产品详细介绍

近年来，磁振子电子学在信息计算和信息传输领域表现出了极具价值的应用潜力。磁振子电子学利用以磁振子为载体的电子自旋进动来实现信息处理，有望实现无热量产生、低耗散的信息传输，相比于传统意义上通过操纵电荷来实现信息的处理的微电子学具有无可比拟的巨大优势。磁振子电子学领域的进展很大程度上依赖于能够有效传输磁振子的新材料的发现，而获得长距离的磁振子输运始终是磁振子电子学研究的重中之重。与通常的三维磁性绝缘体（如Yttrium Iron Garnet）相比，二维尺度下的磁振子被理论预言有很多的新颖物理效应，例如自旋能斯特效应，拓扑磁振子，以及外尔磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科学中心韩伟课题组在二维磁性体系中展开工作并取得了重要进展，观测到了二维反铁磁体系中磁振子的长距离输运。MnPS3晶体是一种层状反铁磁材料，利用机械剥离手段得到了二维的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制备了用于测量磁振子输运的非局域器件，器件结构如图A所示。器件左侧Pt电极通过热方法来注入磁振子，右侧Pt电极探测在二维MnPS3中扩散传输的磁振子。在二维反铁磁MnPS3中，实验上观测到了几微米的磁振子扩散长度。并且从图B中可以看出，随着注入端和探测端距离的增加，探测到的非局域信号表现出e指数衰减的形式，跟一维漂移扩散模型的理论模型一致。在此基础上，他们还系统研究了MnPS3厚度对磁振子弛豫性质的影响。随着MnPS3厚度从40nm降低至8nm，磁振子弛豫长度由4μm减小到1μm（图C），这可能是由较薄的MnPS3中较强的表面杂质散射效应导致的。 该文章中的结果具有重要的学术价值：二维材料中的磁振子输运实现为二维磁性材料在磁振子电子学的应用与发展奠定了基础，也有望推动磁振子在量子尺度下的新颖量子物理性质研究。图：二维反铁磁体系中磁振子输运研究。（A）二维反铁磁MnPS3中的磁振子输运测量结构示意图。（B）自旋信号R_NL^*随电极间距的依赖关系，与理论预言的e指数衰减吻合。（C）磁振子弛豫长度随MnPS3厚度的依赖关系。 该工作于2019年2月7日在线发表于物理学术期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。该工作由韩伟研究员设计和指导完成，北京大学量子材料科学中心2015级博士生邢文宇为文章第一作者，物理学院2015级本科生邱露颐为第二作者（今年9月份将去哈佛大学读博士），韩伟研究员为文章通讯作者。本工作的顺利完成得到了量子材料科学中心贾爽教授和谢心澄院士的合作帮助，以及国家重大科学研究计划、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项的支持。

本发明涉及半导体复合材料的制备，旨在提供一种球状微米二氧化锡负载微米、纳米银颗粒材料的制备方法。包括：将质量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中进行水热反应，反应产物离心分离，并以去离子水和乙醇洗涤，烘干，即得到球状微米二氧化锡；将球状微米二氧化锡加入至AgNO3水溶液中，以银材质的阴极和阳极插入至混合物中进行电镀；电镀时，倾斜电镀容器并使其沿中心轴旋转，让混合物保持搅动状态；混合物抽滤弃滤液，抽滤产物烘干，即得到最终产物。本发明采用电镀技术提高球状微米二氧化锡的功能性质并且扩大其应用范围；该复合材料中，微米、纳米银颗粒均匀地负载于球状微米二氧化锡上，银颗粒的粒径可控，分散度高，能够节约材料，可应用于电接触材料领域。

通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计，在实现闪存的非易失性存储特性；通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计，利用二维半导体材料的原子级薄层特性，显著增强最大横向电场从而提升电荷的注入效率，实现存储器中电荷的超注入机制，进而实现闪存的亚纳秒编程。本发明存储器在维持十年数据保持能力的同时，大幅提升了电荷注入效率，将编程速度提升至亚纳秒，为解决电荷存储领域超快编程和长保持时间无法共存的重大挑战提供新的解决方案。

