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Si基GaN功率半导体及其集成技术
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器
电子科技大学
2021-04-10
矿物、半导体热电系数测量仪
1、成果简介 热电系数测量仪又称热电仪，用于测量某些材料的热电系数（塞贝克系数）。本仪器是根据地质、矿业、物探、半导体领域有关单位的需求而研制的新型自动化数字化热电系数测量仪，用于测量具有半导体特性的各种矿物，如黄铁矿等及一般半导体材料的热电系数和导型（N型、P型）。本仪器适合于矿业、地质、物探、半导体等有关科研院所和高等学校使用。典型型号BHTE-06、BHTE-08特别适合测量直径在0.1-1.0mm之间的微小晶体的热电系数和导型。本仪器已获得了较广泛的实际应用，用户满意度为100%，返修率为零。 技术性能和指标： 1. 数字化、自动化测量，与笔记本（或台式）计算机配合，实现无纸化测量和记录；数据自动显示及保存成便于统计分析的格式，不需要用户在纸上作任何记录；适合大批量样本的快速测量； 2. 活化温度和量程可设定； 3. 读数分辨力：0.1μV/℃； 4. 可方便地测量直径小至0.1mm的矿物颗粒； 5. 测量效率高，操作熟练后一般可达10～15粒/分； 6. 携带方便，可随身带到矿区现场使用。2、应用说明 用于测量具有半导体特性的各种矿物，如黄铁矿等及一般半导体材料的热电系数和导型（N型、P型）。本仪器适合于矿业、地质、物探、金矿勘查、半导体等有关科研院所和高等学校使用。3、效益分析本仪器是根据地质、矿业、物探、半导体领域有关单位（如中国地质大学、南京保利华科技有限公司、成都理工大学、北京金有地质勘查有限责任公司、河北联合大学、兰州大学）的需求而研制的新型自动化数字化热电系数测量仪，已获得了行业实际应用，用户满意度为100%，返修率为零。目前矿物、半导体热电系数测量仪没有商业化产品，因此有广阔的市场空间。
北京航空航天大学
2021-04-13
有机半导体光电导器件研发及应用
① 酞菁纳米材料制备。使用四苯氧基金属酞菁，采用混合溶剂缓慢挥发的方法，得到一维的酞菁纳米线；② 器件组装。使用梳状电极，将酞菁纳米线搭在梳状电极两端，形成电路。得到的酞菁器件对 808 nm光敏感，可以迅速产生响应，恢复时间短，课重复响应。
安徽理工大学
2021-04-13
有机半导体可见光通信
1)成果概述(1)利用蓝光 LED 和有机发光材料形成的复合白光实现高速可见光通信发射源。 (2)利用太阳能聚合器结构和有机发光材料实现高速可见光通信接收源。 3)利用有机太阳能电池实现信号接收源通信数据采集和太阳能发电双重功能。 2)成果优势(1)有机发光材料调制速度是传统复合白光中所使用磷光粉的上 千倍，因此带宽提升了三个数量级。(2)小面积接收源能够提供高带宽，但限制了信
复旦大学
2021-01-12
便携式半导体激光融冰技术
1 成果简介电网覆冰给我国电力行业与社会带来了巨大损失，如何解决因绝缘子覆冰所带来的绝缘闪络问题是一个技术难题，清华大学利用半导体激光研制的便携式半导体激光融冰专利技术可实现带电非接触除冰。 图 1 便携式激光除冰装置 图 2 现场除冰图 3 透镜外形 产品参数：激光器功率 250W波长 980nm作业距离 20m-40m总重量 60kg产品优势：远距离非接触式清除覆冰电光转换效率高重量轻，体积小模块式，易携带项目特点：世界第一台便携式激光融冰装置、拥有相关专利便携式、非接触式操作、带电作业适用于绝缘子和重要设备融冰作业2 应用说明可应用于重要电力设备的带电融冰作业和高压输电回路的绝缘子带电融冰作业。3 效益分析4 合作方式商谈。5 所属行业领域先进制造。
清华大学
2021-04-13
便携式半导体激光融冰技术
1 成果简介电网覆冰给我国电力行业与社会带来了巨大损失，如何解决因绝缘子覆冰所带来的绝缘闪络问题是一个技术难题，清华大学利用半导体激光研制的便携式半导体激光融冰专利技术可实现带电非接触除冰。 图 1 便携式激光除冰装置 图 2 现场除冰 图 3 透镜外形 产品参数：激光器功率 250W波长 980nm作业距离 20m-40m总重量 60kg产品优势：远距离非接触式清除覆冰电光转换效率高重量轻，体积小模块式，易携带项目特点：世界第一台便携式激光融冰装置、拥有相关专利便携式、非接触式操作、带电作业适用于绝缘子和重要设备融冰作业2 应用说明可应用于重要电力设备的带电融冰作业和高压输电回路的绝缘子带电融冰作业。 3 效益分析4 合作方式商谈。5 所属行业领域先进制造。
清华大学
2021-04-13
大功率半导体激光器
北京工业大学
2021-04-14
光热探针 -- 半导体离子浓度测试仪
光热探针技术是建立在光声显微镜和激光扫描显微镜基础上，利用调制光反射技术发展起来的一种新型探针技术。利用一束强度调制激光聚焦在样品表面，对半导体样品，入射的光能激发的光生载流子，从而引起表面光反射率变化，用另一束探测光可检测此反射率的变化。由于光生载流子数目直接与注入的离子浓度相关，因此可测定表面注入离子浓度的分布。 近年来，曾利用本仪器
南京大学
2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
半导体薄膜断层吸收光谱仪
公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。
一、项目进展
创意计划阶段
二、负责人及成员
姓名
学院/所学专业
入学/毕业时间
侯晓清
管理学院/工商管理
2019/2023
师鸣遥
生命学院/化学生物
2019/2023
李想
生命学院/化学生物
2020/2024
徐婧谨
电信学部/储能科学与工程
2019/2023
董梓竣
管理学院/工商管理
2019/2023
杨舒婷
化学学院/材料化学
2019/2023
吴一品
管理学院/大数据管理与应用
2020/2024
赵静怡
人文学院/环境设计
2020/2024
刘彦麟
软件学院/软件工程
2020/2024
袁子翔
管理学院/工商管理
2019/2023
三、指导教师
姓名
学院/所学专业
职务/职称
研究方向
鲁广昊
前沿科学技术研究院
教授
有机半导体薄膜和器件
卜腊菊
化学学院
教授
薄膜断层分析技术及科研仪器的开发
魏泽龙
管理学院
教授
技术创新与创业管理
四、项目简介
本项目依托于西安交通大学前沿科学与技术学院以及中国西部创新港的科研平台，拥有半导体薄膜断层检测技术顶级研发团队，并已有国内外超过100所高校、科研院所、企业等正在采用本产品检测的数据或正在实际试用本产品，本团队可以更好了解产品需求及效果，能够实现量产、快速研发与后续更新迭代。
公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。作为国内外首家使用软等离子体源刻蚀技术，实现了半导体薄膜断层的精准检测，占据了全球领先地位，将“卡脖子”技术转换成“杀手锏”，为基于光谱分析的半导体薄膜断层精准检测提供了中国方案，提高了我国半导体薄膜检测的科技实力水平。
西安交通大学
2022-08-10