该磁性纳米颗粒主要由四氧化三铁为主体，以具有良好生物相容性的可生物降解聚酯类材料为辅助剂，通过控制聚合物结构，如：侧基官能团的种类和数量，共聚物组成，序列结构及分子量等因素，获得表面带有不同活性官能团，大小及性能可控，稳定性良好的生物磁性纳米颗粒。

本项目以溶胶凝胶技术为基础，辅以其他技术手段，在技术及产品质量指 标上完全达到了世界上最先进的诺顿（法国圣戈班）、3M 公司的水平，实现工 业化生产后，可以打破国外的技术封锁和产品垄断，并解决国内关键加工行业 受国外制约的困难，从而提升国内整体的机械加工水平。

围绕机械装备制造、汽车及零部件、生物健康、电子电气、新材料、节能环保、纺织服装、新型建材8大领域，简要介绍成果的功效、应用领域、创新点、先进性和项目团队人员情况等内容（300字左右）。    本成果是面向汽车尾气净化系统中应用的车载NOx传感器。汽车排气中的氮氧化物（NOx）是导致光化学烟雾和酸雨的主要原因，各国制定的NOx排放标准越来越严格，开发新型车载NOx

针对氯醇法生产环氧丙烷过程中产生大量的废水、废渣，环境污染严重。开展了丙烯直接氧化制环氧丙烷研究，实现了催化剂由200ml到2L 、100L、2m 3 、10m 3 的工业化生产；不仅为千吨级中试装置提供催化剂，而且还能满足万吨级工业化生产的需要，1500吨/年环氧丙烷中试装置初步开工结果表明，双氧水的转化率在92%左右，环氧丙烷的选择性可达到85%左右。 通过了天津市科技创新资金领导小组办公室组织的“1500吨/年丙烯直接环氧化制环氧丙烷”的结题验收。正在进行万吨级工业示范装置的建设。

产品详细介绍

产品详细介绍  氧化铝陶瓷坩埚,刚玉陶瓷坩埚有：弧形氧化铝刚玉坩埚，方形氧化铝刚玉坩埚，长方形氧化铝陶瓷刚玉坩埚，圆柱形陶瓷刚玉坩埚，氧化铝刚玉管，等等各种异形氧化铝陶瓷坩埚，承接非标订做各种异形氧化铝刚玉陶瓷坩埚．欢迎联系！刚玉陶瓷坩埚系列：适用于各种实验室金属、非金属样品分析及熔料用。 坩锅系列——用于化验室及各种工业分析。     氧化铝坩埚刚玉瓷坩埚特点： 1、纯度高：Al2O3＞99%，耐化学腐蚀性好 2、耐温性好，长期使用在1600℃，短期1800℃ 3、耐急冷急热性好，不易炸裂 4、注浆成型密度高 高纯氧化铝坩埚 刚玉坩埚理化指标 名          称 氧 化 铝 坩 埚     化   学   成   分 Al2O3 ≥99 R2O ≤0.2 Fe2O3 ≤0.1 SiO2 ≤0.2 体 积 密 度（g/cm2） ≥3.80 显 气 孔 率（%） ＜1 抗 弯 强 度（Mpa） ＞350 抗 压 强 度（Mpa） ＞12000 介 电 常 数 ∑（1MHz） 2 最 高 使 用 温 度（℃） 1800 规格有： 弧形坩埚：10毫升，15毫升，20毫升，30毫升，50毫升，100毫升，150毫升，200毫升，300毫升，500毫升，750毫升，1000毫升。 直形坩埚：直径30*30------160*160毫米 方形坩埚：65*65-------240*240毫米 备：可根据用户需求定制各种非标异型氧化铝坩埚！

本发明公开了一种光电复合式水下湿插拔连接器，插座部分以及与之配合的插头部分；插头部分包括插头外壳，插头外壳里面设置有插头内腔，所述插头内腔中设置有贯穿其中并伸出所述插头内腔的电插针，电插针中段布置有与插座部分内部上下移动件配合的斜坡，电插针的后端中心贯穿设置插头光纤，电插针前端头部呈凸球状；插座部分包括能伸入所述插头外壳中的插座外壳，所述插座外壳里面设置有插座内腔，插座内腔里面设置有电连接部分和插座光纤部分；插座外壳和所述插头外壳上分别设置有穿通其的第一进水槽和第二进水槽，所述插头内腔和所述插座内腔中都充满绝缘油。本发明能够保证深水环境的可靠连接。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).