捷能通专业研发生产LED护眼教室灯、LED护眼黑板灯、录播教室灯、阅览室灯等一系列专业学校护眼照明产品。捷能通，深耕LED照明科技市场，变道教育照明6年好评不断，秉持“用光明守护成长！”的理念，是最早进入教育照明市场的并专注这一领域的领军型企业。  捷能通产品经国家级实验室检测，无蓝光危害、无眩光、无频闪、高显指，并通过CCC、UL、CE、RoHS等认证，拥有教育照明领域的136项专利及288项国家级实验室的检测认证，获得“国家高新技术企业”“厦门市科技小巨人企业”“中国教育装备协会2020年度推荐产品”等99项市级荣誉，同时与厦门大学、厦门理工学院等国内著名科研院校开展密切的科研合作和技术交流。  捷能通品牌至今已在北京、上海 、广东、浙江、湖南、湖北、江苏、安徽、甘肃、黑龙江等全国30多个省市完成超万所的学校的灯光改造，创造上万间健康光环境示范教室，获得到了广大学子、家长及教育人士的认可。 捷能通将继续秉承着“用光明守护成长！”的经营理念，为广大学子的视力健康保驾护航，致力于让全国学校教室照明卫生标准达标率达到100%！

江苏联能电子技术有限公司始创于2001年，是振动测试用传感器和动静态测试系统的专业制造厂家，也是行业中为数不多的集敏感功能压电陶瓷材料及其相关器件到测试、分析仪器的研究、开发与生产、销售于一体的国家高新技术企业，拥有四大类16个系列300多个品种的产品。

本发明公开了一种数控系统加工过程数据的采集、转储方法及其系统，该方法包括以下步骤：在加工开始前设置需要采集的数据类型，该数据类型包括数控系统内部的指令数据；在加工过程中，以一个数控系统的控制周期为周期将需要采集的数据类型对应的数据记录到数据缓存区中；然后再将数据缓存区中的数据通过通讯接口转储到其他存储设备。本发明与现有技术相比，由于通过对数控系统内部指令数据进行采集，采集的数据类型全面，能够有效弥补现有数控系统无法全面反映加工过程的缺陷；数据为按周期连续采集，且传感器反馈的采样信号与内部的指令数据同

本发明提供了一种风光耦合电解制氢系统的储氢罐智能滤波控制方法，包括：设计滤波器并根据储氢罐的时间常数动态调整滤波器的截止频率，通过寻优机制找到最佳的滤波器阶数；通过储氢罐的充放氢状态，判断当前的工况，根据不同的工况，从FIR滤波器、IIR滤波器以及自适应混合滤波器中选择合适的类型；对制氢过程进行滤波，根据目标制氢速率和实际制氢速率的差异调整储氢罐的充放氢量，从而获取平滑的氢气输出；根据输出氢气过程中的波动率评估制氢系统的性能，并根据评估结果重新调整滤波器参数。本发明根据不同工况动态选择合适的滤波器类型，实现了较平滑的氢气输出速率，确保系统的稳定性，满足后续大规模工业生产的需要。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。