本发明公开了一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法。基于硅 基液晶在同样的偏置电压下，对不同波长入射光有不同的相位调制的 特性，对在硅基液晶波长工作范围内的光信号实现分析与监测，并能 在入射光波长未知的条件下，对该波长进行测量，并能随着相位调制 精度的提高，提高波长的分辨精度。本发明元件少，系统结构简单紧 凑，对光路的准直要求不高，无需苛刻光路的耦合与复杂操作就能进 行波长的分辨，并且有着与入射光偏振态无关的特性，在分辨

本发明公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有 M×N 元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光

产品详细介绍粉末冶金零件密度测试仪÷含油轴承含油率测试仪，粉末冶金比重测试仪，粉末冶金密度计，粉末冶金密度天平：粉末冶金制品在成型之前，先将原资料增加黏结剂、光滑剂如硬脂酸锌、硬脂酸锂及白蜡、石墨粉等加以混杂平均，而后加以成型。使成型胚体中与内部接触的孔隙或多或少被光滑剂和石墨粉所填满。配合现场作业，于试模和密度再确认时，根据生胚密度的测试可立刻调剂粉末填充量，防止粉末适量充填或充填缺乏。为了延长停机的时光，须要疾速的实现密度测量。目前市场上用来检测粉末冶金构造件体密度、有效孔隙率、湿密度、体积的测量仪器有很多，现重要给大家介绍一款产自台湾的粉末冶金密度计，可正确、疾速、不便测出各种粉末冶金构造件的体密度与含油合金的有效孔隙率、湿密度、体积。粉末冶金零件密度测试仪÷含油轴承含油率测试仪重要技巧参数：1、型号：TW－120P、TW－600P2、称重规模：0。001g～120g、0。01g～300g、0。01g～600g3、密度解析精度：0。0001 g÷cm3 0。001 g÷cm34、测量时光：约10称5、测试品种：粉末冶金构造件、含油合金、含油轴承及各种固体、颗粒体、薄膜、浮体功用及特征：1、可间接读取粉末冶金构造件的体密度和含油合金的有效孔隙率、湿密度、体积；2、可间接读取烧结含油轴承含油率、有效孔隙率；3、可根据现场操作习性，间接读取不吸水资料的密度和体积值；4、具备温度弥补设定、溶液弥补设定、防水解决油的密度设定功用；5、主机配有RS－232标准打印接口，能很不便地衔接打印机将测试后果输入；6、采取大水槽设计，可下降吊栏线的浮力所形成的误差；7、两个操作步骤即可显示测量后果；8、操作简朴、不便、测量疾速；9、全主动零点跟踪功用；10、具备环境调剂功用；为什么要测试粉末冶金原料的密度粉末冶金是将金属、合金、或其氧化物、碳化物等粉末装入模具内，施以低压而成形，再进行烧结固化来制作所须要的资料、产品的技巧。粉末冶金是把金属的粉末颗粒微细化后，再制形成外形庞杂的零件，替代传统的机械加工。因为粉末冶金的孔隙构造对粉体的物感性质影响很大，而且粉末冶金产品根据其需求是以体密度、湿密度、视孔隙率、含油率等为重要的认定标准，所以关于成形胚体和烧结体的密度检测更为重要。按照标准：金属烧结资料的烧结密度=试料空气中分量÷（防水解决后试料空气中重－防水解决后试料水中重）。抉择数显台式精细密度计，密度仪，密度测试仪，密度天平，比重计，比重测试仪，比重仪，比重天平，比重密度测试仪÷测量仪

产品详细介绍1  技术说明ME5368-C型电导率仪是精确测量石油产品电导率的专业仪器。经总后勤部油料技术监督处监制并长期试用，效果很好，现已大批量装备部队。同时，在民用航空、炼油等方面也发挥着重要作用。本产品体积小、测量种类多、功能齐全、环境适应能力强，可在不同的条件下进行测量加电缆后还可进行长距离测量。同时可数据自动锁定。动能更加齐全，使用更加方便。目前，ME5368-C型电导率仪测量精度已达到国内外先进水平。2  主要技术指标显示量程: 0-1999pS/m分 辨 率: 1pS/m测量精度: ＜2%±1pS/m 酸度计检定装置电导率仪检定装置分光光度计检定装置酶标分析仪检定装置气相色谱仪检定装置气相色谱质谱联用仪检定装置液相色谱仪检定装置离子色谱仪检定装置原子吸收检定装置红外光谱仪检定装置粘度计检定装置（可自动检定）密度计检定装置（可自动检定）酒精计检定装置玻璃量器检定装置（可自动检定）烘箱/培养箱检定装置碳硫分析仪检定装置生化分析仪检定装置报警器探头检定装置旋光仪检定装置白度计检定装置阿贝折射仪检定装置离子计检定装置罗维鹏比色计检定装置电位滴定仪检定装置有机元素分析仪检定装置温度计自动检定系统检定装置

