|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种中红外非线性光学晶体材料 RbIO2F2 及其制备方法和应用
本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料，其化学式为 RbIO2F2，上述材料的晶体空间群为 Pca21，晶胞参数为 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本发明 还提供了上述晶体材料的水热法制备方法，本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位 匹配的倍频效应(SHG)，Kurtz 粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的 4&n
武汉大学
2021-04-14
一种气动光学效应校正识别一体化实时处理的系统和方法
本发明公开了一种气动光学效应校正识别一体化实时处理系统，统包括 FPGA 模块、多核主处理器 DSP、多个协处理器 ASIC 及红外图像非均匀性校正片上系统 SoC，通过上述系统完成气动光学效应退化图像的全图热辐射校正、去噪、传输效应校正及目标检测过程。相应的，本发明提出了一种与之对应的方法。本发明能够有效解决气动光学效应问题以及飞行器高速飞行条件下要求处理器在完成探测处理时间间隔短的问题，通过采用自主研发的专用 A
华中科技大学
2021-04-14
一种中红外非线性光学晶体材料 KBi4F13 及其制备方法和应用
本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料，其化学式为 KBi4F13，上述材料的晶体空间群为 I-4， 晶胞参数为 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本发明还提供了上述晶体材 料的水热法制备方法，本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有能相位匹配的倍频效应(SHG)， Kurtz 粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)相当;粉末的激光伤阈值为 120MW/c
武汉大学
2021-04-14
利用三嵌段聚合物合成具有光学性能的大孔二氧化硅材料
该方法首次利用自组装的技术合成出大孔具有光学性能的二氧化硅材料，突破了用表面活性剂为模板很难合成出大孔径材料的瓶颈，并且由于材料本身规则的孔结构结合二氧化硅本身的折射率产生肉眼可见的颜色，该合成方法技术成熟，重复性好，具有可操作性，该材料在光学器皿元件上有潜在的应用价值。
上海理工大学
2021-01-12
一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶薄膜、其制备 方法及应用
本发明公开了一种兼具 pH 值和离子强度响应的光子晶体水凝胶 薄膜、其制备方法及应用。所述光子晶体水凝胶薄膜包括 Fe3O4 纳米 粒子和聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸水凝胶；所述 Fe3O4 纳米粒子均匀分散 于水凝胶中，呈一维链状排列，纳米粒子在薄膜中的浓度为 1～ 50mg/mL。所述的光子晶体水凝胶薄膜的制备方法，包括将 Fe3O4 纳 米粒子和水凝胶单体均匀混合，通过紫外光使其发生固化反应，最后 浸于可溶性碳酸盐水
华中科技大学
2021-01-12
用于同时检测CU2+ Ｐb2+ Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法
本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.
东北电力大学
2021-04-30
一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器及其制备方法
本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器，由两种结构不同的光子晶体叠加构成，其结构为[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分别为d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n为两种光子晶体的周期数，m取3，n取4。其制备方法是：RF-PECVD法在普通载玻片上交替沉积a-Si:H和a-C薄膜。本发明的碳基光子晶体背反射器，具有一维光子晶体全角反射，可实现600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太阳能电池吸收层中的传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。制备工艺简单。
河北师范大学
2021-05-03
中国科学技术大学在过渡金属氧化物薄膜室温反常霍尔效应研究中取得重要进展
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作，在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。
中国科学技术大学
2022-10-17
一种 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳能电池的一次性制备方法
本发明公开了一种 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳能电池的一次性制 备方法，该方法包括以下步骤：基片预处理，混合原料备用，真空获 得与基片加热，氩气等离子体清洗腔体和基片，等离子体增强化学气 相沉积法沉积异质结，真空退火冷却，制备 SnS2/SnS 异质结薄膜太阳 能电池，本方法中通过设置混合原料的比例，并设定反应源加热温度 数值 T 与反应沉积时间数值 t 的关系，就能在一次实验过程中先后沉 积出质量比较优异 SnS2 和 SnS 薄膜，从而直接一次性制备出太阳能电 池的核心部件 p-n 结，大大
华中科技大学
2021-04-14
实现了一例性能优越的高温多轴铁电体进而获得了可实用的铁电薄膜
利用新的铁电相变机理实现了一例性能优越的高温多轴铁电体进而获得了可实用的铁电薄膜，而且展示了如何利用较弱的配位键在分子晶体中实现传统无机材料难以实现的涉及“配位键断裂与重组”的结构相变，为开发新型分子材料打开了新的大门通过巧妙的分子设计与晶体工程成功合成了一例分子钙钛矿型铁电体[(CH3)3NOH]2[KFe(CN)6]，它可以表现出传统无机钙钛矿化合物难以实现的涉及配位键断裂与重组的铁电相变。这种剧烈的结构相变使该化合物具有十二重铁电极轴（多于钛酸钡），居里温度为402K（高于钛酸钡）。他们进一步发现该化合物可通过简单溶液旋涂方法制备成具有良好性能的铁电薄膜，其极化反转的频率高达5kHz，微观铁电畴可在偏置电压下进行可逆极化反转，有望代替无机铁电体用于制作下一代柔性铁电元器件。
中山大学
2021-04-13