MICROTEST 6632 阻抗分析仪 10Hz-50MHz ‒可选购PC连线软件 ‒内建直流偏置电压 ±12 V ‒开路 / 短路 / 负载校正功能 ‒输出阻抗 25Ω/100Ω 可切换 ‒稳定快速 < 3mS测试(最快挡位) ‒精准量测压电/超声器件之导纳圆绘图 ‒ 磁性材料/铁氧体/磁芯测量导磁系数μr ‒比较器功能/Handler接口/BIN分类功能 ‒自动电平控制 (ALC) 功能精准测量MLCC元件 ‒ 基本阻抗量测精度 ±0.08% ( 典型值 ±0.05%) ‒ 高分子材料/介质材料/电化学阻抗测量介电常数εr ‒ 电感I sat/ I rms电流分析(选购DC偏流源6243/6223) -信号源频率范围：DC, 10Hz-1/3/5/10/20/30MHz/50MHz ‒电容/半导体材料/变容二级管量测DC偏压特性(C-V 曲线) ‒提供数字电桥模式、多步测试、图形扫图、等效电路模型分析 ‒电桥模式下最多可显示四组参数，电感值及 DCR 值可同时显示 ‒ 支援RS-232、GPIB、Handler、LAN、USB Host/Device通信接口   7   种不同的模型，结合不同类型的参数 ( 电阻、电感、电容 ) 目的是用三个或四个元素对阻抗与频率特性进行建模。仿真自己的等效电路参数的阻抗轨迹值 然后将其与实际测量轨迹进行比较和参考自谐振频率 (SRF) 汽车电源模块中越来越多采用多层 PCB 板绕组而成电感线圈的结构，因 PCB 蚀刻制程中寄 生于铜箔绕组上的寄生电容、阻值损耗，会降低整体的电感量造成共振频率 SRF 偏移，这些 PCB 不良品可能导致成品组装测试出现 NG 可利用 6632 测量   PCB 线圈板重要参数 L/Q/DCR/Rs/SRF 6632 内建公式直接算出材料介电数值 εr'、εr"。评估 PCB 空板或陶瓷板等 66302内建公式直接算各种环形磁芯或铁氧体磁芯及电磁屏蔽涂层材料的导磁系数 μr'、μr"   内置DC偏压12V 无需外挂电源，满足电容性测试电压特性如半导体材料、变容二极管、OLED调光测试 可利用 6632 阻抗分析仪等效电路模型分析，检视无线充电感应线圈，如同电容特性会有高阻抗 在高频阶段如同电感性会有高阻抗，最重要的分界点为共振频率，透过绘图分析功能检视寄电 容与串联等效电阻对整体阻抗特性的影响程度   导纳圆分析超声波阻抗更直观，透过扫图快速确认关键参数如:Fs/Fp/Qm/Kp (机电耦合系数 ) 对于天线在实际运用上搭载周边的线路时，针对发射端，天线一般连接在功率放大器 (PA) 另一接收端，天线会接上 LNA，对于天线最重的的特性即是阻抗的匹配，达到最大的功率输出 可利用 6632 阻抗分析仪等效电路模型分析，检视天线在低频阶段，如同电容特性会有高阻抗 在高频阶段如同电感性会有高阻抗，最重要的分界点为共振频率，透过绘图分析功能检视寄电 容与串联等效电阻对整体阻抗特性的影响程度       关注微信公众号，看产品视频  

