生产级材料详细信息：索要完整生级级材料资料请访问清锋科技官网下载 3D打印材料-LuxCreo清锋科技 清锋的智能工厂和材料实验室可以与学校、科研院所联合，开展新材料、新工艺、新设计的验证。   【教育解决方案】Lux 3Li+打印机原型树脂快速工程材料应用案例 面向高教、职教的实训项目，基于光固化3D打印技术，设备提供、材料提供、软件提供、课程资源提供、师资培训、实训项目以及软硬件平台的一体化解决方案；服务于高校相关专业的教学实验、科研创新和项目开发等应用场景。 清锋光固化教育课程解决方案 3D打印作为一种新型生产方式，可以加速产品开发周期，满足多 材料、复杂形状、任意批量的生产需求，是全球最受关注的高科 技行业之一。拥有3D打印课程、设备的院校、科研机构在创新、 创造方面均有着得天独厚的优势。LuxCreo致力于推动行业发展， 为科研创新、数字化智能化转型以及行业人才培养等方面提供支持。 面向院校 提升院校教学硬件水平，有助于培养未来的3D打印人才，生动展示课本、教案内容，增加教学趣味性，资深3D打印行业专家亲自授课。 面向科研机构 快速将模型、数据形成实物，简化步骤，缩短论证时间，结合最新技术，加速研发新产品，输出有价值易商业化的研发项目，全球顶尖3D打印工作团队提供技术支持。 打印设备 iLux系列桌面机，Lux系列工业机，可作为研发、教学、实验等配套设备，满足不同项目需求。 打印材料 原型树脂快速工程材料满足消费、手办、模型、工业、汽车、航空航天等学科的教学研发需求 打印软件 LuxFlow模型处理软件，支持数据导入、文件修复、智能2D/3D摆放、生成支撑、切片、路径填充等功能，便于快速进行现场教学演示、培训实操、学术研发。 相关学习支持 清锋科技在光固化3D打印技术、软硬件、材料等方面积累了来自全球各个高校的顶尖人材，可结合院校、机构所需进行相关的培训及讲座，助力教育科研工作更加系统、科学。 打印中心实地考察 清锋科技在北京、宁波及美国硅谷均设有打印中心，可为学生及科研人员提供进一步深入了解3D打印的场地支持。 核心优势： 互联：可接入LuxCreo的软件生态，实现轻量化设计、高速切片、设备互联、智慧工厂管理。 敏捷：快速自主研发的纳米离型技术LEAP™，速率提升20~100倍以上；成型件力学性能各向同性。 柔性：适用于高精度原型件/测试件和小批量件的快速设计与制造。 可持续发展：技术团队来自清华、哈佛、佐治亚理工、北卡州立、剑桥等；解决方案得到了10万零部件打印的检验。 包括但不限于新产品的功能特点及技术性发布介绍，产品实际使用操作的演示； 清锋应用案例：高精度树脂 高精度树脂不仅韧性及硬度良好，且打印精度高，模型细节表现力好，可在提高光洁度的同时还原打印产品表面细节，是高精度玩具手办、高细节珠宝、硅胶覆模、泵壳、叶片、风洞测试零件、光反射器和各种汽车应用等模型应用的理想选择。   清锋应用案例：可水洗模型树脂 模型树脂具有可水洗、低粘度、高精度的材料特性，可使打印模型具有光洁、精细的纹理表面，在手办玩具、教育和医学模型应用广泛。RE 41可适配Lux系列打印机，可在达到高精度的同时实现快速打印。   通过清锋的解决方案能够实现： 1．快速产品研发迭代 2．样品实验数据快速分析 3．一体化模型处理，快速响应快速制造 4．大吞吐量，快速打印 5．通过不同材料的研发，拓展3D打印新应用 现今，3D打印作为一项非常前卫的高新技术，在弹性体研究、航空航天、高精度复杂零部件制造等方面具有独特的优势，也是国家重点支持发展的领域。清锋的3D打印技术在全球位居领先地位，我们也想借助国内顶尖技术推进行业发展，让教育科研和人才培养走在世界前列。 关于清锋科技(LuxCreo) 清锋科技是一家专注于3D打印设备、软件、材料研发，致力于改变产品开发和生产方式的数字化3D智造商。团队成员汇聚了清华大学、哈佛大学、佐治亚理工学院、宾夕法尼亚大学、剑桥大学等学府的高端技术人才和高管人才。团队研发出适配于不同行业的高性能材料体系，依托自主研发的Lux系列打印机和配套软件， 为鞋类、齿科、医疗、消费、汽车等行业创新升级提供解决方案，打造兼具定制化和批量化的新型数字化制造模式及生态闭环，让制造更简单！www.LuxCreo.cn 欢迎关注清锋公众号：qingfengshidai了解更多专业信息。 如有合作需求或者感兴趣的产品，可以扫描下方二维码联系清锋 ↓↓↓ 公司电话：010-63941626 公司邮箱：business@luxcreo.com 市场电话：18614034268 销售电话：13817977721；13811595251 官方网站：www.LuxCreo.cn 公司地址：北京市海淀区建材城中路27号金隅智造工场S5幢1017

本发明公开了以靶标蛋白甾醇14α‑脱甲基酶三维结构筛选的小分子化合物及其在制备杀菌剂中的应用，所述小分子化合物为((1R,5S)‑3‑((3‑苯基‑1,2,4‑噁二唑‑5‑基)甲基)‑3,4,5,6‑四氢‑1H‑1,5‑甲撑吡啶并[1,2‑a][1,5]二氮环辛‑8(2H)‑酮盐酸盐。本发明通过室内药剂敏感性测定，证明了所述小分子化合物对引起小麦赤霉病害的主要植物病原真菌禾谷镰刀菌具有良好的抑制活

