本发明涉及一种热管植入式智能换热墙体，包括低能耗建筑物的墙体，其特征是：所述低能耗建筑物墙体的内或外保温层表面分别设有内表面换热管和外表面换热管，所述外表面换热管通过连接管与内表面换热管相连，所述换热管内置有工质。有益效果：针对低能耗建筑的特性，在墙体的内外表面安装换热管，墙体内外表面换热管之间通过在墙体内的连接管连接，依靠热管内工质相变吸热和放热的特性，利用热管内工质自然重力循环实现室内与室外环境的热交换。将可再生能源与低能耗建筑有机地结合，形成新型的节能、舒适、环保的热环境系统。

世界范围内裂缝性油藏所提供的原油储量占总储量的20％以上，对于这类油藏，传统的衰竭式开采过后，基岩中将残余大量的原油；水驱可以降低部分残余油量，但油井见水快、含水率上升快，发生水窜或暴性水淹现象；如果储层为油湿或中性润湿，水驱将绕过基质岩块而只采出裂缝中的原油。注气是一种有效的提高原油采收率的方法，将其应用于裂缝性油藏，不仅可以维持地层压力，还可以提高驱油效率。 石油热采注气装置利用液体燃料喷射燃烧原理，结合过程装备成套技术，集燃烧、机电控制与一体，产生一定压力、温度的混合气体注入油井。该装置主要有气体发生器、高压空气系统、油水供给系统、全自动电脑监控系统等组成。调节注气温度在250℃～350℃范围内，最大注气压力为25MPa。

将热重分析 TG 与差热分析 DTA 或差示扫描量热 DSC 结合为一体，在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。综合热分析仪应用于大多数材料领域，包括塑料、橡胶、合成树脂、纤维、涂料、油脂陶瓷、水泥、玻璃、耐火材料、燃料、医药、食品、耐火材料等。炉体自动升降可控、定位准确，提高了测量的重复性。热流式DSC数据采集方式，绘制出能量与温度的曲线。HQT-2、HQT-3、HQT-4可分别在1250度或1550度恒温72小时。温度范围：HQT-1：室温-1150℃、HQT-2：室温-1250℃、HQT-3：室温-1450℃、HQT-4：室温-1550℃。

平板太阳能集热器是让阳光透过盖板照射在表面涂有高太阳能吸收率涂层的吸热板上，吸热板吸收太阳能辐射能量后温度升高，将热量传递给集热器内介质，使介质温度升高，作为热载体输出有用能量。

用于制备各向异性热变形稀土永磁体的真空感应热压热变形装置，包括支撑体、炉体、施压系统和加热系统，所述施压系统包括上压头、下压头和液压驱动组件，所述加热系统包括感应线圈及与感应线圈连接的感应加热电源，所述炉体为夹层水冷结构，炉体外壁设有冷却水进口和冷却水出口，炉门上设有观察窗。炉体安装在支撑体的底座上，下压头位于炉体内腔并固定在炉体底部用于放置模具，上压头位于炉体内腔，其上端与伸入炉体内腔的液压驱动组件中的压杆连接并位于下压头的上方，所述压杆、上压头和下压头的中心线重合，感应线圈位于炉体内腔并安装在与模具的放置位置相适应处。该装置能缩短磁体的冷却时间，保证大尺寸磁体的磁性能和提高生产效率。

本发明公开了一种粗糙粘结界面粗糙度的临界值计算方法，包含步骤如下：(1)将一种材料的粘结界面处理平整光滑，然后制作两种材料粘结在一起的轴向受拉试件；(2)测定平整光滑界面状态下两种材料粘结界面的轴向抗拉强度σj；(3)测量两种粘结材料的轴向抗拉强度σ1和σ2，选择两种材料中轴向抗拉强度最小者作为临界值σmin；(4)确定粗糙粘结界面局部凸凹部分的平均间距d；(5)建立粗糙界面的粘结强度σj,c与σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的间距平均值d的关系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度临界值hmin；(7)如果实测值h大于hmin，则不会发生粗糙粘结界面剥离破坏，如果实测值h小于hmin，则会发生粗糙粘结界面剥离破坏。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

（专利号：ZL 201510665213.0） 简介：本发明公开了一种铁铝合金制成的螺旋状高效低阻滤芯，属于除尘器的滤芯设计领域。该滤芯由铁铝合金滤料制成，并弯曲成螺旋状，滤芯本体由金属格网支撑。滤芯主要由滤芯本体、排风管、脉冲反吹联动装置、顶盖和阀门等装置组成，滤芯本体为圆柱状螺旋式结构，螺旋式滤芯本体孔径从内到外呈等差数列减小。在实际运行中，烟气经滤芯逐层过滤后，大部分粉尘被阻留在滤芯外面，净化后的气体进入里层滤芯逐层过滤，最终再通过排烟管排入下道工序。本发明解决了目前市场上除尘器除尘效率低、抗高温、抗硫化性能弱的核心问题。

中国科学技术大学李晓光团队在前期研究基础上，基于铁电隧道结量子隧穿效应，实现了具有亚纳秒信息写入速度的超快原型存储器，并可用于构建存算一体人工神经网络，该成果在线发表《自然通讯》杂志上。研究人员制备了高质量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结，其中铁电势垒层厚为6个单胞（约2.4nm）。基于隧道结能带的设计，以及其对阻变速度、开关比、操作电压的调控，该原型存储器信息写入速度快至600ps（注：机械硬盘的速度约为1ms, 固态硬盘的约为1-10ms）、开关比达2个数量级，且其600ps的阻变速度在85℃时依然稳定（工业测试标准）；写入电流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存储器低约3个量级；一个存储单元具有32个非易失阻态；写入的信息预计可在室温稳定保持约100年；可重复擦写次数达108-109次，远超商用闪存寿命（约105次）。即使在极端高温（225℃）环境下仍能进行信息的写入，可实现高温紧急情况备用。

本发明公开了一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置，包 括忆阻器控制电路、方波振荡电路、超宽带脉冲产生电路和倍压电路； 方波振荡电路的输入端连接忆阻器控制电路，倍压电路的输入端连接 至方波振荡电路的第一输出端，脉冲产生电路的第一输入端连接至倍 压电路的输出端，第二输入端连接至方波振荡电路的第二输出端。忆 阻器控制电路包括三极管，方波振荡电路包括 TTL 门电路、忆阻器、 射极放大电路，超宽带脉冲产生电路包括反相器、R