本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法，并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台，这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V，比导通电阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖（“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等）。

1.项目简介：《用超细APT制备纳米钨粉的研究》由我校余世鑫教授主持与江西省崇义章源钨制品有限公司联合研究，并由该公司工业试生产成功。该项目经过课题组人员的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技厅组织专家鉴定组对该项目进行了鉴定。2.技术特点：本项目采用精细化工技术，依据相转移合成法的原理，采用独特的离子交换高峰液的处理技术、固液分离技术和结晶晶形控制技术，生产出超细颗粒仲钨酸铵(APT，费氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回转管炉煅烧和四管炉还原，采用露点-70℃的高纯氢气和粉末钝化技术，制得纳米钨粉。其生产表明，与等离子法、流态化还原法等相比，采用该技术生产纳米钨粉具有设备投资少、成本低、规模生产易控制、重现性好的特点。易于实现工业化生产。该项目采用的工艺技术独特、新颖、可行，属国内首创。

基于“介电体超晶格”制备技术，开发了一套适合量产的超晶格材料制备工艺。超晶格材料在激光非线性波长变换、量子纠缠源产生、声学滤波换能等领域有重要应用。以超晶格材料为核心材料，开发出红光、绿光、蓝光、准白光、钠黄光、皮秒锁模以及中红外等多种新型激光器。

为了满足超三代移动通信技术B3G项目对高速背板传输的需求，2004年10月东南大学与深圳华为技术有限公司中央硬件部开展合作，共同研制了符合PICMG3.0国际规范的AdvancedTCA全网格标准机箱与背板，实现了超过3.125Gbps的双向传输速率。

近年来，超材料虽然取得了长足发展，但仍存在一些瓶颈问题：1)基于等效媒质超材料的新物理现象和新应用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理学家的领地，以验证新物理现象为主；3) 超材料对电磁波的凋控大多是静态的，一旦制备成型其功能即被㈣化，+能实时地调控电磁波。为解决上述问题，该项对微波超材料进行了系统性研究。 在等效媒质超材料方而，提出并制备了柱坐标系下各向异性零折射率超材料，突破了h然界域小辐射单元（电偶极子和磁偶极子）双定向辐射的限制，实现了完美的电磁波全向辐射及高效空间功率合成。提出•种三频段超材料完美吸波器，可在三个设计频段实现电磁波在大角度范围内、 对极化不敏感的近乎完美吸收。基于变换光学原理，提出一种低损耗电磁幻觉器件，可按照需求有0的地操控0标对电磁波的雷达散射特征。提出并制备了宽带、低损耗的全介质超材料放人透镜，打破衍射极限的限制，实现了超分辨率的微波成像。该研究促进了等效媒质超材料的发展。

研究小组首先利用激光分子束外延技术生长了具有原子级别平整度的反铁磁Cr2O3薄膜，是电荷的绝缘体。采用非局域自旋输运的技术，用热方法在铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、产生自旋压，在另外一个铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运（图A）。实验数据显示在低温下自旋输信号出现饱和现象，对应着自旋导的饱和，也就是零自旋阻效应；即自旋超流基态的最重要基本性质之一（图B）。在此基础上，该研究小组又系统研究了不同自旋输运距离下自旋超流的输运现象，证明了自旋在该自旋超流基态可以进行长距离的输运，并且其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致（图C）。该工作是是自旋超导态领域研究的一项重大突破，势必推动自旋超导态的快速发展，为研究基于自旋玻色子的玻色爱因斯坦凝聚的基础物理研究提供了实验平台，并为新型量子自旋器件，如自旋流约瑟夫森结等，奠定了实验基础。图：自旋超流基态的重要实验证据。（A）非局域自旋输运测量示意图。用热方法在左边铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右边铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运。（B）自低温下自旋输信号出现饱和现象，反映出自旋超流基态的零自旋阻效应。（C）自旋信号随其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致。