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【光明网】高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作新闻发布会在京召开
中国高等教育学会把服务高校设备更新改造及数字化建设列为重点工作,并纳入高博会重要项目。
云上高博会 2023-01-12
南京师范大学化科院在二氧化碳转化与利用研究领域取得重要进展
论文在MOF基晶态材料作为光催化剂实现CO2到CO的光催化定向转化的基础上,选择了兼容的反应体系和反应装置,建立了光催化还原CO2反应和羰基化反应的串联催化反应体系。
南京师范大学 2022-06-14
氧化石墨烯/酞菁纳米棒复合杂化材料用于可见光催化剂还原六价铬
六价铬对人体具有慢性毒害,可以通过消化道、呼吸道、皮肤和粘膜侵入人体,主要积聚在人体内的肝、肾和内分泌腺中。六价铬有强氧化作用,所以慢性中毒往往以局部损害开始,逐渐发展到不可救药。通过光催化可实现六价铬还原为无毒害的三价铬。现有光催化剂多数只能利用紫外光区域,催化性能较低。酞菁在可见光区域具有良好吸收效果,通过利用八甲基取代的酞菁铜纳米棒与氧化石墨烯制备复合材料,可以有效提高光催化剂的光谱吸收范围,实现太阳能的充分利用,同时加快电荷传输,实现在水溶液中高效还原六价铬,在日常太阳光照下两小时内降解97%的水中的六价铬。
南方科技大学 2021-04-13
关于高校设备更新改造及数字化建设解决方案供应商名录(第二批)的公示
公示期2024年1月8日至2024年1月12日。
中国高等教育博览会 2024-01-08
化科在线 FM1KG-F1砝码 1kg 2kg 5kg 10kg 20kg
产品详细介绍 货号 质量 kg 精度 单位 价格 FM1KG-F1 1 F1 只 ¥689.00 FM1KG-F2 1 F2 只 ¥632.00 FM1KG-M1 1 M1 只 ¥537.00 货号 质量 kg 精度 单位 价格 FM2KG-F1 2 F1 只 ¥812.50 FM2KG-F2 2 F2 只 ¥755.50 FM2KG-M1 2 M1 只 ¥632.00 货号 质量 kg 精度 单位 价格 FM5KG-F1 5 F1 只 ¥1335.00 FM5KG-F2 5 F2 只 ¥955.00 FM5KG-M1 5 M1 只 ¥860.00 货号 质量 kg 精度 单位 价格 FM10KG-F1 10 F1 只 ¥2385.00 FM10KG-F2 10 F2 只 ¥2005.00 FM10KG-M1 10 M1 只 ¥1920.00 货号 质量 kg 精度 单位 价格 FM20KG-F1 20 F1 只 ¥2955.00 FM20KG-F2 20 F2 只 ¥2980.00 FM20KG-M1 20 M1 只 ¥2690.00  
上海化科实验器材有限公司 2021-08-23
中国海洋大学集成电路多功能实验基础平台、电子学院教学终端等设备采购项目公开招标公告
中国海洋大学集成电路多功能实验基础平台、电子学院教学终端等设备采购项目招标项目的潜在投标人应在青岛市市北区敦化路138号甲西王大厦24楼23A01室或者邮件报名获取招标文件,并于2022年06月23日14点00分(北京时间)前递交投标文件。
中国海洋大学 2022-06-01
中国高等教育学会关于召开第五届高校教师教学发展与创新人才培养论坛的通知
为深入贯彻党的二十大精神,加快实施科教兴国战略、人才强国战略和创新驱动发展战略,全面落实立德树人根本任务,推动新时代高校教师队伍建设和创新人才培养质量提升,经研究,中国高等教育学会决定举办第五届高校教师教学发展与创新人才培养论坛。
中国高等教育学会 2023-03-21
2019年“双百计划”典型案例:北京航空航天大学新工科背景下信息类专业产学合作协同育人平台建设的探索与实践
从校企双方的切实需要出发,项目从论证策划到实践落地全过程,深挖双方人才培养相关痛点问题,促进产学双方全要素融合互补:高校将教学和企业实践有机结合,贯穿学生培养全过程,提升教育对产业需求的适应能力;企业通过深度参与人才全过程培养,解决优质人才紧缺问题,实现以产带教、以教促产的发展目标。
中国高等教育博览会 2021-12-16
【中国青年网】高博会服务高校设备更新改造及数字化建设专项工作新闻发布会召开
中国高等教育学会把服务高校设备更新改造及数字化建设列为重点工作,并纳入高博会重要项目。
云上高博会 2023-01-12
在大面积单层二硒化铌晶体中观测到伊辛超导和量子格里菲思奇异性的共存
伊辛超导是指超导库珀对的自旋被有效的塞曼磁场固定住,由此表现出极强的的面内临界磁场(远超其泡利顺磁极限)。通过分子束外延法在双层石墨烯终止的6H-SiC(0001)衬底上成功制备出大面积(毫米以上)原子级平整的高质量单层过渡族金属硫化物NbSe2薄膜(仅0.6 nm厚),在此基础上对其覆盖非晶态Se保护层,进而对非原位的电输运物性展开了系统研究。研究发现:单层NbSe2薄膜表现出超过6 K的起始超导临界转变温度和高达2.40 K的零电阻温度,超过了早期机械剥离获得的单层NbSe2以及分子束外延生长的单层NbSe2的超导转变温度。同时,强磁场和极低温下的输运测量结果直接证实了平行特征临界场Bc//(T = 0)是顺磁极限场的5倍以上,符合Zeeman保护的伊辛超导机制(前期NbSe2薄片中的伊辛超导证据需要实验数据的理论拟合在更低温更高磁场下的外推)。此外,极低温垂直磁场下的电输运测量表明,单层NbSe2薄膜在接近绝对零度时的量子临界点表现出量子格里菲斯奇异性。
北京大学 2021-04-11
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