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太阳能的应用材料
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
太阳能的应用材料
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
太阳能电池演示器
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
太阳能的利用无小车
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
朗能LED格栅系列黑板灯
灯具采用整体式铝合金结构设计，造型简洁、易于安装； 灯罩采用优质pc扩散材料,有效减少嫁光； 釆用优质高效的隔离恒流驱动，高p无频闪； 密封式设计、防尘、防蚊虫；技术性能指标符合国家强制认证标准；
广东朗能电器有限公司
2021-08-23
多用电表（万能电表）
产品详细介绍多用电表（万能电表）
芜湖县易太教育设备有限公司
2021-08-23
体适能机M-8810
软性握把，多重把位
专业的软性握把，具有良好的舒适性，提升用户运动中的安全指数。
多重把手带动上肢运动达到全身运动。
11.6 超大LED显示屏
用户可通过触摸选择不同等级阻力和锻炼模式，操作更加直观、反应灵敏。
阻力系统：20 种阻力级别
踏步行程：250mm
跨步行程：700mm
整机尺寸：1535×920×1595（mm）
包装尺寸：1660×990×1580（mm）
净重/毛重：188/244kg
最大承重：150kg
山东迈宝赫健身器材有限公司
2021-08-31
电子万能试验机
产品详细介绍 产品名称：微机控制电子万能试验机 一、主要用途： WDW型微机控制电子万能试验机主机与辅具的设计借鉴了国外的先进技术，外形美观，操作方便，性能稳定可靠。计算机系统通过凯锐控制器，经调速系统控制伺服电机转动，经减速系统减速后通过精密丝杠副带动移动横梁上升、下降，完成试样的拉伸、压缩、弯曲、剪切等多种力学性能试验，无污染、噪音低，效率高，具有非常宽的调速范围和横梁移动距离，另外配置种类繁多的试验附具，在金属、非金属、复合材料及制品的力学性能试验方面，具有非常广阔的应用前景。同时可根据GB、ISO、JIS、ASTM、DIN及用户提供多种标准进行试验和数据处理。该机广泛应用于建筑建材、航空航天、机械制造、电线电缆、橡胶塑料、纺织、家电等行业的材料检验分析，是科研院校、大专院校、工矿企业、技术监督、商检仲裁等部门的理想测试设备。 二、主要参数 主要技术参数 WDW-10 WDW -20 WDW-50 WDW-100 最大试验力 10kN 20kN 50kN 100 kN 测量范围 最大试验力的2%—100% 试验力准确度 优于示值的±1%(±0.5%为特殊选择) 位移测量 分辨率为0.01mm 变形准确度 优于±1% 调速范围 1—300mm/min或1—200mm/min 拉伸有效空间 600mm(可根据用户要求定制） 主机形式 门式框架结构 主机尺寸 660×450×1700mm 800×600×1800mm 重量 约400Kg 约500Kg 约600Kg
济南凯锐试验机制造有限公司（济南凯锐机械设备有限公司）
2021-08-23
一种能充分利用液化天然气冷能的蓄冷冷库系统
本发明公开了一种能充分利用液化天然气冷能的蓄冷冷库系统，它包括液化天然气气化系统、乙二醇循环系统和冷水循环系统，它还包括蓄冷系统和制冷系统，其中，(1)液化天然气气化系统包括液化天然气—乙二醇换热器；(2)乙二醇循环系统包括两个串联回路；(3)冷水循环系统包括水循环管路；(4)蓄冷系统包括蓄冷循环管路；(5)制冷系统包括经冷凝器的出口依次与压差调节阀、循环水泵、止回阀、蒸发器、板式换热器以及冷凝器的进口相连的制冷循环管路。本发明的优点：该系统在不影响液化天然气气化的前提下，起到液化天然气冷量削峰填谷的功能，有效改善制冷循环的能效比，充分保证了制冷性能稳定。
天津城建大学
2021-04-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10