高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
聚合物基电子封装材料用高性能助剂的制备技术
随着电子封装技术向着“高密度、薄型化、高集成度”不断发展,对聚合物基电子封装材料的各项性能提出了更高要求。目前,我国在先进电子封装材料的研究和应用上与日本、韩国及欧美发达国家相比仍有较大差距。团队通过与无锡创达新材料股份有限公司、无锡东润电子材料科技有限公司等企业开展产学研合 作,研发了一系列具备自主知识产权、高附加值以及高性能的电子封装材料用关键助剂,包括环氧树脂增韧剂、环氧树脂固化促进剂、高性能有机硅树脂等,并获得江苏省相关科技计划项目及人才项目的立项支持。相关功能助剂的应用可有效提升电子封装材料的性能,对突破国内高档电子封装材料研发生产的技术瓶颈,提升我国微电子封装产业的国际竞争力,具有积极作用。
江南大学 2021-04-13
金属矿溶浸开采技术
溶浸开采是集采矿、选矿、冶金于一体的特殊采矿技术,其基本工艺过程中:将化学试剂或微生物溶液与矿物接触,有选择性溶解、浸出有用矿物,富集并提取浸出液中的目的金属。该技术的主要优势是投资小、成本低、工艺简单、能源消耗小、生产规模可大可小,灵活性强,能够达到低能耗、低排放的目的。在低品位矿石、废石及尾砂“二次资源”开发方面进行了大量卓有成效的工作,研究内容涵盖了可浸性分析、筑堆技术、布液技术、集液技术以及细菌强化浸出技术,尤其是堆中布液技术、排土场强化浸出工艺、尾矿就地浸出、电场强化浸出以及溶浸采矿数值模拟技术,处于国内领先水平。该课题在国家“973”规划、杰出青年基金、国家自然科学基金资助下,在该技术的基础理论与应用开发方面进行了深入系统的研究工作,创造了一系列具有自主知识产权的新工艺、新设备,拥有 3 项国家发明专利。
北京科技大学 2021-04-13
金属矿溶浸开采技术
 溶浸开采是集采矿、选矿、冶金于一体的特殊采矿技术,其基本工艺过程中:将化学试剂或微生物溶液与矿物接触,有选择性溶解、浸出有用矿物,富集并提取浸出液中的目的金属。该技术的主要优势是投资小、成本低、工艺简单、能源消耗小、生产规模可大可小,灵活性强,能够达到低能耗、低排放的目的。在低品位矿石、废石及尾砂“二次资源”开发方面进行了大量卓有成效的工作,研究内容涵盖了可浸性分析、筑堆技术、布液技术、集液技术以及细菌强化浸出技术,尤其是堆中布液技术、排土场强化浸出工艺、尾矿就地浸出、电场强化浸出以及溶浸采矿数值模拟技术,处于国内领先水平。 该课题在国家“973”规划、杰出青年基金、国家自然科学基金资助下,在该技术的基础理论与应用开发方面进行了深入系统的研究工作,创造了一系列具有自主知识产权的新工艺、新设备,拥有3项国家发明专利。 应用范围:该技术可在有色金属、贵金属、稀有金属矿床中推广应用。能够较好地回收常规开采方法不能回收的低品位矿石、难采矿体、常规选矿方法难以分选的矿石以及废石中的有用成分,拓宽了地下矿产资源的利用范围。
北京科技大学 2021-04-13
一种矿料煅烧系统
本实用新型公开一种矿料煅烧系统,包括煅烧设备,所述煅烧设备前设置有矿料分类装置,使得矿料在进入煅烧设备前先进行不同品种的分类。本实用新型可以有效地避免矿料在高温煅烧时出现矿料未得到充分煅烧和/或矿料过烧严重的情况,提高矿料煅烧后所得产品的含量以及质量,避免浪费,节约生产成本。
四川文理学院 2015-02-25
山东山矿机械有限公司
山东山矿机械有限公司始创于1970年,是集研发、设计、生产、销售带式输送机、破碎机、球磨机、工矿电机车等系列主机产品及关键零部件的大型骨干企业。公司注册资金2亿元,拥有总资产7亿元,是中国重型机械工业协会副会长单位及其下属带式输送机分会、破碎粉磨分会、矿山机械分会及中国电器工业协会牵引电气分会副理事长单位。公司先后荣获“中国机械500强企业”、“全国机械行业文明单位”、“山东省重合同守信用企业”、“山东省信誉等级AAA企业”、“山东省管理创新优秀企业”、“山东省机械行业十大自主创新企业”、“山东省机械工业快速成长型企业”、“山东省机械百强企业”、“山东省最具发展潜力企业”等荣誉称号。“山矿”商标被国家工商行政管理总局商标评审委员会认定为“中国驰名商标”。 公司下辖公司本部及山矿重工有限公司、山矿托辊制造有限公司、山矿设备供应公司和宏山汽运有限公司等全资子公司和一所高级技工学校。公司具有从铸造、铆焊、机械加工、热处理到产品总装、试验等全过程的生产能力,配有钢材预处理、涂装、托辊、横梁、铸胶、滚筒等专用生产线。 山东山矿机械有限公司将秉承“优、新、快、信”的经营理念,愿与国内外朋友广泛合作,共谋发展!
山东山矿机械有限公司 2021-01-15
大尺寸均匀单层二硫化钼可控制备材料
