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Aigtek 西安安泰电子 ATX-100S系列导通线束测试仪
西安安泰电子科技有限公司
2022-05-27
Aigtek 西安安泰电子ATX-3000S系列台式线束测试仪
西安安泰电子科技有限公司
2022-05-27
西安交大科研人员在多波长高性能二硫化钼场效应晶体管光电探测器的研究取得新进展
近日，西安交通大学电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室任巍教授和牛刚教授团队利用机械剥离获得少层二硫化钼材料制备具有背栅结构和纳米级沟道长度的光电晶体管，实现了较高探测率(＞1013Jones)和响应率(＞103A/W)。
西安交通大学
2023-02-02
上海中医药大学杨莉团队在Mass Spectrometry Reviews发表质谱成像技术应用于药物安全性评价研究的综述文章
近日，我校杨莉研究员团队受邀在质谱研究领域国际著名期刊Mass Spectrometry Reviews发表综述文章，题为Advances in mass spectrometry imaging for toxicological analysis and safety evaluation of pharmaceuticals。文章系统总结了基于“空间辨析、原位表征”理念的质谱成像分析技术在药物安全性评价中的应用进展。
上海中医药大学
2022-10-12
云上高博会寄语—电子科技大学校长曾勇
电子科技大学校长曾勇寄语云上高博会，积极推进中国高等教育博览会“线上+线下”融合发展。
云上高博会
2020-09-22
南京大学场发射扫描电子显微镜系统公开招标公告
南京大学场发射扫描电子显微镜系统 招标项目的潜在投标人应在中招联合招标采购平台网址为：http://www.365trade.com.cn/获取招标文件，并于2022年06月29日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。
南京大学
2022-06-09
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本发明公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（1
华中科技大学
2021-01-12
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本实用新型公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（10），实现
华中科技大学
2021-01-12
全电子式智能型（节能型）电弧焊机防触电保护器
1、使用该装置，则电焊把手处的空载电压不大于3V（峰峰值），该电压既不会直接也不会间接导致电焊工伤亡事故。目前市场上销售量的同类产品的空载电压24V（有效值）； 2、该产品具有非常明显的节能效果，不使用该产品，电弧焊机的空载能耗约为1000W以上，使用该产品，电弧焊机的空载能耗不大于1W； 3、该产品为智能化产品，体积小(是目前市场上销售量最大的产品的1/2以下)，重量轻，便于安装且即接即用无需调试（其它产品大多需现场调试），免维护（其它产品维修率高），对应用环境要求低（能用电焊机的地方都可用），接线简单，相当于串接供电开关，且含漏电保护功能； 4、该产品的加工及调试简单，核心控制系统模块化，不需要高水平的技工； 5、产该产品只需计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地。 应用范围： 2005年国家安全生产条列规定，每个电弧焊机必须安装该产品，且5年强制报废。据权威部门统计，目前，我国电弧焊机保有量约500万台。 预期效果： 该产品的材料成本不高于300元，销售额约700元，1个生产人员年产量约12000台，每个生产人员年毛利480万。 生产该产品只需要计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地，不需要太多资金；而且该产品的加工及调试简单，核心控制系统已经模块化，生产不需要高水平的技工，且单人可生产。
北京交通大学
2021-04-13
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11