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XM-311A带数字标识颈前肌局解模型
XM-311A颈前肌局解模型（带数字标识）
XM-311A带数字标识颈前肌局解模型显示了人体颈前肌肉、血管、腺体等结构，带有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：自然大，33.5×23.5×12cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型
XM-402H冠状动脉粥硬化带血栓模型放大10倍，显示血管内凝血以及血栓在动脉斑块不同病理阶段，显示动脉狭窄对人体的危害。
尺寸：放大10倍，16×16×13cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布
XM-631A头面及颈部血管神经分布模型（带数字标识）
XM-631A带数字标识头面及颈部血管神经分布模型由3部分组成，显示头部主要神经，筛板、视神经、动眼神经、滑车神经、展神经、三叉神经、三叉神经节、眼神经、额神经、眶上神经、滑车上神经、泪腺神经、鼻睫神经、睫状神经节、上颌神经、眶下神经、翼腭神经、上牙槽神经、上牙神经丛、下颌神经、颊神经、下牙槽神经、下牙神经丛、颏神经、舌神经、耳颞神经、颞深神经、鼓索、耳大神经、翼腭神经节、岩大神经、岩深神经、腭大小神经等，并且展示了颈部的肌肉和主要动静脉的解剖，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型
XM-705B-1肾与肾上腺模型（1.5倍，带数字标识）
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型可拆分为2部件，显示了肾剖面的肾皮质、肾髓质、肾小盏、肾大盏、肾盂、输尿管以及肾动脉、肾静脉等结构，共有11个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：放大1.5倍，11×11×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型
XM-705B-1肾与肾上腺模型（1.5倍，带数字标识）
XM-705B-1带数字标识肾与肾上腺模型可拆分为2部件，显示了肾剖面的肾皮质、肾髓质、肾小盏、肾大盏、肾盂、输尿管以及肾动脉、肾静脉等结构，共有11个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：放大1.5倍，11×11×23cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器及其制备方法
本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器，由两种结构不同的光子晶体叠加构成，其结构为[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分别为d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n为两种光子晶体的周期数，m取3，n取4。其制备方法是：RF-PECVD法在普通载玻片上交替沉积a-Si:H和a-C薄膜。本发明的碳基光子晶体背反射器，具有一维光子晶体全角反射，可实现600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太阳能电池吸收层中的传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。制备工艺简单。
河北师范大学
2021-05-03
安徽大学李丹丹老师课题组在高阶多光子激发荧光材料领域取得新进展
物质科学与信息技术研究院李丹丹老师课题组提出利用MOF组装及修饰，调节材料的电子离域能力、电荷转移能力及偶极矩等以优化H-MPEF性能，并进一步通过表面功能修饰，以实现材料对肿瘤细胞的特异性靶向能力。
安徽大学
2022-06-13
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
带LCL输出滤波器的高速永磁电机控制
高速永磁电机由于电感非常小，在受限的逆变器开关频率下，电机电流纹波（主要为开关频率附近的谐波）较大，导致电机铁耗急剧上升，发热严重，缩短电机使用寿命。 本课题组针对高速永磁电机驱动中电流纹波大和共模电压的问题，对带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动进行了深入的研究，包括带有源阻尼的电流控制器设计、电容电压和转子位置观测。实验结果证明采用带LCL输出滤波器的高速永磁电机驱动，电机电流正弦度高，有效地降低铁耗，消除轴承漏电流。
东南大学
2021-04-11