浙江浙高联传感技术有限公司是一家集研发、生产、销售服务于一体的科技型中小企业；其前身是浙江高联传感技术公司，旗下拥有浙江高联信息工程有限公司：专业从事工业传感技术、测控技术、过程控制技术、机电仪器一体化、数据采集与处理、软件开发、单片机、嵌入式系统、汽车教学检测与实训类设备等学科和课程教学实验仪器与装备的生产制造；公司联合国内一流教研团队合作，不断研发拓展新产品， 目前传感器、测控产品在国内多所211,985 院校使用。公司秉承"诚信立业，以德为首、精益求精、用户至上"的企业宗旨，全心全意为教仪装备行业贡献我们的微薄之力，为广大客户提供一流的产品和周到的售后服务一直是我们永远的追求。凭借不断增强的创新能力、灵活突出的定制能力、精益求精的制造能力，让用户享有安全、实用、智能的全方位品牌服务！   2019年4月，通过资产优化管理，标新立异注册成立“浙高联“品牌运营，位于美丽的杭州--未来科技城。“浙高联”始终坚持传承与创新驱动发展的经营理念，依托浙江省内大学雄厚的技术力量，“浙高联”秉承着“研发与教学相结合，企业和学校共发展”的宗旨，聘请多所名牌高校学科带头人和资深专家共同建立研发中心，迎来了更新更高层次的发展势头。“高品质铸就品牌、广联合开拓未来”，我们“浙高联”公司能有今天，离不开全国各高等院校领导、老师的大力支持与关爱。饮水思源，我们心中十分感激。今后，我们将更加努力，以一流的产品自主创新能力和优质的服务回报社会，诚信立业，追求卓越，全心全意为中国教育装备事业的发展尽我们的绵薄之力，一直是我们永远的追求。 联系电话：0571-89080356 公司官网：www.zhegaolian.com

产品详细介绍 无线传感网实验箱ITS-WSNA8 由ARM Cortex A8 嵌入式网关、Zigbee 网络节点、无线网络协调器、通用传感控制模块、RFID 读取模块等组成，主要用于引导学生很好地掌握物联网开发要点，为物联网工程应用打下坚实的基础，并能通过不同传感器的特性，网同网络的组成形式，开发出更多实用性的物联网应用案例。 ITS-WSNA8 采用标准化设计，教学科研兼用，应用范围广泛。可在物联网工程专业、通信、嵌入式、电子信息、计算机、自动化、机电一体化等专业的教学及科研中使用。   结构特点： 1. 丰富的传感器模块：温湿度传感器模块；光照传感器模块；火焰传感器、烟雾传感器、热释电传感器、灰尘传感器、雨滴传感器、三轴加速度、三轴电子罗盘、红外测距、语音识别节点； 2. 实验箱配备12 个网络节点，可以任意组合网络拓扑结构，可完成各种真实物联网系统调试与设计工作。 3. 采用内部5v 直流供电，无需外接电源。使用方便，安全可靠。 4. 节点主板用于连接传感器与核心处理器，其模块化设计使得二者既相互联系又相互独立，若传感器或核心处理器损坏，更换非常方便。 5. 核心板采用模块化设计，可与主板分离单独使用，为用户预留广阔的创造性空间。 6. 每个传感器模块都有标准的接口与节点主板相连，更换传感器无需改变任何电路；一块主板可调试不同传感器，提高工作效率。每个传感器都可与相应执行器件配合，完成智能系统的调试与研发。 7. 嵌入式网关处理器采用ARM Cortex-A8 微处理器。网关外挂式结构便于用户使用其他微处理器完成高端嵌入式教学、产品研发等工作。 8. 网关软件包括Linux2.6 的操作系统软件，基于QT4 的嵌入式图形界面开发软件，嵌入式数据库软件和嵌入式网络服务器等多种网络应用软件，为用户做科研开办提供便利条件。 技术参数   产品特点： 1．独特的语音人机交互界面，交流更加自然简洁； 2．箱体自带电源直接供电，使用更便捷，更安全； 3．核心板采用模块化设计，预留广阔的创造性空间； 4．单片机、嵌入式、物联网一起学，科研教学一举两得； 5．独具的控制器件功能，实现物联真实情况； 6．网关可更换微处理器，完成高端教学和产品研发； 7．种类丰富的传感器，组建各种实用系统。            

Ti3C2Tx-MXene是一种新型的二维纳米材料，该材料具有良好的金属导电性、亲水性、大比表面积及丰富的表面修饰基团等优点被广泛应用在催化、电化学传感领域。

我校毛昌杰教授团队以二维过渡金属碳化物（Ti3C2Tx-MXene）为金属源合成金属有机框架纳米材料（Ti3C2Tx-PMOF），并成功将其应用于电致化学发光生物传感领域。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其 制备方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、电极层、压电纤 维层、保护层；所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜；所述压电纤维层 为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材，采用照相制版工艺制备梳状电极， 并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维，无需再对压电纤维 进行极化，使纤维整齐排列、减小纤维缺陷，能够简化纳米压电纤维 能量捕获器件制备工艺，提高能量转换效率，尤其是对弯曲运动机械 能的捕获效果。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。