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BEX-8509 金属电子逸出功实验装置
实验原理   金属中存在大量的自由电子,但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量,因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量,这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作,很多电子器件都与电子发射有关,如电视机的电子枪,它的发射效果会影响电视机的质量,因此研究这种材料的物理性质,对提高材料的性能是十分重要的。   仪器概述 本实验通过测量金属钨的电子逸出功,将钨丝作为“理想”二极管阴极材料,阳极做成与阴极共轴的圆柱,把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验,综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法和补偿测量法等基本实验方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此,这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座:理想真空二极管插在独立的管座之上,并且配有透明的亚克力保护罩,既可以直观的观察真空二极管的工作状态,还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图,可以使得学生更好的理解整个实验原理。 精确的阳极电流测量模块:阳极电流测量模块采用微安级电流放大器,采用四位半数显表,测量范围可达0.1uA~20mA,可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块:阳极电压输出采用线性电源,输出幅度达到0~160.0V,可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口:实验电源配置2个模拟数据采集接口,可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件,可以实时地采集大量的数据来分析测试结果,方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 表1:在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值,作 lgIa~√Ua 图,得到不同温度下的截距 lgI 填入表2。   表2: 在不同温度T时所算得的 lg( I / T2) 和 1/T 的值 根据表2作 lg( I / T2) ~1/T 图,求直线斜率 m 直线斜率:m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功(功函数)eφ = 4.53 eV 与逸出功(功函数)公认值 eφ=4.54eV 相比的相对误差:Er = 0.33%   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    理想真空二极管盒   BEM-5716 连接导线,香蕉插头,0.8米,红   BC-105084   【2】 连接导线,香蕉插头,0.8米,黑   BC-105083   【2】 连接导线, 1m, 红   BC-105074 连接导线, 1m, 黑   BC-105073 电源线   BC-105075 用户手册   CD-M-BEX-8509B
上海科铭仪器有限公司 2021-12-17
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镇江凯奇智能科技有限公司 2022-05-27
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广州奕触科技有限公司 2025-08-12
一种检测TNF-α的光电免疫传感器及其制备方法和应用
本发明公开了一种检测TNF?α的光电免疫传感器及其制备方法和应用,光基底电极表面依次经GO?PTC?NH2溶液、anti?TNF?α溶液修饰,所述基底电极为玻碳电极或氧化铟锡半导体电极。本发明利用GO?PTC?NH2纳米复合物制备光电免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法,与传统的酶联免疫吸附以及PCR等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速的特点,所使用的光电探针摒弃了传统金属材料等的光腐蚀等弊端,稳定性较好且负载量大,功能化基团多,便于修饰。
东南大学 2021-04-11
加工第三代半导体晶片光电化学机械抛光技术
第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点,已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件,其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而,氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性,半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此,我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术,不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片(如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h,比目前的化学机械抛光的高约10倍),而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单,技术具有完全的自主知识产权。
厦门大学 2021-04-10
一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法
本发明公开了一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法,该光电逻辑门包括相互配合使用的第一正光电导器件和第一负光电导器件,用于接收第一光信号;第一正光电导器件采用二氧化锡纳米颗粒;第一负光电导器件采用二氧化锡/碳纳米管复合材料;第一正光电导器件和第一负光电导器件均具有供能电极和输出电极;第一正光电导器件的输出电极与第一负光电导器件的输出电极相连,作为输出逻辑运算结果的端口用于输出逻辑运算结果,该逻辑运算结果受第一光信号影响。本发明利用二氧化锡/碳纳米管复合材料的负光电导效应,提高了负光电导器件
华中科技大学 2021-04-14
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器,属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术,通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数,在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长,然后利用透明导电玻璃直接贴压法,得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单,材料成本低廉,在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学 2021-04-14
新型人工电磁材料的开发与应用 (左右手复合材料)
围绕新型人工电磁材料传输特性、对称及非对称人工电磁材料、人工电磁材料对天线及其现代通信各频段天线性能改进等现代应用,申报相关国家发明专利40多项,其中20多项已经获得授权,可以针对不同应用解决新型人工电磁材料系列核心技术问题,达到微细结构设计、特性精确控制(调控)。主要合作单位有福建星海通信科技有限公司和中国船舶重工集团公司第七二五研究所厦门分部等。
厦门大学 2021-04-11
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