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高等教育领域数字化综合服务平台
心理云平台网络版心理测评软件心理健康
区域版心理健康教育云平台共划分为中心管理端、学校端、教师端、学生家长端等多个用户端口。平台贯彻了“互联网+心理”的核心理念，实现了包括区域内教委及各学校的心理资源、数据共享，采集了包含学校、个人、家庭的多层次心理健康数据。平台以学生为主体，串联起心理咨询师、教师、家长等不同角色覆盖整个教育系统，同步关注了学生、教师和家长的心理需求。借助平台教委心理健康主管部门可动态检测全区心理健康状态，为未来制定心理教育决策提供有效数据支持。
核心功能：
（1）全方位云测评：
提供心理健康、个性人格、智力、情绪等超过百种专业心理测评量表。
迅速了解和监测区域内全体师生的心理健康状况。
（2）大数据云分析：
通过测评结果，自动筛查生成预警名单，心理咨询师直接开展后续危机干预及跟踪工作。
生成全区大数据分析报告，满足教育部门动态掌握区域内学生心理健康水平和结构需求。
（3）系统化云档案：
自入学起建立学生心理档案，全面记录学生基本信息、测评结果、咨询记录等信息。
支持家校联动，家长可通过网络查看学生心理档案以及心理动态；
（4）零距离云咨询：
平台支持网络在线咨询及预约咨询，不再局限于传统咨询场地限制。
拿起手机、平板电脑即可随时随地和心理咨询师零距离沟通。
（5）心理资源云共享：
专业心理知识、科普、案例等数字资源分享。
心理数字教材、配套教学资源、心理优课等教学资源共享。
（6）多功能心理云服务：
区域心理教育工作宣传平台，发布分享区域内公告、新闻及相关文件。
平台支持科研调查问卷统计，便于开展课题研究与专题研讨。
北京中盛普阳科技发展有限公司
2021-08-23
中银（BOCT）55英寸壁挂式网络版广告机
产品详细介绍
www.boct-lcd.com
深圳市中银科技有限公司
2021-08-23
带考核功能的网络型多功能综合布线实训装置
产品详细介绍
【发明专利】
一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200910089129.3
一种双绞线端接故障演示装置，专利号：200920110601.2；
一种双绞线端接测试实训装置，专利号：200920110300.X；
一种综合布线实训装置，专利号：200920110299.0；
一种打线端子快换装置，专利号：201020188141.8
【外观设计专利】
多功能综合布线实训装置，专利号：201030165270.0
【功能简介】
多功能综合布线实训装置（实训仪）是用来进行综合布线工程实训类教学及学习的仪器，具备综合布线工程中基本技能实训和部分工程实训功能，同时能够检验综合布线系统工程中线缆端接与打线的连接情况，并以彩色图形的方式形象的展示双绞线线缆中常见的各种接线故障。
【仪器特点】
1.由双绞线打线实训、双绞线跳线制作实训、双绞线端接测试实训和双绞线端接故障演示实训等装置组成，物理上与实训室中心设备间（CD）用5E类双绞线相连。
2.能满足2-6人同时进行双绞线端接实训，双面操作；
3.可进行双绞线端接测试及故障演示实训，测试及演示的双绞线端接常见的故障现象包括开路、短路、交叉线对、反向线对和串对等。测试结果可以回放显示。
4.打线训练模组采用斜口专利技术、模块化设计，更换便，支持学生无限次重复压接线实训，无使用寿命限制。
5.实训操作机架可维护性强，各个训练功能和测试功能模组全部采用结构化设计，当其中一部分因磨损需要更换时可以采用最小化的方式，只需对单一模组进行更换，节约维护成本和教学成本。
【规格参数】
长0.6米，宽0.53米，高1.8米，开放式机架。配36U双面开放式机架1个，双绞线端接测试及故障演示装置GCT-MTP 1台，实训模组2套，24口网络配线架2个，理线环2个，双口地弹信息插座1个，地弹电源插座1个，零件盒1个。可供2-4名学生同时操作（双面操作，互不干涉）。
北京华育迪赛信息系统有限公司
2021-08-23
一种钙基二氧化碳/二氧化硫吸收剂及其制备方法
