端控制、环境部署、行为管控、内网安全、资产管理、策略管理、查询统计七大功能模块。 管理端主要起着浏览器的作用,打开管理端查看主界面,对客户端进行各类操作,一般用谷歌浏览器代替管理端的使用。 产品特点 多角色、多权限全方位管理模式 规范网络行为,保障网络安全畅通 规范终端操作行为,提高管理质量 有效监管终端资产,保障资产设备完整 操作记录统计与查询,掌握过程精准
武汉噢易云计算股份有限公司 2022-09-23
三维电动旋转显微镜
苏州英示测量科技有限公司 2021-12-15
一种高分子辅助沉积高温超导涂层导体超导层的方法
本新技术成果(ZL200810044289.1)于2009年12月2日授权。
西南交通大学 2016-06-27
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜,以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能,如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜,厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法,厚度均匀,根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单,重现性好是本技术的优势。
北京科技大学 2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究,该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间,连续 4个五年国家科技攻关计划,获科技部重点攻关和天津市科委的支持,经过 20 余年潜心研发,硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始,在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年,该成果实现技术转移生产。 2009 年,研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年,开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%,将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学 2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究,该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间,连续 4 个五年国家科技攻关计划,获科技部重点攻关和天津市科委的支持, 经过 20 余年潜心研发,硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始,在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年, 该成果实现技术转移生产。 2009 年,研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年,开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%,将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学 2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为:先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材,再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术:调整激光能量和基底温度,通过激光脉冲数控制薄膜厚度,真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜,可实现均匀大面积薄膜的便捷制备,易于有效控制薄膜厚度并且节约材料,有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学 2021-04-11
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