光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

项目研发了一种集成位移传感功能的自传感磁流变阻尼器（DDSMRD），既能完成可控阻尼力的输出又能实现与位移呈线性比例关系的感应电压信号输出，具备阻尼力可控和相对位移动态测量的复合功能。进一步提高了车辆半主动悬架系统可靠性，并降低了系统成本。另外，由于采用双感应线圈差动缠绕，该 DDSMRD 具有抗干扰性好，感应信号强等优点。该自传感阻尼器最大输出阻尼力可达 1000N，可检测相对位移量±10mm，非常适合应用于道路车辆半主动悬架系统和座椅悬架系统的减振。

本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.

以配合物与被检测物（农残等有害物）间形成人工配体受体关系从而实现对被检测物的分子识别，同时它们具有很好的光学性能即与被测物分子间相互作用会产生特异的光谱响应，通过纳米与酶的复合物构建微芯片可建立对被检测物的“指纹图谱”，因此，可实现农药残留快速检测。检测结果具有特异性识别的“分子指纹图谱”效果。系统由微阵列芯片、微分析系统、光学信号采集、转化系统、信号的分析处理与显示系统、嵌入式系统、微控制系统及数据库的集成。该系统选择具有特异性分子识别作用的卟啉分子，构建微传感阵列，以微传感阵列与被测物分子相互

近日，国际知名学术期刊Advanced Materials以“Progress and Perspectives of Single-atom Catalystsfor Gas Sensing”为题，在线报道了我校机械与动力工程学院在单原子气体传感领域的评论性综述论文。

本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底上设有浅槽一与浅槽二，浅槽一与浅槽二通过细槽连通，浅槽二中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽二底面延至玻璃衬底底面，浅槽一上设有可测量低压差的电容Ｃ１，浅槽二上设有可测量高压差的电容Ｃ２，可测量低压差的电容Ｃ１包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容Ｃ２包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔通过细槽与可测量低压差的电容Ｃ１对应设置，浅槽通孔通过浅槽二与可测量高压差的电容Ｃ２对应设置。本发明通过可测量低压差的电容Ｃ１与可测量高压差的电容Ｃ２分别实现了压力在低压段与高压段的高精度测量。

使用超声、微波辅助水热合成的方法制备出不同相貌的ZnO、Cr ZnO、CoO ZnO等纳米复合颗粒，通过复合和掺杂改性，分别构建p-n结和形成催化活性位点，提高气敏性能。

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