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在基于纳米石墨烯的高性能单原子电催化剂、C60衍生物高效储锂、CSPbBr3量子点铁电性质
南方科技大学材料科学与工程系讲席教授王湘麟课题组在基于纳米石墨烯的高性能单原子电催化剂、C60衍生物高效储锂、CSPbBr3量子点铁电性质研究等取得重要进展。相关论文发表于Nano Energy(IF：15.548)；ACS nano (IF：13.903)；《美国化学会志》（Journal of the American Chemical Society，IF：14.695)。发展高效稳定的非铂基电催化剂对质子交换膜电池等清洁能源转换装置的大规模应用具有关键作用。王湘麟团队基于结构明确的纳米石墨烯，合成了单原子铁-氮-碳氧还原催化剂，其催化活性接近商业Pt/C，并具有高循环稳定性。我校物理系副教授徐虎和物理系博士后黄祥构建了理论计算模型并模拟电催化反应过程。在锂电池电极材料方面，王湘麟团队与台湾大学高分子科学与工程研究所教授王立義(Wang Leeyih)团队合作，基于C60衍生物开发高性能的储锂材料，研究论文发表于ACS Nano。王湘麟团队与吉林大学化学学院袁宏明教授合作，首次发现全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3量子点具有出色的铁电性，研究论文发表于《美国化学会志》。
南方科技大学
2021-04-11
一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学
2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法，该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套，其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶，然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅，通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来；将制作好的多段光栅套在金属管中，并 用密封套密封，该金属管壁铺满吸热材料，将剥离出的内包层光吸收， 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同
华中科技大学
2021-04-14
一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方法
本发明公开了一种用于光纤激光器的包层光剥离器及其制作方 法，该剥离器包括包层光纤、多段光栅和冷却管套，其制作方法是在 裸露的光纤内包层外表面上涂覆折射率大于或等于内包层折射率的紫 外光刻胶，然后在紫外光刻胶上刻蚀多段光栅，通过多段光栅的衍射 将内包层内残余光剥离出来；将制作好的多段光栅套在金属管中，并 用密封套密封，该金属管壁铺满吸热材料，将剥离出的内包层光吸收， 通入流通的冷却水将产生的热量带走。本发明通过采用不同结构的光 栅来调整包层光的透过率,达到高效均匀剥离的目的，避免剥离器出现 过热点，保
华中科技大学
2021-04-14
一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺
本发明公开了一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺， 包括以下步骤：在加速器支架上分别安装高压电源和加速器主体，通 过连接钢筒连接高压电源和加速器主体；高压电源的安装工艺依次包 括电源底座的安装、下磁轭的安装、过渡盘与第一层高压底盘的预安 装、六层高压底盘的预安装、第一层高压底盘的安装、余下各层高压 底盘的安装和上磁轭的安装。按照本发明安装工艺安装绝缘芯变压器型电子辐照加速器，其安装精度高，工作效率高，合格率高，保证了 安装质量，节约了人力、物力和财力。
华中科技大学
2021-04-14
用于双旋转补偿器椭偏仪的菲涅尔棱镜相位延迟器
本发明公开了一种菲涅尔棱镜相位延迟器，其由两斜方棱镜各以其一端的倾斜底面相互贴合形成对称结构而构成，通过选择相应折射率的棱镜材料以及确定斜方棱镜斜角，入射光束经其中一个斜方棱镜另一端的倾斜底面垂直入射到该斜方棱镜，经其相对的两侧面依次进行两次全反射后通过两斜方棱镜的贴合面入射到另一斜方棱镜，并同样经该斜方棱镜的相对的两侧面依次进行两次全反射后出射，即可得到该双旋转补偿器穆勒矩阵椭偏仪所需求的相位延迟量。该相位延迟器能够在包括紫外、可见以及红外的波段内实现良好的消色差性能，并且对光束入射角不敏感，同时
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
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深圳市天雁电子有限公司
2021-08-23
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深圳市天雁电子有限公司
2021-08-23