产品详细介绍无液氦超导强磁场平台能够提供一个5~18特斯拉的强磁场环境，温度可以从1.6K连续变化到300K，无需液氦制冷，大大降低了运行费用，操作灵活简便。 应用领域：磁光效应，磁化率和磁特性测量霍尔效应测量和电特性测量           超导转变点和临界电流，磁性转变点和磁场中的比热测量顺磁共振和核磁共振医学方面研究工业方面的应用（高磷土等工业矿石的处理）晶体生长污水净化核磁共振成像技术  产品特点：Ø  无需液氦，运行费用低实验时不需要再消耗昂贵的液氦或者液氮就可以维持4K或更低的温度，拥有制冷剂自动循环系统，使运行费用降到最低。Ø  快速变温能力，控温准确变温样品室和超导磁体共用同一个制冷装置，温度从300K降到4K只需1个小时左右，控温精度可达25mK 。Ø  全自动操作,安全可靠系统具有多项自动保护功能，确保设备安全运转。操作简单，非专业人士也可自如操作。同时也提供了数据共享，采用其它相关软件也可以实现操作控制。Ø  功能强大的软件系统，自动控温装置低温公司开发了一套软件用来控制和检测无液氦超导系统。可实现对磁场，样品温度控制实时监控。可视化操作界面，操作起来更加方便。提供实验数据分析，也可以将数据导出用于专业软件分析。性能指标磁场范围（标准）：5~18特斯拉控温范围：1.6K~300K样品降温时间：大约1个小时从300K~4K样品室尺寸：24mm或者29.5mm系统测试选件 1、霍尔效应及电阻率测量选件主要指标：Ø  2400电流源表量程范围：1 nA to 1 A.Ø 2182数字万用表的测量范围：100nV to 10V. Ø 电阻测量范围： 108 ohm to 10-7 ohmØ 测量精度：0.01% （量程的极端测试除外）Ø 系统具有扫描功能RnX 测量选件带有8 个电接头， 最多电测量接头可达到24个，因此一次实验，最多可测量6个样品。最大样品尺寸 10mm 直径DC电阻测量量程 10-7 to 108 OhmsDC电压量程 1V to 1mV电阻测量精度 < 0.1%  1-106 ohmAC 电阻测量频率，使 Stanford PSD 电桥法 1Hz to 100kHz 2、AC磁化率测量选件   在变温样品室内装上带线圈的特殊探杆，来产生AC磁场和监测样品的反应。样品室的直径为5mm，样品可手动的从上安装在线圈的中心，在测试探杆上装有Cenox传感器，用来检测样品的温度，AC磁场频率范围宽，磁场的监测器采用的是PAR高灵敏度相位探测器。主要技术指标如下：AC磁场最大值 10Hz时为100G1kHz灵敏度 4K时为10-8emu有效频率范围 0.1Hz到10kHz最大样品尺寸 5mm直径探杆外径尺寸 24mm温度范围 1.6K-300K 3、振动样品磁强计（VSM）选件特殊的带有线圈的测试探杆与低温装置外部的样品驱动的机械装置配合使用，便形成了测量材料DC磁特性的振动样品磁强计选件。VSM的样品驱动机械装置是由Cryogenic公司开发研制的，样品在测试线圈中的最大运动距离为10mm，可测试的最大样品尺寸为5mm，线圈探测器采集的信号直接由高灵敏度的PAR锁相放大器进行处理。 技术规格样品尺寸 最大为5mm直径的球体样品的移动 10mm （peak to peak）VSM的振动幅度 0到10mm（peak to peak）频率范围 10—100Hz通常操作频率 20Hz背景噪音 10-6emu精确度及重复性 0.5%温度范围 1.6  1.6K到300K4、比热测试选件  比热测试选件采用氮化硅薄膜上的带温度计和加热器的微型热量计对毫克级的样品进行比热测试。热量计工作在低压的交换气体中，封闭在锥形密封的腔体中。样品通过真空润滑脂直接粘到热量计的芯片上。AC热量测试法是可行的热量测试方法，加上生产传感器用的氮化硅薄膜技术，AC测试方法具有非常卓越的灵敏度，而且操作非常简单。5、热传导测试选件 Cryogenic公司采用锁相技术来进行热电功率和热传导的测试，测试探杆可根据用户样品的具体测试需要来进行定做。 热电功率的测试技术指标热电系数：+/-цV/ K温度范围：3到300K 系统扩展选件 1、 He3和稀释制冷机选件He3选件可以提供低至0.3K的样品温度。稀释制冷机选件可以提供低至0.01K的样品温度。2、 电阻测量选件的高温炉装置温度范围:300K到1000K3、 振动样品磁强计高温炉装置温度范围：300K到1000K4、 样品旋转平台一维、二维及三维样品旋转平台，可以使样品可在与磁场垂直的方向上进行分辨率为0.2度的旋转。5、 光学窗口系统还可以根据用户需要加上光学窗口，用作低温强磁场下的光学实验平台。 