本发明公开了一种吩噻嗪基二维共价有机框架材料及其制备方法和应用。所述二维共价有机框架材料具有如下式(I)或式(II)所示的结构：本发明的二维共价有机框架材料具有高的结晶性和比表面积，孔径分布均一并且热稳定性良好，同时还有着良好的光敏基团、适合的光学带隙，在光催化氧化偶联方向有着良好的应用。

本发明公开了一种脱硫用伽玛型三氧化二铝膜改性污泥活性炭,其原料组分为ALCL3·6H2O和污水处理厂污泥;制备步骤如下:①制备AL(OH)3溶胶;②制备污泥活性炭;③制备伽玛型三氧化二铝膜改性污泥活性炭。本发明应用于对低浓度的烟气脱硫,有益效果是,首次将伽玛型三氧化二铝膜用于改性污泥活性炭的脱硫性能,有效提高了污泥活性炭的脱硫效率。

本设备适用于高等院校及要求较高的中专、技校、职业学校，可完成电工学、电工原理、电路分析、模拟电子技术、教字电路,电气控制设备等课程实验。该设备是现有实验室设备的更新换代或新建、扩建实验室的理想产品,它的配备是学校上水平、上等级的重要标志。   一、用途、特点:  　　目前，国内各类学校电工、模拟、数字电路、电气控制实验大多是分体的，也有部分学校根据教学要求自制各种形式的实验设备，由于工量少，受自身加工能力的限制，加工工艺粗糙，功能不全，满足不了实验要求，也容易发生人身及设备事故，且实验元器件繁多难购置、难以管理，很难开出实验大纲规定的实验。基此，我厂吸取德国及国内同类产品的优点，结合我国高教，职教教学大纲要求而研制本系列产品。 　　实验台具有较完善的安全保护措施，较齐全的功能。实验操作桌中央配有通用电路插扳，电路插板注塑而成，表面均布有九孔成一组相互联通的插孔，元件盒在其上任意拼插成实验电路；元件盒盒体透明，直观性好，盒盖印有永不褪色元件符号，线条清晰美观。盒体与盒盖采用较科学的压卡式结构，维修、更换元件拆装方便。元器件放置在实验操作桌下边左右柜内，实验时取存方便，大大提高了管理水平，规划化程度，大大减轻了教师实验准备工作。 　 二、结构与配备 1、实验台桌:见彩图，一台二座，台桌外形尺寸:160X70X8Ocm。台桌中央配置通用电路板。每张台桌配一粒胶皮板，以保护通用电路板及桌面(如需要在其上放置电机、焊接等)。台桌下都是元件储存柜，放置元器件。 2、实验台:共12台，每张学生实验操作桌上配置l台 3、示教台:1台示教台，分别控制12台学生的电源，通用电路板演示屏立在实验台上，尺寸150X7Ocm，用于讲解、演示。 4、器材配备: 39只指针式1.5级直流电流表、13只MF500万用表，13只数字万用表.25套电烙铁和烙铁架、13套剥线钳、尖嘴钳、螺丝刀等工具，13套实验所需的电阻.电位器.电感、电容.集成电路.变压器.条形磁铁.逻辑电平开关、逻辑电平显示 .91只集成座等元件单元盒(元件已装在单元盒内)，25张塑料凳。 5·用户自备器材:双踪示波器(型号不限)，功率表、滑线变阻器、毫伏表 三、实验项目:   实验内容1、模拟部分实验 1·二极管的正、反相特性　　　　 2·晶体三极管的输入、输出特性　 3·晶体管共射极单管放大器　　　 4·两级阻客搞合放大电路　　　　 5·负反馈对放大器性能的影响　　 6·场效应管放大器　　　　　　　 7·差动放大电路　　　　　　　　 8·运算放大器指标测试　　　　　 9·集成运算放大器的基本应用(多种模拟运算电路)　 10·集成运算放大器非线性应用（多种波形发生器）　 11· 变压器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·单相桥式整流电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·集成直流穗压电源 