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直接界面法制备三维多级表面形貌多孔磷酸钙纳米陶瓷的方法
本发明涉及一种直接界面法制备三维多级表面形貌多孔磷酸钙纳米陶瓷的方法，使用甲醇、水溶性钙盐、挥发性碳铵盐、表面活性剂PVP和明胶等、磷酸氢二铵和磷酸氢二钾等为原料采用界面法在聚氨酯泡沫支架上形成碳酸钙多孔坯体，然后通过130℃或以上水热处理及600-1000℃下高温处理，即可得到具有三维多级表面形貌的多孔纳米磷酸钙陶瓷。所得到的最终制品平均孔径可控制在50μm到1000μm之间，平均晶粒尺寸在200nm到1μm之间。孔呈三维贯通的海棉形态，孔壁的横截面呈三角形。
西南交通大学
2016-10-20
一种通过原位沉积磷酸钙对碳纳米管进行功能改进的方法
一种通过原位沉积磷酸钙对碳纳米管进行功能改性的方法，其步骤为：a、接枝反应将聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或马来酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶联剂构成接枝反应液；再将经酸化预处理后的碳纳米管粉末和催化量的酯化催化剂加入到接枝反应液中，进行酯化反应；然后过滤、洗涤、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳纳米管；b、矿化反应 再将a步接枝后的碳纳米管置入成分与模拟体液相同，但离子浓度为模拟体液2-10倍的快速矿化液中，超声分散后置于温度为37℃的环境中，静置1-7天。该种方法改性后的碳纳米管的亲水性以及生物相容性好，可用作医用高分子复合材料的增强体或者药物载体材料。
西南交通大学
2016-10-20
无铅双钙钛Cs2AgBiBr6在高压下的结构及性质变化
Cs2AgBiBr6等双钙钛矿由于无毒、稳定性好等优势，已成为钙钛矿研究领域的热点方向。然而，由于Cs2AgBiBr6具有较大的带隙（2.2 eV），其在光电器件中的应用受到了限制，实现Cs2AgBiBr6带隙的可控调节是双钙钛矿高压研究的一个难点。该研究工作利用金刚石对顶砧（DAC），通过高压下的原位拉曼光谱、紫外可见吸收光谱、X射线衍射来表征Cs2AgBiBr6结构及性质随压力的变化。研究发现Cs2AgBiBr6在3 GPa压力时会由面心立方转变成四方相，导致晶体中AgBr6和BiBr6正八面体的倾斜扭曲，减少了电子轨道的重合，使得四方相的Cs2AgBiBr6的带隙逐渐增大。继续升高压力至6.5 GPa，Cs2AgBiBr6晶体呈现非晶化趋势，带隙逐渐减小至1.7 eV。卸压至常压后，材料中残留的非晶结构部分保留了高压下的性质，使无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6常压下的带隙减小8.2%。该工作对于探索双钙钛矿结构-性质间的关系，以及高压下性质的可控调节具有重要的研究意义。
南方科技大学
2021-04-13
一种制备高亮度白光发射的锰掺杂钙钛矿量子点的方法
本发明公开了一种制备高亮度白光发射的锰掺杂钙钛矿量子点的方法，该量子点为Ｍｎ：ＣｓＰｂ２（Ｂｒ／Ｃｌ）５。其制备方法包括如下步骤：
（１）分别将ＰｂＢｒ２、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ３Ｂｒ、ＭｎＣｌ２·４Ｈ２Ｏ以及ＣｓＢｒ溶于Ｎ，Ｎ?二甲基甲酰胺（ＤＭＦ）中制成反应物的前驱体溶液；
（２）将前驱体溶液依次转移至搅拌的甲苯中，转换方式为以速率２０～６０滴／分钟进行滴加，形成量子点材料。本发明无需使用复杂的热力学过程控制诱导Ｍｎ的掺杂，反应条件温和，过程简单，操作方便，且前驱体溶液稳定性好，可重复多次使用，适用于工业推广。
东南大学
2021-04-11
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10
硅晶片线切割用6HSiC微粉材料的研究及产业化
关键工序生产的自动化 ① 粉碎（雷蒙磨）自动控制系统的研发 研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%，且提高工效15%以上。 ② 气流分级自动控制系统的研发 研制气流分级机用自动控制系统，具备以下功能：可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。 ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发 开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。 ④ 水力分级自动控制系统的研发 研发水力分级设备用自动控制系统，可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制，变常规的高低液位控制为恒液位控制，液位控制精度达到0.3%；研制出料自动切换装置，实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发 研制SiC冶炼炉在线自动测控装置，可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制，炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权，5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置 专利号：ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号：ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法 专利号：ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法 专利号：ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法 专利号：ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号：ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号：ZL201010134495.9
东南大学
2021-04-13
硅基微纳结构调控太阳光谱提升光伏器件效率的研究
拥有人工微结构科学与技术协同创新中心、固体微结构物理国家重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心以及江苏省光电信息功能材料重点实验室等科研平台，在硅基纳米结构材料与性能调控，硅基光子学器件和新型能源器件等基础研究领域具有很强的影响力。近年来，在硅基太阳能电池片研发及其新型结构材料在电池片上应用等方面开展了全方位的研究，承担完成了国家重点基础研究发展计划课题和国家自然科学基金重点项目等相关课题的研究。提出了渐变带隙的纳米硅量子点电池结构，利用渐变带隙进一步拓宽电池的响应光谱范围，发展了包
南京大学
2021-04-14
多晶硅生产冷氢化工艺加热合成反应关键技术装备
实现多晶硅生产冷氢化工艺过程工程化的关键加热系统装置；降低成本40%，减少能耗2/3。8000小时以上无故障稳定运行加热合成反应器关键技术。
常州大学
2021-04-14
一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法
本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法， 包括以下步骤：将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到 A 溶液；将 瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到 B 溶液；在搅 拌的情况下，将 A 溶液逐渐滴加到 B 溶液，反应一段时间；静置，沉 淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为 粒子表面改性剂，在液相化学还原法下制备得到平均粒径 D50 为 1.0-3.0μm 的银粉，并兼顾
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14