双擎变频：两套完全独立制冷系统，确保安全可靠。 智能变频：压缩机运行功率自动实时调整平时超静低功率运行，开门取放样品时大功率运行，快速降温； 急速降温：内外门开启1分钟降温至-75℃仅需25分钟关门降温耗时短，支持频繁开门，样品安全更有保障

 

北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。

受国家自然科学基金资助，自1990年开展该研究工作，已形成专利产品——红外热成像装置。济南钢铁集团总公司和北京科技大学于1999年6月签定了本项目的技术开发合同书，共同开发这一具有明显技术经济效益的新型烧结工况信息获取与智能化处理系统。该项目已于2000年12月通过验收。 系统所涉及的主要技术包括：红外热成像、红外测温、图象抓取与处理、图象分割、特征变量的提取和选择，适应于烧结矿红外图像的滤波方法、以及烧结矿FeO含量和转鼓指数在线推断的数学建模，其中红外热成像技术及测温技术为国家专利技术。 系统采用近红外成像技术，可以采集高温工业窑炉的工况图像，通过计算机图像采集转换成数字图像，在获得模拟和数字图像的同时，可通过视频缆和网络进行图像的传输，并可根据应用厂家的需求，任意或同时测取点、线、面的温度。在此基础上可根据厂家的要求，进行烧结矿的在线质量推断。 该系统由两部分组成： 红外热成像装置：提供清晰的工况图像。红外热成像计算机视觉检测及信息处理系统：红外热成像装置与计算机连接后，通过图像采集获得生产工况的数字图像，经处理构成红外热成像计算机视觉检测和信息处理系统

（专利号：ZL 201410109134.7） 简介：本发明公开了一种烧结过程的脱硫剂加入装置及在线脱硫系统，属于脱硫技术领域。本发明中的在线脱硫系统包括烧结台车、脱硫剂加入装置，脱硫剂加入装置包括脱硫剂料仓、脱硫剂给料机和脱硫剂导料机构，脱硫剂料仓的出口与脱硫剂给料机的进料口相连，脱硫剂给料机的出料口与脱硫剂导料机构的进料端相连，该脱硫剂导料机构的出料端延伸至烧结台车的混合料层中，脱硫剂导料机构的出料端用于排出脱硫剂；脱硫剂导料机构的出料端与烧结台车底部的距离为烧结料层总高度的1/8‑1/4。本发明使得脱硫剂呈层状结构铺加在混合料层中，脱硫剂的布料精度高且均匀稳定，且能够最大限度地提高烧结过程的脱硫效率，对烧结矿的质量几乎无影响。  

研发阶段/n原位热压烧结工艺制备致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ复合材料　　本发明是原位热压烧结工艺合成致密ＺｒＯ２／Ｔｉ２ＡｌＮ复合块体材料。原料组成及成分范围为：以Ｔｉ粉、Ａｌ粉、ＴｉＮ粉的摩尔比为ｎ（Ｔｉ）∶ｎ（Ａｌ）∶ｎ（ＴｉＮ）＝１∶（０．８～１．４）∶１，ＺｒＯ２粉的掺入量为５～４０ｖｏｌ％。本材料由原位热压烧结工艺制成，其步骤包括：按配比称取原料，原料混合均匀后，置于石墨模具中，在热压烧结系统中的真空环境下进行烧结，真空度为１０－２Ｐａ；升温速度为５～８０℃／ｍｉｎ，烧结温度为１２００～１４

本发明涉及一种利用放电等离子烧结技术制备铝酸三钙的方法，以分析纯碳酸钙 CaCO3 和分析纯 γ 相氧化铝 γ-Al2O3 为原料，球磨后在真空度为(30-50)Pa、脉冲比(ON/OFF)为(6/1-48/8)和轴向压力为 (1-3)kN 的条件下，控制放电等离子烧结炉的升温速率和降温速率，当样品温度降至(60-90)°C时取出磨 细成尺寸小于 20μm 的颗粒，即得到铝酸三钙。本方法简单方便，合成

本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该

本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该