本发明公开了一种电子辐照加速器的电压故障监测系统及方法， 包括用于分别测量 n 个待测点电压的 n 个电压检测器、通信节点网络 和数据库；所述通信节点网络由 n 个通信节点单元和一个网络接入点 单元构成星型拓扑结构，n 个通信节点单元通过无线通信的方式与所 述网络接入点单元连接；所述网络接入点单元通过网线与所述数据库 连接；n 个电压检测器的输入端分别用于连接加速器中 n 个电压待测 点，采集待测点的电压，n 个电压检测器的输出端分别与 n 个通信节 点单元连接；根据数据库中的数据以及预先设定的故障

本新技术成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310005129.7），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘恒定导通时间调制电压型控制方法及其装置，根据输出电压与电压基准值的关系，采用恒定导通、关断、恒定导通组成的控制时序，或关断、恒定导通、关断组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。该成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等多种拓扑结构的开关变换器，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，稳压精度高。

产品详细介绍

竞赛机器人性能测试及显示装置，可应用于机器人轨迹赛，如机器人直线行走、直线花样行走、直线绕障行走、按规定图形行走竞赛等，使竞赛规则更为直观、明朗，减小竞赛结果判断的人为误差。将该竞赛机器人性能测试及显示装置应用于机器人性能的评价，为生产者、销售者和购置者提供更为统一、直观、准确的评价标准。进一步扩展该竞赛机器人性能测试及显示装置，如使系统自动升降、倾斜等，可进一步丰富机器人竞赛规则、完善机器人性能评价标准。利用竞赛机器人性能测试及显示装置反馈的机器人性能信息，可进行更为深入的机器人研究开发，例如应用于人形机器人步态规划中，可推动机器人研究事业的发展。该成果已获专利 2 项，发表英文学术论文 2 篇。

一种机床末端三维静刚度的测试装置，动力装置采用额定载荷 高的液压装置，传力装置采用传动效率高、结构可靠的圆筒式直线导 轨副结构，结构简单紧凑、传力效率高，加载过程平滑、稳定，传力 装置与机床末端的连接采用弹簧柔性连接，能有效吸收外界干扰形成 的附加位移和附加荷载，有效保护机床末端结构。一种机床末端三维 静刚度测试装置的控制系统，能自动控制加载、测量、计算静刚度的 全过程，界面友好、控制精准。一种机床末端三维静刚度的测试方法， 单向加载机构配合机床本身的回转功能实现三维加载，采用控制系统 装置和控制系统控制测试全过程，方法操作简单、测量精度高。 

一种机床末端三维静刚度的测试装置，动力装置采用额定载荷高的液压装置，传力装置采用传动效率高、结构可靠的圆筒式直线导轨副结构，结构简单紧凑、传力效率高，加载过程平滑、稳定，传力装置与机床末端的连接采用弹簧柔性连接，能有效吸收外界干扰形成的附加位移和附加荷载，有效保护机床末端结构。一种机床末端三维静刚度测试装置的控制系统，能自动控制加载、测量、计算静刚度的全过程，界面友好、控制精准。一种机床末端三维静刚度的测试方法，单向加载机构配合机床本身的回转功能实现三维加载，采用控制系统装置和控制系统控制测试全过程

本发明公开了一种光电复合式水下湿插拔连接器，插座部分以及与之配合的插头部分；插头部分包括插头外壳，插头外壳里面设置有插头内腔，所述插头内腔中设置有贯穿其中并伸出所述插头内腔的电插针，电插针中段布置有与插座部分内部上下移动件配合的斜坡，电插针的后端中心贯穿设置插头光纤，电插针前端头部呈凸球状；插座部分包括能伸入所述插头外壳中的插座外壳，所述插座外壳里面设置有插座内腔，插座内腔里面设置有电连接部分和插座光纤部分；插座外壳和所述插头外壳上分别设置有穿通其的第一进水槽和第二进水槽，所述插头内腔和所述插座内腔中都充满绝缘油。本发明能够保证深水环境的可靠连接。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

所属领域：新能源与节能环保成果介绍：针对化工行业高毒性、低阈值VOCs，研发新型光电催化氧化技术，大大提高VOCs的去除效率，减少污染物的排放。

实验上测量了800nm和400nm园偏振激光与Xe原子相互作用作用的多光子电离过程，通过冷靶电子离子动量谱仪，实现光电子能谱和动量谱的高精度测量。实验上，发现在400nm波长条件下，测量到可分辨多光子特征的电子能谱和动量谱结构。由于Xe原子具有很强的自旋轨道耦合效应，实验上观测到3/2P（红色箭头）和1/2P（白色箭头）引起的能级分裂的动量分布和能量分布.而对于1/2P能级，在园偏振激光作用下，可以选择性性激发自旋向下或自旋向上的电子 [图1（d）]，因此，可以通过1/2P能级可以实现高自旋极化度的光电子。