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基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
中国科大在受热考古材料释光测年技术研究中取得最新进展
在规范采样及针对性测试条件下,释光测年技术应用在埋藏陶器、烧土类考古受热材料的年代学研究中具有高准确度的优势,并有望确定最后一次考古受热事件(如祭祀、焚烧、烹煮等)的高精度年代。
中国科学技术大学 2022-06-02
一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置
本发明公开了一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置, 该方法是在光气敏传感器工作过程中,通过对材料薄膜进行加热调控 (50℃-70℃),使气敏材料表面物理吸附水减少,从而对环境湿度不 敏感;其次,表面保留的化学吸附水在紫外光照下产生的自由羟基, 以及由低温加热下产生少量热激发诱导的光、热联合激发的协同效应, 可大幅度提高其响应恢复速度。装置包括材料基片、光激发源、光激 发控制模块、温度控制模块、信号调理模块、计算
华中科技大学 2021-04-14
MXY5008光纤耦合及光无源器件参数测试与 光纤端面处理熔接实训系统
一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术,它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快,已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域,是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中,光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题:1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤;2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件,也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统,让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等,通过实验平台的搭建,可以让学生更深刻的了解,也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力,是学校金工实习(工程实习)与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器(PBS)性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下,光纤熔接实训实验 自定义模式下,光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源:波长1310±20nm,1550±20nm;输出功率:1-2.5mw,连续可调;输出端口:FC/PC;稳定性<0.5db(5h);光源类型:LD光源; 2、光功率计:波长范围800-1700nm;输入接口:FC 校准波长:1550nm,1310nm; 3、偏振控制器:插入损耗<0.05dB;消光比>40dB;回波损耗>65dB; 4、光纤机械光开关:插入损耗:1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ,P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗>50dB ;开关速度:≦8ms ; 5、高隔离度光纤隔离器:最大插入损耗:0.35dB ;回波损耗:≧50dB ;隔离度:≧30dB ; 6、光纤耦合器:分光比:50% : 50% ;最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器:隔离度:1310nm :31.8% ;1550nm :34%;插入损耗:1310nm :0.30%;1550nm :0.34% ; 8、光纤可调衰减器:0-30db可调; 9、软件:配套仪器使用,数据采集处理; 10、光纤熔接机:适用光纤:SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移,即G.655光纤),BIF/UBIF(G.657); 光纤切割长度:8-16mm, 被覆光纤直径250µm,16mm,被覆光纤直径250µm-1000µm;平均接续损耗:0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS);显示:高性能5.6英寸彩色LCD显示屏,提供清晰的数字图像显示;电极寿命:2500次;锂电池容量:典型熔接250次,充电时间3小时,可在充电时使用;电源:交流适配器输入电压100-240V  50/60Hz,输出电压:DC13.5V /5A,直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh ); 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类,实验操作进行连接器参数测量; 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术,了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构,掌握其装配方法、使用环境及保护措施等;
天津梦祥原科技有限公司 2021-12-17
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学 2022-06-06
星恒电源锰系多元复合锂和三元材料动力电池生产线
星恒电源股份有限公司成立于2003年12月,拥有以锰系多元复合锂为核心,包括锰系多元复合锂和三元材料的多条动力电池生产线,是国内知名的动力锂电池高新技术企业。历经16年发展,星恒已开展全球化产业布局,在苏州基地的基础上,星恒已在安徽滁州苏滁现代产业园投建滁州星恒,同时欧洲子公司、印度子公司相继成立。公司拥有以院士领衔的技术研发团队,掌握超级锰酸锂、动力电池梯次利用的核心技术;拥有国际知识产权锰酸锂(专利号:01134448.2);拥有67项专利,实用新型专利42项,发明专利17项,外观专利8项;承担过11项“863”电动汽车重大专项课题,2项“973”课题,13项国家课题。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
中国科学技术大学 2021-04-10
中伟新材料股份有限公司锂电池正极材料前驱体的成果
中伟新材料有限公司,是全球领先的专业前驱体材料和循环材料综合供应商。公司行业地位突出,按正极前驱体出货量,在全球排在第二位。其技术实力和研发能力较强,背靠中南大学这一国内金属材料学科重镇,有超过300名研发人员和完善的研发测试设备。公司的客户非常优质,动力电池全球前五企业均为其客户。公司的财务数据和增长较好,收入连续多年100%增长。中伟新材料已与国内外数十家知名企业达成战略合作,公司自主开发的4.47V高电压四氧化三钴、NCM811等核心产品成功跻身中国、欧美、日韩地区世界500强企业高端供应链,被广泛应用于各大3C数码领域、动力领域及储能领域。目前,公司已在贵州铜仁、湖南宁乡分别建立西部、中部产业基地,并在天津布局北部产业基地,覆盖南北、辐射全国。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
中南大学 2021-04-10
新能源汽车动力电池“退役潮”来袭 工信部加强四方面保障
2021年我国新能源汽车销售完成352.1万辆,同比增长1.6倍,连续7年位居全球第一。随着我国新能源汽车保有量快速增长,动力电池“退役”量也在逐年增加。
人民网 2022-01-13
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