产品详细介绍分析型酶标板冷冻专用离心机性能特点：1、微机控制，触摸面板，LCD显示。2、采用交流变频电机，全封闭风冷谷轮压缩机组，无氟制冷剂。3、可直接设定转速，自动计算RCF值。可直接设定RCF值，自动转换成转速。4、具有10档升降速。5、运行中可修改参数，运行参数自动记忆。6、具有10种自定义程序存储功能。7、具有软刹车功能。8、具有转子号识别功能。9、具有超温、超速、不平衡和门盖安全保护功能，并在显示窗口显示故障信息和声音报警。    分析型酶标板冷冻专用离心机技术参数：型号名称： Happy-TL4M酶标板冷冻离心机显示方式： LCD最高转速： 4000rpm转速精度： ±30rpm最大相对离心力： 2300×g最大容量： 2×2×96孔控温范围： －20～40℃控温精度： ±1℃定时范围： 0～99h59min59s电机： 交流变频制冷系统： 全封闭风冷谷轮压缩机组，无氟制冷剂门锁： 电子门锁噪音： ≤60dB电源： AC220V，50Hz，1.75kW，20A内胆材质： 不锈钢箱体材质： 优质钢板外形尺寸： 670×650×390mm重量： 100kg    分析型酶标板冷冻专用离心机转子：NO.1水平酶标板转子： 4000rpm，2300×g，2×2×48孔，钢、不锈钢材质NO.2水平酶标板转子： 4000rpm，2300×g，2×2×96孔，钢、不锈钢材质    想了解更多信息，请进入http://www.fudizao.com    

产品详细介绍GR电子分析天平是日本A&D公司最新研制的高精度、多功能的电子天平。经严格的测试完全符合我国的计量标准，获我国技术监督局颁发的<进口器具型式批准证书>。主要特性：l         日本原装进口，所有部件均由A&D精密打造。l         传感器内部分辨率高达1/10,000,000，四级防震。l         内藏校正砝码，单健校正功能（One Touch Calibration），简化以往繁琐校正步骤，仅需按一下校正专用键（CAL）即可自动完成l         全天候自动自我校正系统（Automatic Self Calibration）在接上电源后天平会自动侦测环境，当环境温度和湿度产生变化时，天平不需人为操作即可全自动启动内藏砝码自动自我校正以适应温度的变化。即使在待机状态下此功能也会自动启动。l         自我检查功能，可藉由内藏砝码天平可做自我检查。l         全数字内置砝码值修正功能，保持高可靠性的称量精度。l         自动环境侦测，自动/手动调整三段FAST MID SLOW 反应速度。适应周围环境中的振动和气流对天平在自动环境侦测，自动/手动调整三段FAST MID SLOW 反应速度。称量中的影响。l         超大称自动环境侦测，自动/手动调整三段FAST MID SLOW 反应速度。称盘尺寸：直径85mm。称量室尺寸：178（W）×160（D）×233（H）mm。l         具有百分比（Pct）功能，适用于重量检测或配方检测。l         高精度计数功能，自动计算零件单重，配合ACAL(自动精度提高)功能，自动提高计量的精确度。l         内置比重直读（DS）软件，选配密度配件。并可由面板输入温度参数或液体密度，而实现固体物料比重直读。l         下挂钩功能，可用于测量特殊重力或磁性物品。l         多种称重单位（g,mg,PCS,%,OZ, OZt,ct,mom,dwt,GN,TL,t,M），可适应不同的计量标准。如：克，毫克，克拉，两，格令，盎司，百分比和件数等。(具体单位请参考说明书)l         方便的人性化门控制杆，可在前面直接控制侧门。l         强大的数据存储功能，可存储200组称重数据。并可以选用间隔存储或周期性存储称重数据。l       配置标准RS-232C通讯接口，方便数据的传输及与外部设备的双向控制。l       内建GLP/GMP/ISO软件，并可设定识别号码（ID Number）配合原厂打印机AD-8121可实现日期，时间，识别号码，天平序号，校正数据，单重，总重，次数，最大值，最小值，平均值，标准差的打印输出。l       附送原厂开发的WinCT软件。可将数据自动输入Windows/Office/Excel等系统内。可实现统计，绘图，曲线等工作。l      具有备忘卡设计，方便使用者随时查阅。型号规格：    

项目成果/简介:1991 年发现的碳纳米管（CNT）以及 2004 年发现的石墨烯（graphene），分别是一维和二维纳米材料的典型代表，被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法，实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备（图 1），纯度达 70%以上，并达到了产业化规模（达 200 公斤/年以上）。采用机械共混及"原位"聚合 等方法，使SWNTs 有效地分散于高分子基质中，获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料，电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，实现了石墨烯的百克级制备（图 2）。通过透射电子显微镜（图 3）及原子力显微镜（图 4）确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜（图 5）；制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制，包括应用于国家 863 重大汽车电池项目（中科院物理所）和军工卫星电池项目（中国电子科技集团公司第十八研究所）等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器（图 6）以及高性能复合材料等多种产品，具有广阔的应用前景。应用范围:南开大学在碳纳米材料的制备及应用研究方面取得了一批开创性成果，该项目技术的推广，将促进我国新材料、微电子、储能、资源保护等领域的技术进步和发展，为我国在这一新型纳米材料领域占据有利地位，提高国际竞争力，做出重要贡献。

1991 年发现的碳纳米管（CNT）以及 2004 年发现的石墨烯（graphene），分别是一维和二维纳米材料的典型代表，被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法，实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备（图 1），纯度达 70%以上，并达到了产业化规模（达 200 公斤/年以上）。采用机械共混及"原位"聚合 等方法，使SWNTs 有效地分散于高分子基质中，获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料，电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，实现了石墨烯的百克级制备（图 2）。通过透射电子显微镜（图 3）及原子力显微镜（图 4）确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜（图 5）；制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制，包括应用于国家 863 重大汽车电池项目（中科院物理所）和军工卫星电池项目（中国电子科技集团公司第十八研究所）等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器（图 6）以及高性能复合材料等多种产品，具有广阔的应用前景。

1991年发现的碳纳米管（CNT）以及2004年发现的石墨烯（graphene），分别是一维和二维纳米材料的典型代表，被认为是21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备SWNTs的方法，实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备（图1），纯度达70%以上，并达到了产业化规模（达200公斤/年以上）。 采用机械共混及"原位"聚合等方法，使SWNTs有效地分散于高分子基质中，获得了以环氧树脂、ABS及聚氨酯等为基质材料，电导率达0.2 S/cm、导

1991 年发现的碳纳米管（CNT）以及 2004 年发现的石墨烯（graphene），分别是一维和二维纳米材料的典型代表，被认为是 21 世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法，实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备（图 1），纯度达 70%以上，并达到了产业化规模（达 200 公斤/年以上）。采用机械共混及"原位"聚合等方法，使 SWNTs 有效地分散于高分子基质中，获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料，电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯（SPFGraphene）的方法，实现了石墨烯的百克级制备（图 2）。通过透射电子显微镜（图 3）及原子力显微镜（图 4）确定了石墨烯的二维平面结构。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先