产品详细介绍该仪器已获国家专利，专利号201120337217.3。产品介绍:         我公司自主研制的热分析仪系列产品主要面向工业用户、科研与教学，广泛应用于各类材料与化学领域的新品研发，工艺优化与质检质控等。主要测量与热量有关的物理和化学的变化，如物质的熔点熔化热、结晶点结晶热、相变反应热、热稳定性（氧化诱导期）、玻璃化转变温度等。卞舒芹15312021471技术参数:  1. 温度范围: 室温~1350℃   2. 量程范围: 0～±2000μV   3. DTA精度: ±0.1μV    4. 升温速率: 1～80℃/min   5. 温度分辨率: 0.1℃   6. 温度准确度: ±0.1℃   7. 温度重复性: ±0.1℃   8. 温度控制: 升温：程序控制  可根据需要进行参数的调整              降温：风冷  程序控制                 恒温：程序控制  恒温时间任意设定 9. 炉体结构: 炉体采用上开盖式结构，代替了传统的升降炉体，精度高，易于操作 10.气氛控制: 内部程序自动切换 11.数据接口: 标准USB接口   配套数据线和操作软件 12.显示方式: 24bit色，7寸 LCD触摸屏显示 13.参数标准: 配有标准物，带有一键校准功能，用户可自行对温度进行校正 14.基线调整: 用户可通过基线的斜率和截距来调整基线 15.工作电源: AC 220V   50Hz

本发明公开了一种光电复合式水下湿插拔连接器，插座部分以及与之配合的插头部分；插头部分包括插头外壳，插头外壳里面设置有插头内腔，所述插头内腔中设置有贯穿其中并伸出所述插头内腔的电插针，电插针中段布置有与插座部分内部上下移动件配合的斜坡，电插针的后端中心贯穿设置插头光纤，电插针前端头部呈凸球状；插座部分包括能伸入所述插头外壳中的插座外壳，所述插座外壳里面设置有插座内腔，插座内腔里面设置有电连接部分和插座光纤部分；插座外壳和所述插头外壳上分别设置有穿通其的第一进水槽和第二进水槽，所述插头内腔和所述插座内腔中都充满绝缘油。本发明能够保证深水环境的可靠连接。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

所属领域：新能源与节能环保成果介绍：针对化工行业高毒性、低阈值VOCs，研发新型光电催化氧化技术，大大提高VOCs的去除效率，减少污染物的排放。

实验上测量了800nm和400nm园偏振激光与Xe原子相互作用作用的多光子电离过程，通过冷靶电子离子动量谱仪，实现光电子能谱和动量谱的高精度测量。实验上，发现在400nm波长条件下，测量到可分辨多光子特征的电子能谱和动量谱结构。由于Xe原子具有很强的自旋轨道耦合效应，实验上观测到3/2P（红色箭头）和1/2P（白色箭头）引起的能级分裂的动量分布和能量分布.而对于1/2P能级，在园偏振激光作用下，可以选择性性激发自旋向下或自旋向上的电子 [图1（d）]，因此，可以通过1/2P能级可以实现高自旋极化度的光电子。

本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片 外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构

疾病标志物的发现与鉴定对于疾病早期诊断、预防、治疗与预后具有重要意义，其状态的改变与疾病的发生与发展情况密切相关。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 疾病标志物的发现与鉴定对于疾病早期诊断、预防、治疗与预后具有重要意义，其状态的改变与疾病的发生与发展情况密切相关。基于化学修饰电极的生物传感器可将电极表面生物分子反应产生的信息直接转换为电信号加以输出，有望为癌症、传染性疾病、炎症等重大疾病的标志物检测提供快速、便捷的自动化方法。然而，抗原及抗体蛋白质等生物分子与电极界面的电荷传输机制尚不明晰，制约了这一传感技术在疾病标志物检测中的发展与应用。

本项目研发“微米芯片光源”、“纳米吸附催化”、“电芬顿”技术高效集成的水污染物深度净化装置。该项目立足先进技术集成，与现有污水处理工艺兼容，实现传统环保设备的升级和设施的提标改造，围绕我省钱塘江流域年创收可达数亿元；相关技术转让费用千万元以上。项目已获得的成果有授权发明专利 2项，实用新型专利 2 项，已制备了一套难降解有机废水光催化反应装置。为满足高污染污水处理厂较大日处理能力的需求，在浙江恒成实业有限公司将技术与设备进一步组合和放大，为实现实际水处理工程建设奠定基础。同时提升重点水域污染控治水平，满足水环境质量和饮水安全要求，实现污染物减排、促进经济发展模式优化和社会经济可持续发展。