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大米品种和产地模式识别及其对黄酒品质的影响
本项目调查和分析了绍兴市黄酒行业的大米原料和产品品质分析鉴定滞后、工艺革新缓慢等制约黄酒发展的问题,选取了浙江古越龙山绍兴酒股份有限公司采购的不同品种和产地的大米作为研究对象,利用光谱学和化学计量学对大米进行了品种和产地的模式识别研究,进一步考察了不同大米原料的黄酒酿造工艺,以及不同品质的大米对黄酒最终品质的影响。建立了可以应用于从大米原料、工艺筛选到黄酒酿造及黄酒品质安全的追踪与溯源体系。 创新要点 (1)建立大米品种和产地模式识别系统; (2)明确了浸米工艺的重要指标; (3)实现了黄酒模式识别,确定了大米对黄酒品质的影响。 
江南大学 2021-04-11
一种利用铁锰双相掺杂石墨烯激活单过硫酸盐去除水中内分泌干扰物的方法
一种利用铁锰双相掺杂石墨烯激活单过硫酸盐去除水中内分泌干扰物的方法,它涉及一种去除水中内分泌干扰物的方法。本发明的目的是要解决现有方法去除水中内分泌干扰物的去除效率低,成本高的问题。方法:一、将单过硫酸盐与预处理的水混合;二、调节反应pH值;三、制备铁锰双相掺杂石墨烯;四、投加铁锰双相掺杂石墨烯;五、采用外磁场分离铁锰双相掺杂石墨烯,即完成一种利用铁锰双相掺杂石墨烯激活单过硫酸盐去除水中内分泌干扰物的方法。使用本发明的方法去除水中内分泌干扰物的去除率可达85%~96%。本发明可以去除水中残余内分泌干扰物。
四川大学 2016-09-13
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理,在绝缘层硅(SOI,silicon-on-insulator)上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸,其光子模式(因工作于光锥以下)能够较好地局域在平板内,抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道,测量出高透平顶透射光谱带,证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源,无需低温和强磁等极端环境,实现了拓扑界面态的选择性激发,实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为,验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理,是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作,多次引起国际同行关注,论文入选ESI高被引。该工作中,他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论,攻克了数十纳米加工工艺等关键技术,率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系,突破了单一自由度调控的传统框架,提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制,为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域,提供了新方法和新思路。
中山大学 2021-04-13
铁基形状记忆合金
铁基形状记忆合金是一种新型结构功能材料。自90年代,我校已研究成功几种Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形状记忆合金,这些合金的屈服强度可达300~450MPa,完全回复的形状记忆应变已达3%,予应变为6%时净回复应变可达5%,具有良好的单程形状记忆效应和形状记忆完全性,合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蚀性。铁基形状记忆合金的应用如下: 1
西安交通大学 2021-01-12
铝基复合材料
金属基复合材料问世不足三年,但由于其制备工艺简单,价格便宜,具有高比强、高比刚及高耐磨性等优良性能,在国外已广泛用于航空、航天、汽车、军工等领域。我校于80年代开始进行铝基复合材料的制备、性能及应用研究,已获得许多重要成果,现已可用稳定工艺制备管材、棒材及形状较为复杂的零部件,如汽车连杆、汽缸套、油田抽油机缸套、汽车摩擦片、皮带轮等机器构件,还可用于开发各
西安交通大学 2021-01-12
垂直结构 GaN 基 LED
可以量产/n在垂直结构LED芯片的工艺流程中,其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次,蓝宝石衬底单芯片和2英寸整片剥离成品率大于95%。目前,垂直结构LED发光效率可以达到121.57m/W@350mA随着技术的不段进步,近几年最受人们关注的是固态通用照明领域的高亮度大功率LED应用,然而这种应用却受到蓝宝石异质衬底所带来的一系列技术问题的限制。除去了蓝宝石衬底的垂直结构LED芯片具有优良的光电热方面的性能,能满足固态通用照明对其性能的要求,采用垂直结构LED方案是固态通用照明技术发展的 必然
中国科学院大学 2021-01-12
水泥基自修复材料
北京工业大学 2021-04-14
布基白塑幕
产品详细介绍     采用高反射系数的塑料制成,属线反射银幕,幕面洁白均匀,光线反射柔和,视觉不易疲劳,价格低廉,适用于普通电化教学、电影放映等
江苏省通州市长江银幕厂 2021-08-23
石墨烯化学气相沉积制备方法
CVD 法制备石墨烯,主要是利用碳源在一定温度或外场下发生化学分解并在基底表面沉积来实现。CVD 反应系统主要由三部分构成:气体输送系统,反应腔体和排气系统。CVD反应过程主要由升温、基底热处理、石墨烯生长和冷却四部分构成。气体输入系统一般由气体流量计控制,反应腔是碳源前驱体发生化学反应并在反应基底沉积得到石墨烯的区域,排气系统用于将反应后的气体排出。其中碳源前驱体可以是气态烃类(如甲烷、乙烯、乙炔等),液态碳源(如乙醇、苯、甲苯等),或固态碳源(如聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、无定形碳等)。反应基底一般分为两大类:铜、镍、铂等金属基底和氧化硅、氮化硅、玻璃等非金属基底。外界条件控制主要包括温度、压强、气体的流速和种类、等离子化、加热方式等。
北京大学 2021-04-11
低温键合制备铜-陶瓷基板方法
本发明提供了一种低温键合制备铜-陶瓷基板的方法。首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片,然后在一定的温度、压力和保护气氛作用下,将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上,得到单面或双面含铜层的铜-陶瓷基板,最后通过图形腐蚀工艺制备出含金属线路的金属化陶瓷基板。由于纳米尺度效应,可以在较低的温度和压力下实现铜-陶瓷间高强度键合,与现有 DBC(直接键合铜-陶瓷基板)和 DPC(直接镀铜陶瓷基板)工艺相比,本方法生产成本低,基板性能高,特别适合于批量制备金属化陶瓷基板。
华中科技大学 2021-01-12
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