17·单结晶体管特性 18·单结晶体管触发电路 19·晶闸管简单测试 20·晶闸管可控整流电路 利用上述20项实验元器件还可完成下面实验项目 l·电压负反馈偏置电路　　　　　　 2·分压式电流负反债偏置电路　　　 3·用二极管穗定工作点　　　　　　 4·共基极放大电路　　　　　　　  5·共集电极放大电路　　　　　　  6·共源极基本放大电路  7·场效应管共漏极电路 8·场效应管共栅极电路 9·单管阻客放大电路 10·变压器耦合放大电路 11·甲类功率放大电路 12·串联电流负反馈电路 13·串联电压负反馈电路 14·并联电压负反馈电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·共基共射极放大电路 17·自举射极输出电路  18·NPN一PNP直接耦合放大电路 19·用负反馈消除自激根箔 20·晶体管开关作用 21·变压器反馈式振荡电路 22·电容三点式振荡电路 23·电感三点式振荡电路 24·差动放大电路的基本形式 25·长尾式差动放大电路 26·双电源长尾式差动放大电路 27·运放用作交流比例放大 28·反相输入保护措施 29·同相输入保护措施 30·电源极性错接的保护 31·RC高通电路 32·利用三极管来保护器件 33·差动输入运算电路 34·快速积分电路 35·模拟一阶微分方程电路 36·模拟二阶微分方程电路 37·基本对数运算电路 38·实用微分电路 39·反对数放大基本电路 40·简单的过零比较电路   41·利用二级管作为上限检测幅度选择电路 42·下限幅度选择电路 43·RC无源网络的低通滤波电路 44·同相输入一阶低通滤波电路 45·反相输入一阶低通滤波电路 46·简单的二阶RC滤波电路 47·典型二阶RC有源低通滤波电路 48.典型二阶高通有源滤波电路 49·基本带通滤波电路 50·典型带通滤波电路 51·矩型波振荡电路 52·宽度可调的矩形波发生器 53·幅频可调的锯齿波发生器 54·单相半波整流电路 55·单相全波整流电路 56·电容滤波电路 57·电容滤波带电阻负载 58·RC滤波电路 59·基本LC滤波电路 60·二倍压整流电路 61·三倍压整流电路 62·基本稳压电路 63．基本调整管稳压电路 64·具有放大环节的稳压电路 65·单相半波可控硅整流 66·电子调压电路 67·电子催眠器一一趣味性实验一 68·电子门铃电路一一趣味性实验二 69·电子报警电路一一趣味性实验三 15·并联电流负反馈电路 2、数字部分实验 l·TTL集成迈林门的参数测试 2．CMOS逻辑门的参数测试 3．TTL集成电极开路门与三态输出门的应用 4·与、非·或、与非门电路实验 5·半加器电路实验 6·全加器电路实验 7．RS触发器实验 8．D触发器实验 9．JK触发器实验 IO·T触发器实验 11．JK型触发器转换成D触发器 12·D型触发器转换成JK触发器 l3。计数器实验 14·MSI移位寄存器及其应用 15·译码器及其变换方式 16·MSI数据选择器及逻辑设计 17·微分型单稳态电路  18·环形多谐振薄器  19·利用门电路构成编码器，分配器、选择器 20·组合电路的设计之一一一编码转换  21．组合电路的设计之二一一显示电路 22·同步时序电路的设计 23·计算机时序电路的设计 24·集成定时器测试及应用 25·CMOS集成A/D、D/A转换电路实验 26·二极管非门·或非门电路 27·三极管非门、与非门、或非门电路 28·异步十进制减法计数器 29·异步十进制加法计数器 30·综合能力培训实验一一电子秒表