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一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法， 电路包括编码电路和检索电路；编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中，通过擦除信号对已存信息进行 擦除，并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号；检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为；本发明可以根据施加的相关脉冲操作，模拟生物的情景记忆行为。 完成人：缪向水、许磊、李祎、段念
华中科技大学
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的可编程模拟电路及其操作方法， 可编程模拟电路包括：阻变元件、第一电阻、第二电阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一电阻的一端作为可编程模拟电路的第一端口，阻 变元件的一端与第一电阻的另一端连接，阻变元件的另一端作为可编 程模拟电路的第二端口；N 型 MOS 管的漏极和 P 型 MOS 管的漏极均 连接至阻变元件的另一端，N 型 MOS 管的源极和 P 型 MOS 管的源极 均
华中科技大学
2021-04-14
关于全氧化物界面Rashba二维电子气中自旋和电荷转换的研究
使用自旋泵浦技术将自旋流从坡莫合金（Py）磁性电极穿过厚达40uc的LAO绝缘层注入到二维电子气中，并进行逆Edelstein效应的测量。工作系统地测量了逆Edelstein效应随频率、功率、温度和LAO厚度的变化关系，从各个方面证实了所观察到的信号。实验在室温下展现了门电压对自旋信号的调控作用。
北京大学
2021-04-11
直接界面法制备三维多级表面形貌多孔磷酸钙纳米陶瓷的方法
本发明涉及一种直接界面法制备三维多级表面形貌多孔磷酸钙纳米陶瓷的方法，使用甲醇、水溶性钙盐、挥发性碳铵盐、表面活性剂PVP和明胶等、磷酸氢二铵和磷酸氢二钾等为原料采用界面法在聚氨酯泡沫支架上形成碳酸钙多孔坯体，然后通过130℃或以上水热处理及600-1000℃下高温处理，即可得到具有三维多级表面形貌的多孔纳米磷酸钙陶瓷。所得到的最终制品平均孔径可控制在50μm到1000μm之间，平均晶粒尺寸在200nm到1μm之间。孔呈三维贯通的海棉形态，孔壁的横截面呈三角形。
西南交通大学
2016-10-20
利用超低热导率和对载流子浓度的调制效应在碲化铅-硫化铅赝二相中实现优异的热电性能
在碲化铅-硫化铅的赝二相体系中，由于硫化铅在碲化铅中的固溶度有限，随着硫化铅组分含量的增加，会发生从纳米析出到旋节分解等一系列的相分离过程，从而在材料中形成了包含原子尺度的点缺陷、纳米尺度的相界面以及介观的晶/相界面等的全尺度分层结构。该结构可以实现对全波谱声子的有效散射，因而实现超低的晶格热导率。在该工作中，何佳清课题组不仅在实验上实现了对该全尺度分层结构的优化，而且利用球差透射电镜技术对其微观结构进行了深入而细致的表征，并进一步在理论上为分层结构的最 优化给予了有力的论证。此外，针对材料在高温的电学性能的饱和效应，何佳清课题组做出了另辟蹊径但又非常合理的解释，认为被局限在晶界或者相界面的Na离 子在高温(>600K)时发生向母体材料的扩散和重新固溶，从而引起针对载流子浓度的调制效应，有力的保证了PbTe-PbS赝二相在高温区的整体热电性能。 该工作是在何佳清课题组前期工作(Nature communications, 2014, 5, 4515)上的又一进步，再次验证了碲化铅-硫化铅体系作为块体热电材料具有广泛的应用前景。
南方科技大学
2021-04-13