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物理学院刘开辉课题组在12英寸二维半导体晶圆批量制备研究中取得进展
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室刘开辉教授课题组与合作者提出模块化局域元素供应生长技术,成功实现了半导体性二维过渡金属硫族化合物晶圆批量化高效制备,晶圆尺寸可从2英寸扩展至与当代主流半导体工艺兼容的12英寸,有望推动二维半导体材料由实验研究向产业应用过渡,为新一代高性能半导体技术发展奠定了材料基础。2023年7月4日,相关研究以“模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物晶圆”(Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply)为题,在线发表于《科学通报》(Science Bulletin)。
北京大学 2023-08-22
西安交大研究人员在二维材料中发现层间滑移诱发铁电-反铁电相变新机制及其潜在应用
二维铁电材料因其自发的铁电极化和天然的纳米厚度,在微纳尺度的铁电功能器件中具有广泛的应用前景。非共价的层间范德华力使得二维材料能够较为容易地滑移和旋转,从而产生了一系列新奇的物理现象,为其铁电性质提供了新的调控维度。
西安交通大学 2022-03-25
北京维意真空技术应用有限责任公司
北京维意真空技术应用有限责任公司,原名北京科立方真空技术应用有限公司,创立于2013年6月,主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分,是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的性的公司,公司拥有一支、产品技术工程师和维修技术工程师,具有丰富的行业经验。        公司于2016年初至2017年末,陆续投入大量研发资金,针对等离子增强化学气象沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备,以及附属配件进行了系统、深入的研发、改进工作。竭尽所能满足高校、研究所的教学、科研使用,同时减少相关进口设备的市场占有率,并力争创造外汇,打出中国创造的名牌!        我们的客户遍布国内各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室,期待您就是我们的下一位客户、朋友!        您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!        维意真空,为您服务,唯你成就是我们的宣传口号!        技术创新、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!        我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积设备、原子层沉积设备和高低温真空探针台设备供应商。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
可视化各向异性、分步记忆压致变色MOF单晶
提出了一种配位空间双配体定向配置策略,分别将刚性三角配体和具有柔性动态压敏变色属性的四角配体定向配置于微晶格的“基座”和“立柱”方位。这种设计赋予三维MOF框架单向形变的特征,并由此带来各向异性压力响应的荧光分步变色性能。利用微米尺度的MOF单晶,首次可视化观察到独特的各向异性压致变色效应,即沿六棱柱状单晶的上下底面施压,荧光颜色由蓝色变为黄绿色,而沿侧面施压则无变色效应。该压致变色特性同时具有超敏感(Pa~MPa压力范围)、分步化和信号记忆与逐级放大的效果,为多色压敏荧光纸、高等级防伪条形码、单向压敏荧光开关、程序性压力-荧光信号收集和放大器等微材料与器件构造提供了相关的模型基础,在微纳光电子学等材料和信息产业领域具有重要的应用前景。
中山大学 2021-04-13
维意真空小型桌面磁控溅射镀膜机支持定制
MS-246小型多靶磁控溅射镀膜机 真空腔室:1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质,氩弧焊接,上开盖和前开门结构;真空系统:机械泵+分子泵(进口和国产可选);极限真空:优于8✕10-5Pa(设备空载抽真空24h);真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min;升降基片台:尺寸直径100mm,高度60~120mm可调,旋转0~20r/min可调,可加热至300℃(可选水冷功能),可选配偏压清洗功能;磁控靶:直径2英寸2只(可升级成3只),兼容直流和射频,可以溅射磁性材料的靶材;溅射电源:直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选;质量流量计:10sccm、50sccm质量流量控制器各1套;膜厚监控仪:可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪;控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空;整机尺寸:L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架,预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
维意真空小型桌面热蒸发镀膜机支持定制
