高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
交流伺服驱动器母线电压的软启动方法及装置
本发明公开了一种交流伺服驱动器直流母线的软启动方法,包 括:根据三相交流电压获得等周期的同步脉冲信号,该同步脉冲信号 的上升沿对应的时刻即为三相交流电压任一个周期的起始时刻;判断 输入的三相交流电压的相序,并根据相序确定出三相交流电压中任一 相在三相半控整流桥中所对应的可控硅;根据三相交流电压中该任一 相的起始时刻,逐步减小其对应的可控硅的移相触发角,并在相应的 移相触发角时刻控制所述对应的可控硅导通,使得直流母线的电压逐 渐上升,实现软启动。本发明还公开了一种实现软启动的装置。本发 明的母线排结构紧凑,减小了驱动器的体积,另外采用 FPGA 控制软 启动过程,省去了专用的集成控制芯片,抗干扰性强、适用范围广。 
华中科技大学 2021-04-11
一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源
一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源,设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作,基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理,采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF,温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测,经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路,高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中,实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
东南大学 2021-04-11
Biosafer液晶型超声波破碎仪
Biosafer超声波破碎仪用于小分量的多种动植物、病毒、细胞、细菌及组织的破碎,同时可用来乳化、分立、匀化、提取、消泡、清晰、纳米材料的制备、分散及加速化学反应等。仪器被广泛应用于生物学、微生物学、物理学、动物学、农学、制药、化工、污水处理、纳米材料等领域,也可用于产生波提取、超声波材料制备、超声波萃取、超声波乳化等。 产品特点: 大屏幕液晶显示。                  微电脑控制,可储存20组工作数据。 超声时间,超声功率均可设置。 超声功率自动检测,防止超声功率随样品温度的变化而变化。 集成温度控制防止样品过热。 频率自动跟踪,故障自动报警。   技术参数: 小容量样品 型号 Biosafer150-96 Biosafer250-88 Biosafer500 Biosafer650-92 Biosafer900-92 功率 1.5-150W 2.5-250W 5-500W 6.5-650W 9-900W 破碎容量 0.1-150ML 0.1-300ML 0.1-400ML 0.1-500ML 0.1-600ML 单次超声时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 单次间隙时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 总时间 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 频率范围 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 温控范围(选配) 0-100度 0-100度 0-100度 0-100度 0-100度 标配变幅杆(mm) Φ6 Φ6 Φ6 Φ6 Φ6 选配变幅杆(mm) Φ2、3、8 Φ2、3、8、10 Φ2、3、8、10 Φ2、3、10、12 Φ2、3、10、12、15 数据储存 20组 20组 20组 20组 20组 语音报警和提示功能 有 有 有 有 有 主机尺寸(深*宽*高mm) 410*225*290 410*225*290 410*225*290 410*225*290 410*225*290 隔音箱尺寸(长*宽*高 mm) 350*350*550 350*350*550 350*350*550 350*350*550 350*350*550           大容量样品 型号 Biosafer1000 Biosafer1200-98 Biosafer1800-99 功率 10-1000W 12-1200W 18-1800W 破碎容量 0.1-750ML 1-1000ML 1-1200ML 单次超声时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 单次间隙时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 总时间 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 频率范围 20-25KHz 19.5-20.5KHz 19.5-20.5KHz 温控范围(选配) 0-100度 0-100度 0-100度 标配变幅杆(mm) Φ6 Φ20 Φ22 选配变幅杆(mm) Φ2、3、8、10、12、15 Φ3、6、10、15、22、25 Φ3、6、10、15、20、25、28 数据储存 20组 20组 20组 语音报警和提示功能 有 有 有 主机尺寸(深*宽*高mm) 410*225*290 410*225*290 510*225*290 隔音箱尺寸(长*宽*高 mm) 350*350*550 350*350*550 430*415*730  
