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一种基于电控液晶汇聚微透镜的波前测量芯片
本发明公开了一种基于电控液晶汇聚微透镜的波前测量芯片。包括面阵电控液晶汇聚微透镜和面阵可见光探测器;面阵电控液晶汇·743·聚微透镜包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成,图形化电极层由其上布有 m×n 元阵列分布的方孔或圆孔的
华中科技大学 2021-04-14
一种液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片
本发明公开了一种液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片,包括多眼套叠成像探测架构,其包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶聚光微透镜,面阵电控液晶聚光微透镜包括 m×m 个单元微透镜,其中 m 均为正整数,面阵可见光探测器被划分为 m×m 个子面阵可见光探测器,每个子面阵可见光探测器包括 m×m 个光敏元,面阵电控液晶聚光微透镜用于接收目标光波,并将该目标光波离散分割到面阵可见光探测器中不同
华中科技大学 2021-04-14
基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片
本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微透镜阵列;电控液晶红外发散平面微透镜阵列包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初·750·始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成;图形化电
华中科技大学 2021-04-14
一种用于高密度芯片的倒装键合平台
本发明公开了一种用于高密度芯片的倒装键合平台,包括基座、芯片剥离和翻转单元、XY 向运动单元、多自由度键合头和贴装台单元,其中芯片剥离和翻转单元用于将晶圆盘上的芯片分别执行剥离和翻转,并将其送至待拾取位置;多自由度键合头以悬臂形式安装在 XY 向运动单元的支撑导轨上,并具有主动调平和对准功能;贴装台单元用于吸附基板并与键合头相配合,由此实现芯片与基板之间的相互定位。此外,为了保证各单元高精度的运动或配合,该倒装键合平台中还配置有多套视觉定位系统。通过本发明,能够达到微米级的对准精度,平行调整精度优于
华中科技大学 2021-04-14
一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器,其中,单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩,通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值,调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力,进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面,从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层,执行成像视场在深度
华中科技大学 2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测收光测试方法
本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测的收光方法,该收光 测试方法包括如下步骤:待测试芯片被移动至积分球收光口的上方; 设置于积分球下方的积分球升降装置向上运动,使所积分球的收光口 对准所述待测试的倒装 LED 芯片的发光侧,并且使设置于积分球收光 口处的板片贴紧装载待测试倒装 LED 芯片的盘片。按照本发明设计的 收光测试组件,能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题,具有高的收光精度,尤其与倒装 LED 芯片在线检测装置配合使 用,能够显著提高性能,实现倒装 LED 芯片的
华中科技大学 2021-04-14
一种双模复合红外电控液晶微透镜阵列芯片
本发明公开了一种双模复合红外电控液晶微透镜阵列芯片,包括:芯片壳体、电控散光液晶微透镜阵列、以及电控聚光液晶微透镜阵列,电控散光液晶微透镜阵列与电控聚光液晶微透镜阵列级联耦合构成双模复合电调架构,电控散光液晶微透镜阵列与电控聚光液晶微透镜阵列均设置在芯片壳体内部,二者彼此紧密贴合并与芯片壳体连接,且二者的光轴重合,电控散光液晶微透镜阵列的光入射面和电控聚光液晶微透镜阵列的光出射面分别通过芯片壳体顶面和底面的开口
华中科技大学 2021-04-14
多相位时钟产生器、异构集成芯片及高速接口电路
本发明提供了一种多相位时钟产生器,该多相位时钟产生器通过对输入时钟信号进行处理,输出与N个对应于不同相位的注入电流信号,N为4的整数倍,并在交叉耦合环形振荡器中设置交叉耦合环路,该环路基于相位顺序分别与N/4个二级环形振荡器中各输出节点相耦接,二级环形振荡器通过交叉耦合机制,实现了高工作频率、高稳定性的振荡频率输出和低误差的相位对齐,使得其能够输出N个等间隔相位的振荡时钟信号,由于二级环形振荡器中的各输出节点还基于相位顺序被输入注入电流信号,对二级环形振荡器完成了频率和相位的锁定,该频率与输入时钟信号的频率相同,且相位噪声非常低,从而,本发明可以生成低相位噪声、高相位精度的高速多相位时钟信号。
复旦大学 2021-01-12
宽温度范围连续可调控固态非线性光学开关材料的研究
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团,而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前,已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc,正因如此,已报道材料只能在一个固定温度点下使用,这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团,并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料;进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F,NaNH4PO3F∙H2O,(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料,并对其非线性光学性能进行了系统研究。(Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.)。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现:该化合物可在温度变化下发生低温相(P21/n、无非线性信号)和高温相(Pna21、有非线性信号)的相互转变。通过单晶结构表征分析证实,该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此,该工作提出,如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构,有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此,该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点,设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明,随着K+含量x的增加,由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱,发生相转变所需克服的能垒也逐步降低,在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此,通过调控材料中K+离子的含量,固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控,并且根据K+离子含量的控制,可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时,由于氢键结构的过度削弱,该相转变消失,这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制,不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒,而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。
北京师范大学 2021-02-01
宽温度范围连续可调控固态非线性光学开关材料的研究
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团,而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前,已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc,正因如此,已报道材料只能在一个固定温度点下使用,这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团,并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料;进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F,NaNH4PO3F∙H2O,(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料,并对其非线性光学性能进行了系统研究。(Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.)。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现:该化合物可在温度变化下发生低温相(P21/n、无非线性信号)和高温相(Pna21、有非线性信号)的相互转变。通过单晶结构表征分析证实,该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此,该工作提出,如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构,有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此,该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点,设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明,随着K+含量x的增加,由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱,发生相转变所需克服的能垒也逐步降低,在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此,通过调控材料中K+离子的含量,固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控,并且根据K+离子含量的控制,可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时,由于氢键结构的过度削弱,该相转变消失,这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制,不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒,而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。
北京师范大学 2021-04-10
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