氧化钇稳定氧化锆是一种重要的先进结构和功能陶瓷材料。团队发明的一步式水热合成法，在高温高压气液共存环境中，利用水合基团反应制备氧化锆晶体，具有纳米级尺寸、极少团聚、极少缺陷等优良性质。     产品在液相中结晶，避免了硬团聚和晶体缺陷。

XM-602马体针灸穴位模型   XM-602马体针灸穴位模型供兽医作参考用，显示马体左半部114个常用穴位，穴位用数字标注，右半部显示解剖面。 尺寸：缩小，25×24×7cm 材质：PVC材料

XM-921牙体病变模型   XM-921牙体病变模型由左侧上颌骨和下颌骨2部件组成，显示正常牙、龋齿、牙髓炎、根尖坏死、牙周炎和根尖脓肿等病理过程，共有20个部位指示数字标识标志及对应文字说明。 尺寸：18×16.5×6cm 材质：PVC材料

XM-605猪体针灸模型   XM-605猪体针灸模型供兽医作参考用，左侧示雄性大白猪的体型，以及自头颈部、躯干、臀尾部和前后肢分布的常用针穴55个，右侧示浅层肌肉，并切除体壁，示脊柱和内脏结构。 尺寸：缩小，22×12×6cm 材质：PVC材料

XM-921牙体病变模型   XM-921牙体病变模型由左侧上颌骨和下颌骨2部件组成，显示正常牙、龋齿、牙髓炎、根尖坏死、牙周炎和根尖脓肿等病理过程，共有20个部位指示数字标识标志及对应文字说明。 尺寸：18×16.5×6cm 材质：PVC材料

软性握把，多重把位 专业的软性握把，具有良好的舒适性，提升用户运动中的安全指数。 多重把手带动上肢运动达到全身运动。 11.6 超大LED显示屏 用户可通过触摸选择不同等级阻力和锻炼模式，操作更加直观、反应灵敏。 阻力系统：20 种阻力级别 踏步行程：250mm 跨步行程：700mm 整机尺寸：1535×920×1595（mm） 包装尺寸：1660×990×1580（mm） 净重/毛重：188/244kg 最大承重：150kg

鼎软天下TMS运输管理系统，作为国内TMS系统市场中知名度与成熟度兼具的标杆产品，凭借强大的场景适配能力，广泛适用于制造业、三方物流、电商零售、冷链运输、跨境物流等多个领域。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明公开了一种基于平板显示ＴＦＴ基板的大面积红外探测器件及其驱动方法，采用薄膜晶体管基板，并采用化学溶液法制备ＰｂＳ或者Ｇｅ半导体量子点，作为光电转换材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低温旋涂、喷墨打印或者转印等方法，沉积可传感红外信号的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子点层；在量子点光电转换层上利用溅射方法制备对红外吸收较少的公共导电层；薄膜晶体管背板的像素源电极、量子点光电转换层，以及透明电极构成红外光敏电阻结构，该光敏电阻吸收红外信号后，产生光生载流子，从而改变电阻的阻值。本发明提出的红外探测器件成像面积大，

忆阻器具有运行功耗低、读写速度快、集成密度高等优势，在信息存储、逻辑运算、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的一种变革性技术。