南京赛飞生物科技有限公司 2026-01-15
疾病生物标志物的质谱超高灵敏检测和成像新方法
膜蛋白生物标志物的超高灵敏度、高通量、多目标及操作简便的常压敞开式质谱(AMS)免疫分析新方法。该方法可实现微升级体液中或几十个细胞表面的疾病蛋白标志物的原位检测,检测灵敏度达zeptomole(zmol)水平。实现了血清样品中CA125等生物标志物的检测,有望用于卵巢癌和乳腺癌的早期诊断。该平台还可实现低至25个细胞水平的OVCAR-3和MCF-7细胞表面的重要三种生物标志物(CA125、CEA和EpCAM)的同时、原位表达差异测定,显示了超高的灵敏度和多目标同时检测能力,且具有普适性和可拓展性。
北京大学 2021-04-11
基于超材料的毫米波单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种神经轴突牵拉生长装置,由培养与牵拉控制系统和机械装置两部分组成。其中,培养与牵拉控制系统包括有细胞培养箱、上位机、控制器和步进电机,机械装置包括有连接步进电机的联轴器、滚珠丝杆直线滑台、牵拉连接块、细胞牵拉生长装置、装置支撑架、底座。控制器连接并驱动步进电机旋转,带动联轴器一端的滚珠丝杆直线滑台产生位移,细胞牵拉生长装置固定在装置支撑架上,通过固定在直线滑台上的牵拉连接块而间接牵拉神经轴突。通过
华中科技大学 2021-04-14
一种基于谱峭度的局部放电信号识别方法
"本发明为一种基于谱峭度的局部放电信号识别方法,首先通过短时傅立叶变换估计含噪信号的谱峭度,根据谱峭度与Wiener滤波之间的关系设计自适应最优带通滤波器,对含噪局部放电信号进行滤波,再进行2-3层的小波平滑去噪,得出比较理想的局部放电信号特征。该算法简单,计算方便,避免了小波去噪方法在信噪比较低时分解层数较多,容易丢失原有局部放电信号特征信息的缺点,大大提高了信噪比,而且失真度小,与理想局部放电信号的波形相似度最大。 "
西南交通大学 2016-10-19
一种螺旋光束轨道角动量谱的检测装置和检测方法
本发明公开了一种螺旋光束轨道角动量谱的检测装置和检测方法,检测装置包括顺着光束传播路径设置的半波片、空间光调制器、聚焦透镜、孔径光阑和光纤耦合头,光纤耦合头通过单模光纤与数据采集模块相连,数据采集模块与控制模块相连,空间光调制器也与控制模块电连接;该检测方法通过观察待测螺旋光束的衍射光场中基模高斯光束经耦合输出后的光功率谱,可得到待测螺旋光束具有的轨道角动量值或轨道角动量谱;该装置不仅可以实现对任意轨道角动量值的螺旋光束的快速检测,同时,能够实现对螺旋光束轨道角动量谱的准确测量。
西南交通大学 2016-10-19
可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜及其制备方法与应用
本发明属于杀菌材料制备技术领域,具体涉及可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜及其制备方法与应用。其是在纳米纤维膜上共价接枝光敏剂制得,光敏剂为维生素B<subgt;2</subgt;和维生素K<subgt;3</subgt;。该可见光驱动广谱杀菌纳米纤维膜具有稳定的光敏特性,以及共价接枝解决了光敏剂易脱落的缺点。
上海理工大学 2021-01-12
移动开闭式光电复合水下湿插拔连接器
本发明公开了一种移动开闭式光电复合水下湿插拔连接器,包括插头部分和与之配合使用的插座部分;插头部分的主体为插头内腔,插头内腔的后部设置后端腹板并形成插头尾腔;插头内腔和插头尾腔中间贯穿设置插头光电插芯;插头内腔内充满绝缘油;插头内腔内部设置楔形的第一推杆,插头内腔前部设置前端腹板和中间支撑板,前端腹板和中间支撑板之间形成的空间设置第一上下移动件,中间开有通孔,通过移动件的运动来开启和闭合插芯连接的通路;插座部分与插头部分采用类似的结构形成接插通路;同时,插头部分和插座部分均设置压力平衡装置;本发明集成了光信号和电力传输,充分考虑了内外压力平衡,能够保证深水环境的可靠连接。
东南大学 2021-04-11
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
(专利号:ZL 201310038265.6) 简介:本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法,属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底,所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成,在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层,掺杂类型为N型;所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层,从内到外依次为:第二掺杂层和第三掺杂层,所述的第二掺杂层掺杂类型为P型,所述第三掺杂层掺杂类型为N型;所述硅面一侧设置有开关的阳极
安徽工业大学 2021-01-12
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 19 20 21
  • ...
  • 200 201 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1