本发明公开了一种钙基二氧化碳/二氧化硫吸收剂及其制备方 法，该制备方法为将含有钠盐化合物或钾盐化合物配制成质量百分浓 度为 5％～25％的盐溶液；接着，将含氧化钙的粉末投入到该盐溶液 中；然后，在 20℃～90℃干燥，接着，在 700℃～950℃煅烧即得到钙 基二氧化碳/二氧化硫吸收剂。本发明通过对制备方法中关键的工艺步 骤，如水合反应与浸渍反应的时机、盐溶液的浓度与施加量、氧化钙 原料的粒径大小等进行改进，能够制备组织均匀的钙基吸收剂，该吸 收剂还具有高循环转化率以及稳定的孔隙结构，尤其在多次循环中该 吸收剂的吸收容量比天然的吸收剂可以提高 130％以上。
华中科技大学
2021-04-13
一种二氧化碳/二氧化硫钙基吸收剂及其制备方法
本发明公开了一种高性能二氧化碳/二氧化硫钙基吸收剂颗粒的制备方法，将含钙的前驱体和有机物溶于水中，将溶液在 60～90℃条件下持续搅拌成溶胶，经过 110～200℃干燥 1 小时以上得到干凝胶；再将干凝胶在 600～900℃条件下空气中煅烧 0.5 小时以上，得到白色钙基吸收剂粉；最后将粉末与水泥以及微量水混合成泥状后，经过挤压成型得到所需钙基吸收剂颗粒。有机物的燃烧可以使钙基吸收剂的表面具有丰富的孔隙，水泥的添加可
华中科技大学
2021-04-14
一种表面富含二氧化铱的氧化铜掺杂二氧化铱钛阳极及其制备方法
本发明提供一种表面富含二氧化铱的氧化铜掺杂二氧化铱钛阳极及其制备方法。该阳极通过以下步骤制备：1）钛基体的预处理2）配制涂覆溶液：将CuO的前驱体和IrO₂的前驱体溶于乙醇和异丙醇的混合溶剂中制成前驱体涂覆液；3）热分解法制备涂层：利用浸渍提拉法在预处理后的钛板上均匀覆盖上述涂覆溶液，焙烧、冷却；如此涂覆、烘干、焙烧、冷却过程循环多次，最后一次在300‑500℃下焙烧1‑3h，然后自然冷却到室温；4）后处理：将上一步制备好的涂层电极放入浓硫酸中浸渍或者放入稀硫酸中进行电化学处理即得。该阳极的电催化活性和稳定性都得到显著提高。
（注：本项目发布于2017年4月）
武汉轻工大学
2021-01-12
腈水解酶催化制备亚氨基二乙酸项目
亚氨基二乙酸(IDA)是生产除草剂草甘膦的重要中间体。它也被用于生产新型两性铬络合 品红染料、漂白活化剂、顺铂类抗癌药物等。目前生产亚氨基二乙酸主要有化学合成法和生物 合成法。利用高效、高酶活、稳定的产腈水解酶生产亚氨基二乙酸，符合绿色化学的发展方 向，有着化学方法无可比拟的优越性。本项目筛选到一株高效、高酶活、稳定的产腈水解酶的 菌株，一步水解得到所需的亚氨基二乙酸。 本项目通过筛选适合的菌株、对菌株发酵优化以及整个催化过程的优化，最后分离纯化得 到亚氨基二乙酸。整个反应过程条件温和、操作简单、无副产物产生。
华东理工大学
2021-04-11
一种β,β-二芳基烯的合成方法
本发明公开了一种β,β-二芳基烯的合成方法,在有机酸溶剂中,在钯催化剂和银盐的存在下,卤代芳烃与末端烯基化合物经偶联反应得到β,β-二芳基烯;其中,有机酸溶剂为醋酸,钯催化剂为醋酸钯,银盐为醋酸银、碳酸银或氧化银,卤代芳烃为碘代芳烃,偶联反应的反应温度为80～130℃,反应时间为0.25～24小时。采用本方法,以对环境友好的有机酸作为溶剂,并以银盐为添加剂,具有催化剂用量少,无需添加其他配体,反应条件简单温和,后处理简单,产物收率高等优点。
浙江大学
2021-04-11
超临界二氧化碳中染色
超临界二氧化碳对有机物的溶解性随溶质极性、分子量、密度等不同而不同，容易溶解非极性或极性弱、分子量小的有机物。分散染料一般分子极性弱，分子量也不大，因而易溶于超临界二氧化碳。溶于超临界二氧化碳的染料分子是杂乱分散的。因此在这种状态下染色，染浴中的染料活泼，能快速到达纤维表面，接着能较容易地渗入到纤维内部，从而达到染料上染纤维的目的。该项技术的原理在于气体在超临界状态下形成的流体密度低，染料能自动溶解且具有较高的扩散性；染料在超临界二氧化碳中的溶解度随着流体密度的增加而增加，由压力和温度来控制二氧化碳流体密度从而控制染料在超临界二氧化碳流体中的溶解度；提高温度来降低流体的密度和染料在溶液中的数目，促进染料扩散到纤维中去。因此该系统控制参数可比常规水相工艺较为快速的进行调节。该工艺无需助剂，二氧化碳无毒，可循环使用；残留的染料可以粉末状态回收，无废水和废弃物，无需染色后处理和染后烘燥，可节能?0%左右。该工艺染色速度比传统工艺快好几倍，染色效率高。
华东理工大学
2021-04-11
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11