已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压，正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。

产品详细介绍名称：波形输出压电陶瓷驱动电源 http://rznxkj.com/%E5%8E%8B%E7%94%B5%E9%99%B6%E7%93%B7%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E6%BA%90%EF%BC%91.htmlRH31RH35产品特点产品特性 输出电压通道：1～3路、模拟输入通道：3路 过流保护功能、波形存储，输出功能 高性能控制器及16位A/D转换 专用运算放大电路保证了高压大电流输出 同时具有过流、短路保护等功能 具有高频率响应和极低的静态电压纹波  采用10位模数转换芯片进行数据采集 输出电压的实时监控、液晶汉字显示、薄膜按键输入、  键盘输入控制、模拟信号输入控制、  编码旋钮调节电压控制、上位机SPP控制、波形控制 具有可编程功能，具有VC动态链接库 驱动压电陶瓷双晶片、驱动叠层型压电陶瓷、驱动封装开闭　压电陶瓷、驱动进口陶瓷型 号参　数RＨ３1 RＨ３５ 单位输出通道 1 5 路输出电压范围(单选项） A型 -20～+150 ＶB型 -20～+200C型 -20～+300(+500)D型 -150～+150E型 -200～+200F型 -300～+300电压输出阻抗 ＜20 Ω模拟输入电压 ±10或±5(单选) Ｖ模拟输入阻抗 ＜100 kΩ电压稳定性 ＜0.1% %单路输出平均功率 :Pa 30 30 ／(三路同时输出：10) W±20%( Max)单路输出平均电流: Ia 150 150 ／(三路同时输出：50) mA±20%(>5 ms)单路输出峰值功率: P 60 W±20%( Max)单路输出峰值电流: Imax 300 mA±20%(<5 ms)电压输出入监控 LCD显示  液晶屏显示 128x64  键盘(薄膜按键) 4x4  软件控制输出 提供操作软件  电压输出分辨率 5 mV过流\短路保护电流 >300 mA电源静态电压纹波 ＜20 mV电源阶跃响应 2 ms快速调节步长 0.001～50 V计算机接接口 串口  计算机或手动输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  模拟输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  波形储存功能 各种波形  电源供电电压要求 ＡＣ220±10％ V电源供电频率要求 50±10％ Hz电源工作相对湿度 <85 %工作环境温度 0～45 ℃消耗功率 100 W波形输出功能详细说明可单独或同时输出5路控制波形，每路波形可设定为下图中的任一波形 压电陶瓷驱动接法压电陶瓷驱动电源每一路输出驱动一支压电陶瓷，作为单独控制压电陶瓷，也可以把多支压电陶瓷并联驱动，电容并联电容量相加，总电容量增大，会影响输出频率特性；单路机箱及尺寸三路机箱及尺寸重量：3ｋｇ重量：5ｋｇ     官网：http://rznxkj.com/

产品详细介绍封装型压电陶瓷优点:   方便安装固定：移动端方便与外部结构连接，移动端有四种选择：内螺纹、外螺纹、球头和平头。    保护陶瓷：因为陶瓷是易损元件，外力的夹持或者撞击都可能导致压电陶瓷的损坏，机械封装式压电陶瓷的机械外封可以对内部的叠堆压电陶瓷起到很好的保护作用。    提高功率：通常情况下，压电陶瓷都需在它的功率范围内使用，因为陶瓷在高频振动的过程中会产生一定的热量，陶瓷的温度会随之升高，超过温度80℃，陶瓷则可能会因为热量不能及时散出而损坏，但如果选择散热好的机械外封材料，并可以通过在陶瓷外部加散热片的方式，使陶瓷的使用功率大大提高。    可承受轴向拉力：叠堆陶瓷不能够承受轴向拉力，而机械封装式压电陶瓷由于内部加有预载力，可以承受一定的拉力，适合于高频振动使用，或者需要推拉力的应用。   稳定性高：因为叠堆陶瓷既不能承受侧向力也不能承受弯曲力，所以在使用的过程中，要求受力的接触面足够的平整，且受力方向在陶瓷的中心。当压电陶瓷的长与直径比值过大时，机械封装式压电陶瓷稳定性高于叠堆型压电陶瓷，可以有效的减少侧向力的产生，特别是使用球头连接方式可以消除轴向耦合，大大提高陶瓷的稳定性和使用寿命。    抗干扰：封装陶瓷的外壳是无磁不锈钢材料，可以防止外界电场的干扰。 

