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02004打孔器刮刀
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11
基于磁记忆效应的微缺陷检测技术及系统（服务）
成果简介：磁记忆检测技术是一种新型无损检测技术，被誉为二十一世纪最有前景的绿色诊断技术。该技术可以对铁磁性构件和机械零部件受损程度进行快速诊断，在检测时不要求清理金属表面和进行人工磁化等预先处理，可以完成疲劳损伤的早期诊断，寿命评估和设备可靠性诊断。可以高精度确定滋生裂纹的位置、方向以及定位已生成的裂纹。可以有效发现超声、涡流、漏磁等其它无损检测方法难以察觉的微观缺陷。该系统由探头、调理电路、计算机、信号处理软件等部分组成，可以根据需要，做成各种结构的检测装置，如多探头、单探头检测方式等，可以做成
北京理工大学
2021-04-14
一种定子永磁型记忆电机转矩脉动抑制方法
本发明公开了一种定子永磁型记忆电机转矩脉动抑制方法，将永磁磁链与转速的关系预先存储在一个二维表中，通过查表的方式获得给定转速所对应的永磁磁链，提高了电机的调速范围，降低了电机参数对永磁磁链计算精度的影响。与采用两个滞环控制器的控制方法相比，该方法通过电压空间矢量方法使得三相逆变器开关频率恒定，降低了转矩脉动。该方法克服了低速时系统难以精确控制，以及因
东南大学
2021-04-14
一种定子永磁型记忆电机直接转矩控制方法
本发明公开了一种定子永磁型记忆电机直接转矩控制方法，与矢量控制方法相比，定子永磁型记忆电机直接转矩控制方法避免了复杂的旋转坐标变化，这简化了系统结构，提高了系统响应速度。同时，该控制方法仅需两个滞环控制器和一个速度调节器，因而磁化状态所造成的电机参数变化对系统性能的影响较小。本发明定子磁链给定值由负载和转速实时计算得到，与直接给定定子磁链的传统直接转
东南大学
2021-04-14
热致、电致形状记忆聚烯烃材料生产技术
新型热致、电致形状记忆聚烯烃材料是以聚烯烃材料为基体，经特殊加工工艺制备而成。该材料能在90~100℃下或通100V以上的直流（或交流）电压，使常温（或高温）下的形变回复到近乎原来的形状，回复速度10-30s，回复率80-92%，固定率82-96%。并且这种记忆特性经多次反复后，不衰减。材料的力学性能与聚乙烯相近（图3）。 新型热致、电致形状记忆聚烯烃材料生产技术可根据制品形状记忆性要
四川大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的联想记忆电路
本发明公开了一种基于忆阻器的联想记忆电路，包括忆阻器、 第一电阻、第二电阻和运算比较器；第一电阻和忆阻器依次串联在运 算比较器的第一输入端，忆阻器的非串联连接端作为联想记忆电路的 第一输入端；第一电阻和忆阻器的串联连接端作为联想记忆电路的第 二输入端；第二电阻的一端连接至运算比较器的第一输入端，第二电 阻的另一端接地；运算比较器的第二输入端用于连接参考电压，运算 比较器的输出端作为联想记忆电路的输出端；联想记忆电路的
华中科技大学
2021-04-14
一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法
本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方 法。该基板材料由 5ZnO·2B2O3 粉料和 Pb1.5Nb2O6.5 粉料混合烧结 而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5 的摩尔百分比含量为 4.5～7.0mol％，基板 材料的主晶相为 3ZnO·B2O3，次晶相为 Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr ＝7.7～8.6，品质因数 Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf ＝-14～+21ppm/℃，满
华中科技大学
2021-04-14
氧化铁石墨烯复合材料在电化学能源存储和转化领域的研究
氧化铁石墨烯复合材料目前涉及的电化学方面的应用包括锂离子电池、超级电容器和燃料电池。氧化铁（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作电化学器件非常有前途的材料，不仅具有成本低、无毒性、化学稳定性好等优点，还具有较高的理论电容量。但在实际使用时又因为自身导电性的不足以及反应的循环稳定性差等问题受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面积，较高的导电性，优异的化学和热力学稳定性，以及独特的光、热、机械性能，成为了非常合适作为制作电化学能源存储和转化器件的材料。负载氧化铁在石墨烯上，不仅能够弥
天津大学
2021-04-14
新型高密度存储材料与器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学
2021-01-12