单层半导体性过渡族金属硫属化合物(MX2: MoS2, WS2 等)是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等,在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战,例如,难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一,在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展:基于范德华外延的机理,他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013),他引198次); 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次);发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底,实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备,借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014),他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015),他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底,创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体),采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式,实现了前驱体在样品上下游的均匀供应,使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸),获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现,玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘,起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用,从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min,单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外,他们利用玻璃基底的亲水特性,发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移,且具有操作简单,转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径,并深入分析了其生长机制,为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据,对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。
北京大学 2021-04-10
偕二氟双环己烷型TFT液晶材料新技术
作为TFT液晶材料的“领军者”,偕二氟双环己烷的市场前景可想而知。目前,该材料技术由日本垄断,本项目新技术的出现将有望打破该格局,为本土TFT液晶材料研究和产业化作出贡献。
南京大学 2021-04-10
二次电池和超级电容器的新材料
将此新材料用于二次电池的阳极,得到的电池容量密度为 137Ah.kg-1,能量密度为152Wh.kg-1;经 120 次充放电后充放电库仑系数为 100%,能量密度仅下降了 9.2%。
扬州大学 2021-04-14
m-石英衬底用于二维材料的可控生长
分析了m-石英衬底用于二维材料的可控生长,以及其在取向、维度及能带结构等多个方面对单层二硫化钨的调制能力,论文第一作者为程春课题组博士生王经纬。 尽管石英和二硫化钼具有不同的对称性,但是两者奇特的大周期匹配使取向排列的单层二硫化钨外延生长成为可能。通过进一步调节反应条件,课题组实现了对单层二硫化钨形貌从二维到一维的可控调节。同时,由于石英各向异性的热膨胀系数,生长的单层二硫化钨产生了随
南方科技大学 2021-04-14
不对称催化的高光学活性二芳基甲醇的高效合成方法
手性二芳基甲醇是重要的手性药物合成前体,比如 (R)-新苯海 拉明、(R)-邻甲苯海明,(S)-卡比沙明、(R,R)-氯马斯汀等手性药物就 是由光学活性二芳基甲醇合成得到,尚有一些具有明显抗肿瘤前景的 化合物也是由手性二芳基甲醇合成的。本技术使用容易合成且价格低 廉的格氏试剂在不对称催化的条件下与芳香醛加成,使用四异丙醇钛 和 N,N,N′,N′-四甲基二氨基乙醚为添加剂,使用 10 mol% 光学活性 H8-BINOL 为手性配体,产物产
兰州大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 38 39 40
  • ...
  • 349 350 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1