产品详细介绍 压电陶瓷致动器具有体积小，位移分辨率极高，响应速度快，输出力大，换能效率高，不发热，可采用相对简单的电压控制方式等特点。但其本身固有的一些特性会影响到工作台的定位精度和线性度。压电陶瓷在电场的作用下有两种效应：逆压电效应和电致伸缩效应。在电路中，压电陶瓷具体表现为电容特性。迟滞特性压电陶瓷的升压和降压曲线之间存在位移差称为迟滞现象。蠕变特性在一定电压下，压电陶瓷的位移达到一定值后随时间变化，在一段时间后才达到稳定值。 温度特性压电陶瓷线膨胀系数比一般的金属材料要小，现以某公司的高压陶瓷和低压陶瓷为例：随着温度的变化，其线膨胀系数也会有微小的变化。如下图所示（ LVPZT 为低压陶瓷， HVPZT 为高压陶瓷）。

产品详细介绍我公司长期供应乙二胺，日本东曹乙二胺，美国亨斯曼乙二胺，含量99%乙二胺，韩国原装进口，含量99%以上  质优价廉，保证供应，如有需要欢迎来电垂询 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 聚乙二醇300,400,600 韩国湖南石化 230KG/铁桶 原装 聚乙二醇4000,6000 韩国湖南石化 25KG/包 原装 AEO9,AEO7,AEO3 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 甲氧基聚乙二醇 MPEG1000 1200 韩国湖南石化 220KG/铁桶 原装 丙二醇 医药级 含量99.9% 韩国SKC 215KG/铁桶 原装 一乙醇胺 含量99% 韩国KPX 210KG/铁桶 原装 二乙醇胺 含量99% 台湾东联,韩国 220KG/铁桶 原装 NP-10 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 双氰胺 含量99.5% 宁夏 25KG/包 原装 四氢呋喃 含量99.9% 台湾南亚 180KG/铁桶 原装 1,4丁二醇 含量99% 台湾大连 200KG/铁桶 原装 异辛酸 含量99% 德国OXEA 185KG/塑料桶 间苯二甲酸 含量99% 新加坡，日本 25KG/包 原装 三羟甲基丙烷 含量99% 日本三菱，美国 25KG/包 原装 已二酸 含量99.8% 辽化 500KG/包 原装 新戊二醇 含量99% 日本三菱 25KG/包 原装 乌洛托品 含量99% 河南 25KG/包 原装 线性体 PMX-0156 美国道康宁 200KG/铁桶 原装 硬脂酸（十八酸）1801 颗粒状 马来天然油脂 25KG/包 原装 硬脂酸 椰树牌 PALMAC630 马来酸化学 25KG/包 原装 月桂酸(十二酸) 含量99% 片状 马来天然油脂，印尼丸红 25KG/包 原装 月桂酸 椰树 含量99% 片状 马来酸化学 25KG/包 原装 肉豆蔻酸(十四酸) 含量99% 马来西亚 25KG/包 原装 甘油 医药级含量99.7% 印尼春金，马来天然油脂 250KG/铁桶 原装 冰醋酸 含量99.80% 镇江索普200KG/塑料桶 净水 环氧氯丙烷 含量99.90% 山东 240KG/桶 己二胺 含量99.70% 河南神马 160KG/铁桶 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 二乙烯三胺 含量99% 日本东曹 190KG/包

本发明涉及半导体复合材料的制备，旨在提供一种球状微米二氧化锡负载微米、纳米银颗粒材料的制备方法。包括：将质量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中进行水热反应，反应产物离心分离，并以去离子水和乙醇洗涤，烘干，即得到球状微米二氧化锡；将球状微米二氧化锡加入至AgNO3水溶液中，以银材质的阴极和阳极插入至混合物中进行电镀；电镀时，倾斜电镀容器并使其沿中心轴旋转，让混合物保持搅动状态；混合物抽滤弃滤液，抽滤产物烘干，即得到最终产物。本发明采用电镀技术提高球状微米二氧化锡的功能性质并且扩大其应用范围；该复合材料中，微米、纳米银颗粒均匀地负载于球状微米二氧化锡上，银颗粒的粒径可控，分散度高，能够节约材料，可应用于电接触材料领域。

通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计，在实现闪存的非易失性存储特性；通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计，利用二维半导体材料的原子级薄层特性，显著增强最大横向电场从而提升电荷的注入效率，实现存储器中电荷的超注入机制，进而实现闪存的亚纳秒编程。本发明存储器在维持十年数据保持能力的同时，大幅提升了电荷注入效率，将编程速度提升至亚纳秒，为解决电荷存储领域超快编程和长保持时间无法共存的重大挑战提供新的解决方案。