产品详细介绍 中银科技BOCT液晶电子白板多媒体教学一体机 

产品详细介绍 中银/BOCT 98英寸触控多媒体教学一体机

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

（专利号：ZL 201410219036.9） 简介：本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，

（专利号：ZL 201410219065.5） 简介：本发明公开了一种硼化铌纳米粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该方法首先在熔融盐环境中以单质硼还原五氧化二铌，然后通过用热水浸润溶解熔盐及反应产生的三氧化二硼得到纳米硼化铌粉体。本发明具有制备工艺简单，成本低廉、合成温度低(800～1000℃)，合成时间短(1～4h)，合成粉体纯度高，粒径小等特点。本发明所得到的硼化铌纳米粉体可用于制备超高温陶瓷、耐磨材料和超导材料。

本发明公开了一种微环波导器件，包括微环谐振腔、直波导、第一支架、第二支架和衬底；其中，第一支架用于支撑直波导，第二支架用于支撑微环谐振腔，以使微环谐振腔与直波导悬空；微环谐振腔与直波导相互耦合；外部注入的光场通过直波导耦合进入微环谐振腔中，满足微环谐振条件的光场在微环谐振腔中激发出声场，通过悬空的微环谐振腔将产生的声场限制在微环谐振腔中进行传输，进而产生前向布里渊效应；本发明提供的这种悬空的微环波导器件具有布里

本发明公开了一种微型皮拉尼计的制备方法及其与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。

提出了一种采用脱细胞全肝器官作为透明化离体模型对血管栓塞进行评估的新策略。近年来脱细胞技术主要应用于可再生器官重建，该研究创新通过严格控制的脱细胞灌注方法开发了透明化离体肝脏，在脱洗细胞的同时保留了肝内的细胞外基质和整个脉管系统。相较于天然不透明的肝脏，脱细胞肝脏获得了半透明的外观，其脉管系统可以通过各种成像工具进行可视化，包括明场显微镜、荧光显微

凌云多店铺进销存系统零售版主要针对零售店铺日常业务的商品入库、采购退货、销售出库、销售退换货、盘点、财务管理等工作。全面反映门店的采购、销售、损耗、财务情况，为多店铺的决策提供了正确的支持平台，帮助门店更有效、更全面地管理商品，是一款适合零售型的服装、箱包、装饰品、童装、内衣店等单店铺或多店铺使用的零售店铺进销存。