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热重分析仪
热重分析法(TG、TGA)是在升温、恒温或降温过程中,观察样品的质量随温度或时间的变化,目的是研究材料的热稳定性和组份。广泛应用于塑料、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。
上海和晟仪器科技有限公司 2025-05-06
同步热分析仪
同步热分析将热重分析 TG 与差热分析 DTA 或差示扫描量热 DSC 结合为一体,在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。
上海和晟仪器科技有限公司 2025-05-06
真空原位分析表征系统
产品详细介绍真空原位分析表征系统是为红外光谱吸附态表征和催化剂酸性测定设计的专用真空系统,配有石英红外吸收池,可以与Bruker、Nicolet、PE、Shimadzu、Jasco、Varian\Bio-Rad等主要红外光谱仪连接使用,进行氨、吡啶、一氧化碳、一氧化氮、甲醇、乙醇等小分子化合物的化学吸附测定。具体应用吸附态研究和催化剂的表征  红外光谱已经广泛应用于催化剂表面性质的研究,其中最有效和广泛应用的是研究吸附在催化剂表面的所谓“探针分子”的红外光谱, 如:NO、CO、CO2、NH3、C3H5N等,, 它可以提供在催化剂表面存在的“活性中心”信息。用这种方法可以表征催化剂表面暴露的原子或离子, 更深入地揭示表面结构的信息。与其它方法相比较, 这样的红外研究所获得的信息只限于探针分子(或反应物分子)可以接近或势垒所允许的催化剂工作表面。 CO吸附态研究  由于CO具有电子受授性质,未充满的空轨道很容易同过渡金属相互作用。CO同许多重要的催化反应有密切关系。如羰基合成、水煤气合成、氧化等。并且具有很高的红外消光系数。因此, 在过渡金属表面吸附态的研究是一个十分广泛的研究课题。 双金属原子簇催化剂的研究(红外光谱方法研究催化剂表面组成和相互作用)利用两种气体混合物吸附在双组元过渡金属催化剂上通过红外光谱侧其吸附在不同组元上吸收带强度的方法可以测定双金属载体催化剂的表面组成。例如:CO和NO混合气吸附在Pt-Ru/SiO2上的红外光谱测定Pt-Ru/SiO2催化剂的表面组成。催化剂红外酸性测定 氧化物表面酸性的测定  酸性中心一般看作是氧化物催化剂表面的活性中心。在催化裂化、异构化、聚合等反应中烃类分子和表面酸性中心相互作用形成正碳离子, 是反应的中间化合物。正碳离子理论可以成功地解释烃类在氧化物表面上的反应, 也对酸性中心的存在提供了强有力的证明。为了进一步表征固体酸性催化剂的性质, 需要测定表面酸性中心的类型(L酸、B酸)、强度和酸量。利用红外光谱研究表面酸性常常利用氨、吡啶、三甲基胺、正丁胺等碱性吸附质, 其中应用比较广泛的是吡啶和氨利用红外光谱研究固体酸。 氧化物表面羟基的研究 红外光谱应用于反应于反应动态学研究 催化剂原位表征高真空系统解决的问题  由于红外光谱方法本身存在一定的局限性。  1) 利用透射方法研究载体催化剂, 由于大部分载体低于1000cm, 就不透明了,所以很难获得这一范围的许多重要信息。  2) 金属粒子不同的暴露表面边、角、阶梯、相间界面线等,分子吸附在所有这些中心上的光谱都可对测得的光谱有贡献, 因而解释起来有困难。  3) 由于催化反应过程中, 在催化剂表面上反应中间物浓度一般都很低,寿命很短(尤其是反应活性的承担者), 红外光谱的灵敏度和速度不够高。  4) 红外光谱只适用于有红外活性的物质。  随着光谱技术的发展, 这些局限性将通过真空系统克服。系统基本情况  一套用于催化剂原位表征的真空装置及红外原位测量系统,配备红外吸收池统。 提高真空系统的性能使其在较短的时间内达到测量需要的中高真空度。主要技术指标  1. 样品处理开始后样品池中真空度应在30 分钟内达到10-5 Torr;  2. 样品测量过程中各样品可同时或分别进行吸附或脱附探针分子;  3. 由于测量所需探针分子为酸性或碱性分子,高硼硅玻璃材质避免了相互污染;  4、真空处理系统由机械泵与玻璃四级扩散泵串联组合抽气,达到客户对测试池中高真空的要求,抽速快,体积小,低噪音,操作简单,使用方便的特点,并且价格适中。  5、低真空部分主要是抽出系统中的高浓度气体或吸附的残余气体。  6、各部分节门选用高硼硅玻璃节门,满足系统高真空的要求,透明性操作,便于调试。  7、真空测量仪使用数显高精密真空计。  8、本系统配备透过式石英红外吸收池,采用透射模式,可对样品进行陪烧、流动氧化还原、抽空脱气、吸附反应等处理过程,可随时移入或移出到红外光谱仪的光路中进行实验,也可利用配备的延长管路进行原位表征和实验。其加热方式可采用程序升温方法控制温度的升降,也可使用调压变压器对温度的升降进行控制,使用温度可以高达450度,标准配置的吸收池窗口为CaF2,工作区间为4000—1200波数之间,用户也可按照需要自性配置其他材料的窗口。  9. 样品测量过程中各样品可同时或分别进行预处理、吸附、脱附探针分子或更换样品。  10. 波纹管更换方便。  11.为满足客户的要求真空系统可做相应改变。配置单序号 设备名称 数量高真空装置 1.1 机械泵 1 1.2 玻璃油扩散泵 1 1.3 真空计 1 1.4 压力规表头 1 1.5 吸附阱、冷却室、管道、真空工作架、玻璃节门、电控标准连接件等 1测量系统 2.1 石英样品池 1 2.2 温控装置 1 2.3 操作手册 1
浙江泛泰仪器有限公司 2021-08-23
移动开闭式光电复合水下湿插拔连接器