本发明提供了光催化剂 Er3+:Yb0.20Y2.80Al 5 N0.10F0.10O11.80 /Pt-TiO2 的制备方法，并将其应用在在光催化分解水制氢中。

本发明提供了花生维生素E合成相关基因APG1、APG2在提高植物α生育酚含量和耐盐性中的应用，两基因APG1、APG2的氨基酸序列的同源性为98.6%。本发明经实验证明，将这2个基因分别在花生中超量表达后，得到活性最高的α生育酚含量明显提高的转基因植株，且可明显增强转基因花生种子和植株的耐盐性；将这2个基因的反义载体转入花生后，转基因植株的α生育酚含量明显减少。本发明的蛋白及其编码基因对于植物维生素E合成机制的研究，提高植物的α生育酚含量，改良植物的抗逆性具有重要的理论及实际意义，应用前景广阔。

MoP最近被发现在酸性及碱性条件下都具有非常高的本征催化活性和稳定性。但是，由于高结晶度的MoP通常需要在非常高的温度下形成，导致合成出的MoP催化剂通常尺寸较大、表面活性位点密度低。鉴于此，梁永晔课题组基于氧化碳纳米管(CNT)的表面含氧基团与金属离子存在强相互作用，设计了两步合成策略制备出了CNT负载的尺寸小、结晶度高及分散好的MoP纳米粒子/CNT复合物(图2)。实验结果表明，相对于体相的MoP, 该MoP/CNT复合物催化剂在酸性、中性及碱性介质中的催化HER的表观电极活性得到显著提升, 实现了在三种不同pH介质中均以小于或等于102 mV的过电势驱动10 mA cm-2的HER电流密度。

中国海洋大学服务器、图形工作站、相机等设备采购项目（二次）竞争性磋商

利用有机发光二极管(OLEDs)中激发态的指纹式磁效应曲线作为一种灵敏高效的探测工具，物理科学与技术学院熊祖洪课题组在有机半导体明星材料¾红荧烯（Rubrene）中发现了一个有利于增强器件发光效率的激子演化通道，即激子的高能态反向系间窜越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）过程，并通过调控器件载流子浓度、工作温度、客体掺杂浓度以及控制器件结构对该HL-RISC通道的产生条件、正常与反常的物理行为表现以及如何实现高效率发光和低效率滚降等方面进行了详细探究。 OLEDs在平板显示和固态照明领域具有广阔的应用前景，尽管基于有机发光的手机显示屏和电视已开始市场化，但进一步提升其发光效率和延长其使用寿命仍然是该领域的两大研究方向。因理论上能够实现100%的内量子效率，具有常规RISC (T1®S­1)通道的热活化延迟荧光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有机材料和具有HL-RISC (T2®S­1)过程的有机半导体是目前OLEDs领域的热点研究体系，这是由于无论是RISC还是HL-RISC都可以将占激子总数3/4的不发光三重态T激子转变成发光的单重态S激子，从而实现发光效率的成倍增强。显然，研究这些激子及其前驱体(precursor, 如极化子对(polaron-pair))和TADF材料以及激基复合物材料中电荷转移态(charge-transfer states)激子的形成机制及其演化规律对进一步认识OLEDs的器件物理和设计制造高效率OLEDs具有重要的科学意义和应用价值。近年来，熊祖洪课题组一直致力于采用有机半导体光电子器件中多种微观过程具有的指纹式磁效应(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲线，系统深入地研究了多种有机光电子体系的器件物理并取得了一系列研究成果。

我国水处理技术起步较晚，大部分是剖析、仿制或依据国外专利研制的，再加上我国水处理剂工业发展历史较短，科研经费有限,因此具有基础薄弱、技术比较落后、整体水平不高的特点。虽然经过“八五”、“九五”攻关在水处理药剂开发方面达到了较高水平，但是随着环保和节水意识的加强，在水处理药剂的低磷化、环保化方面，在水处理药剂生产的连续化、自动化、标准化方面，水处理药剂

伊辛超导是指超导库珀对的自旋被有效的塞曼磁场固定住，由此表现出极强的的面内临界磁场（远超其泡利顺磁极限）。通过分子束外延法在双层石墨烯终止的6H-SiC(0001)衬底上成功制备出大面积（毫米以上）原子级平整的高质量单层过渡族金属硫化物NbSe2薄膜（仅0.6 nm厚），在此基础上对其覆盖非晶态Se保护层，进而对非原位的电输运物性展开了系统研究。研究发现：单层NbSe2薄膜表现出超过6 K的起始超导临界转变温度和高达2.40 K的零电阻温度，超过了早期机械剥离获得的单层NbSe2以及分子束外延生长的单层NbSe2的超导转变温度。同时，强磁场和极低温下的输运测量结果直接证实了平行特征临界场Bc//(T = 0)是顺磁极限场的5倍以上，符合Zeeman保护的伊辛超导机制（前期NbSe2薄片中的伊辛超导证据需要实验数据的理论拟合在更低温更高磁场下的外推）。此外，极低温垂直磁场下的电输运测量表明，单层NbSe2薄膜在接近绝对零度时的量子临界点表现出量子格里菲斯奇异性。