EV-246小型电阻蒸发镀膜机真空腔室:1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质,氩弧焊接,上开盖和前开门结构;真空系统:机械泵+分子泵(进口和国产可选);极限真空:优于8✕10-5Pa(设备空载抽真空24h);真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min;基片台:可拆卸式,尺寸60✕60mm,旋转0~20r/min可调,可加热至300℃(可选水冷功能);蒸发源及电源:水冷铜电极3组,逆变式蒸发电源,功率2KW,配源间防污隔板;膜厚监控仪:采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚;控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空;整机尺寸:L60cm✕W60cm✕H96cm机电一体化机架,预留1个CF35法兰接口。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机 真空腔室:前开门真空腔体,方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养; 真空系统:国产分子泵作为主抽泵,真空极限优于5.0✕10-5Pa(经烘烤除气后);另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵,真空极限优于3.0✕10-6Pa(经烘烤除气后); 真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min; 蒸发源:4~6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选,多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜,功能强大,性能稳定; 蒸发电源:真空专业蒸发电源,恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置,可实现一键启动和停止的自动控制功能; 基片台:最大120mm基片/15~25mmITO/FTO玻璃25片,可定制一体化高精度刻蚀掩膜板;基片台公转,转速0~20r/min连续可调; 基片台功能:衬底可选择加热(室温~300℃可调可控)或水冷,基片台可选升降,源基距最大350mm; 溅射电源:直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选; 膜厚监控仪:可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪; 可镀材料:可沉积金属(Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等)、非金属、化合物(MoO3、LiF等)及有机材料,可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
维意真空多靶高真空磁控溅射镀膜机支持定制
MS-450高真空多靶磁控溅射镀膜机 真空腔室:直径450✕H400mm,1Cr18Ni9Ti优质不锈钢材质,氩弧焊接,前开门结构; 真空系统:机械泵+分子泵(进口和国产可选); 极限真空:优于5✕10-5Pa(经烘烤除气后); 真空抽速:大气~8✕10-4Pa≤30min; 升降基片台:2~6英寸基片台,靶基距60~120mm连续在线自动可调,旋转0~20r/min可调,可加热至500℃(可选水冷功能),可选配偏压清洗功能; 磁控靶:直径3英寸2~4只(可升级成直径4英寸靶2~3只),兼容直流和射频,可以溅射磁性材料的靶材; 溅射电源:直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选; 质量流量计:2~3路工艺气体,可根据工艺要求增加; 膜厚监控仪:可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-25
维意真空手套箱金属有机蒸发镀膜机支持定制
SEV-400手套箱金属有机蒸发镀膜机 真空腔室:采用立式方形结构,前门为水平滑开式,位于手套箱体内部,前开门便于蒸发材料和样片在保护环境下装卸,后开门便于真空室的清理维护(后门带锁紧装置在充气条件下保持腔室密闭与大气环境隔离),整机位于手套箱体下面,节约占地面积; 真空系统:国产分子泵作为主抽泵,真空极限高达2.0✕10-5Pa,另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵,真空极限高达3.0✕10-6Pa; 真空抽速:大气~5✕10-4Pa≤30min(手套箱环境中); 基片台:最大120mm基片/15~25mmITO/FTO玻璃25片,可定制一体化高精度刻蚀掩膜板,基片台公转,转速0~20r/min可调,衬底可选择加热(室温~300℃可调可控)或水冷,基片台可选升降,源基距最大350mm; 蒸发源及电源:4~6组欧美技术金属或有机束源炉蒸发源可选,多元共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜,功能强大,性能稳定;真空专业蒸发电源,恒流/恒功率控制,电流、功率可以预先设置,可实现一键启动和停止的自动控制功能; 膜厚监控仪:采用国产或进口膜厚监控仪在线监测和控制蒸发速率、膜厚; 控制方式:PLC+触摸屏控制系统,具备漏气自检与提示、通讯故障,实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司 2025-04-27
二倍体基因组三维结构科研成果
几乎所有高等动物都是二倍体,即生物拥有分别来自父本和母本的两套基因组。人类的二倍体基因组一般以形态、结构基本相同的同源染色体呈现。因为同源染色体序列高度相似,常见研究一般不区分同源染色体的父本和母本。这样研究得到的结果是这两套基因组的均值,忽略了同源染色体间的差异。同时,没有同源染色体相互作用信息就无法构建真正的三维基因组,无法研究其对基因表达的影响。该研究利用远亲杂交产生后代携带大量杂合位点的优势来区分同源染色体的父本和母本。
南方科技大学 2021-04-14
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