本发明公开了一种移动开闭式光电复合水下湿插拔连接器,包括插头部分和与之配合使用的插座部分;插头部分的主体为插头内腔,插头内腔的后部设置后端腹板并形成插头尾腔;插头内腔和插头尾腔中间贯穿设置插头光电插芯;插头内腔内充满绝缘油;插头内腔内部设置楔形的第一推杆,插头内腔前部设置前端腹板和中间支撑板,前端腹板和中间支撑板之间形成的空间设置第一上下移动件,中间开有通孔,通过移动件的运动来开启和闭合插芯连接的通路;插座部分与插头部分采用类似的结构形成接插通路;同时,插头部分和插座部分均设置压力平衡装置;本发明集成了光信号和电力传输,充分考虑了内外压力平衡,能够保证深水环境的可靠连接。
东南大学 2021-04-11
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
(专利号:ZL 201310038265.6) 简介:本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法,属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底,所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成,在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层,掺杂类型为N型;所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层,从内到外依次为:第二掺杂层和第三掺杂层,所述的第二掺杂层掺杂类型为P型,所述第三掺杂层掺杂类型为N型;所述硅面一侧设置有开关的阳极
安徽工业大学 2021-01-12
精细电子陶瓷、光电陶瓷粉体及其应用技术
内容介绍: 采用软化学工艺合成了不同成分,不同配比的精细电子陶瓷、光电陶 瓷粉体,其粒度可控,成份可调,尺寸分布窄,粉体分散性好,可广泛 用于生产压电陶瓷、多层陶瓷电容器、新型光电透明陶瓷的原始粉料, 以及陶瓷换能器、滤波器、谐振器、电容器、变压器、存储器、声表面 波滤波器等方面,也可用于单晶生长原料和多元氧化物功能薄膜靶材, 及供高校、科研单位研究使用。
西北工业大学 2021-04-14
一种激光电磁脉冲复合焊接方法与设备
本发明公开了一种激光电磁脉冲复合焊接方法及设备。所述方 法可用于激光缝焊与激光点焊工艺,是在激光束作用到工件上进行激 光焊接的过程中,将脉冲强磁场施加到焊接区域,和焊接形成光致等 离子体、熔池流场、应力应变场发生相互作用,并完成焊接任务。设 备包括激光器、电磁脉冲发生器、数控系统、光学传输系统和激光电 磁脉冲复合加工头。复合加工头用于集成激光束和脉冲强磁场,调节 电磁转换装置和工件的间距;它安装在加工机床上。本发明可
华中科技大学 2021-04-14
光电催化有机污染物降解协同产氢
基于目前世界上亟需解决的环境污染和能源危机两大问题,开发一种同时净化环境与能源转化的装置将具有巨大的应用潜力。因此对于水体环境污染处理和清洁能源生产本课题组已开发出有效的技术——光电催化有机污染物降解协同产氢。开发了新型金属氧化物纳米管阵列异质结杂化光电催化体系,在电场诱导下,使光生电子与空穴分别于阴极和阳极氧化降解有机污染物与析氢,实现光电催化同步去污与制氢。通过增强纳米管阵列与基底相互作用,纳米管本体结晶度提高或单晶化,纳米管管壁表面形成异质结光催化杂化体系和导电碳基材料的修饰等途径,提高光生电子传输速率,促成电子与空穴有效分离,拓宽体系的光响应范围,提高光的吸收效率与量子效率。结合表征等手段及分析,阐明光电催化体系的构效关系,设计出高效、稳定的新型光电催化构筑应用于污水的资源化。通过两个反应过程的相互促进,不仅提高了光催化效率,而且符合变“废”为宝的绿色能源化学理念;构建了新型光催化反应器和高性能光电催化剂;发展了光电协同催化理论在同步去污-制氢反应中的应用。
上海理工大学 2023-05-09
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法,属于光学辐射定 标测量仪器及方法,解决现有测试系统成本昂贵且难以保证测量精度 的问题,以实现光谱响应的高精度测量。本发明的测试系统,包括正 弦调制光源、聚光透镜、单色仪、滤光片轮、暗箱、电机驱动电路, 微控制器控制电路、前置放大电路、正弦锁相放大电路、数据采集卡 和计算机,所述正弦调制光源为正弦调制的白炽灯、卤钨灯或 LED 光 源。本发明使用正弦调制光源,采用可编程器件实现正
华中科技大学 2021-04-14
一种三维量子阱结构光电裸芯片
一种三维量子阱结构光电裸芯片,属于一种量子阱结构光电裸芯片,解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括:衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层,所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致,均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列,或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积,在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配,克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题;本实用
华中科技大学 2021-04-14
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