（专利号：ZL 201410219036.9） 简介：本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，

（专利号：ZL 201410611888.2） 简介：本发明公开了一种纳米氧化锆粉体的制备方法，属于材料制备技术领域。该制备方法包括下述步骤：在真空或氩气气氛下，对氯化锆+硼氢化钠混合粉末进行5～10h球磨处理；然后，在0.5～1atm氢背压下，将球磨产物加热到300～400℃，并保温1～2h后自然冷却；接着，将加热产物倒入蒸馏水中，过滤出固体物，再用蒸馏水清洗；最后，用乙醇对水洗固体产物清洗后干燥，即可获得所述的纳米氧化锆粉体。本发明的

（专利号：ZL 201410219065.5） 简介：本发明公开了一种硼化铌纳米粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该方法首先在熔融盐环境中以单质硼还原五氧化二铌，然后通过用热水浸润溶解熔盐及反应产生的三氧化二硼得到纳米硼化铌粉体。本发明具有制备工艺简单，成本低廉、合成温度低(800～1000℃)，合成时间短(1～4h)，合成粉体纯度高，粒径小等特点。本发明所得到的硼化铌纳米粉体可用于制备超高温陶瓷、耐磨材料和超导材料。

本发明公开了一种直流电机的驱动?调速一体式约束预测控制方法，本发明将这种驱动?调速一体式的控制技术应用于直流电机，首先利用广义比例积分观测器技术在串级电路和转速的光电编码器采集的转速信息的基础上对系统的集总干扰进行估计，得到重构后的集总干扰信息，结合模型预测控制相关技术设计出针对直流电机的带输入约束的输出反馈控制器，在保证系统动态响应性能的基础上，因为不需要使用电流、电压以及转矩传感器，降低了系统的成本，提高了系统容错能力，同时可以明显地抑制参数摄动和负载转矩突变等因素引起的干扰，从而大大提高直流电机系统的输出转速的控制精度和干扰抑制能力。

XM-434晶状体、虹膜、角膜、玻璃体   XM-434晶状体、虹膜、角膜、玻璃体为眼球配件，放大6倍，4部件。 尺寸：放大6倍 材质：PVC材料

XM-434晶状体、虹膜、角膜、玻璃体   XM-434晶状体、虹膜、角膜、玻璃体为眼球配件，放大6倍，4部件。 尺寸：放大6倍 材质：PVC材料

成果描述：本实用新型公开了一种基于光电计数感应装置的新型硬币包装机,包括转盘轴、转盘、盖子、硬币收集桶、连接漏斗、传动装置、PLC控制器和异步电机,转盘和盖子固定安装在转盘轴上,多个硬币收集桶安装在转盘和盖子之间,盖子上开有与硬币收集桶对齐的通孔,连接漏斗位于盖子上方,且连接漏斗、通孔和硬币收集桶同心设置,所述连接漏斗底部安装有光电计数器,转盘轴和异步电机通过传动装置连接,光电计数器和异步电机分别与PLC控制器连接。本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。市场前景分析：本实用新型通过光电计数器计量硬币的数量,具有计量精确、抗振动能力强、体积小、成本低等优点。与同类成果相比的优势分析：国内领先

提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。

光梓科技是一家专业从事高速低功耗模拟光电子集成电路芯片的研发、生产和销售的高新技术企业。项目优势：1）高速低功耗模拟IC芯片在光模块的应用中有较大的成长空间且处于快速发展的阶段。2）公司拥有自己独特的多项专利技术，公司研发的CMOS全兼容高速低功耗光电子集成电路芯片目前处在全球领先水平，技术和产品的壁垒都很高。 3）与多个重量级客户已建立深度沟通与合作机制，未来3年光梓科技的业绩确定性较高，且每年保持高增速是大概率事件。4）国际化的团队。创始人史方博士和姜培教授长期在光电子集成电路领域耕耘多年，分别是成功企业家和技术领域内的国际级专家。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！

本发明公开了一种旋转式深海插拔光电复合连接器，包括适配的插头和插座，插头包括插头壳体、插头弹性囊体、插头腹板、插头尾板、若干插头光电插芯；插座包括插座壳体、插座弹性囊体、插座腹板、插座尾板、若干插座光电插芯、移动腔体；该连接器还设有能够挡住/让出插座光电插芯和插头光电插芯配合通道的旋转机构，插头前端和插座前端之间设有锁紧机构。本发明的连接器可以满足各个深度的作业环境，密封可靠、操作简单、插拔力小。