项目成果/简介:本发明提供了一种基于生物信息学的方法构建蔷薇科原始染色体的方法及其应用。本发明方法是通过对比苹果、草莓和梅花三个蔷薇科已知基因数据，鉴定同源基因，确定参考物种染色体间关系，确定已测序物种与参考物种染色体间关系，从而构建蔷薇科原始染色体和确定测序物种从祖先染色体的进化历史。

成果介绍一种框构、框构体及其预制和建造方法，所述框构是以至少两个预制框件垂直组合连接或以至少一个预制框件与其它构件垂直组合连接形成的组合结构。框构包括墙框构、板框构、墙板框构。所述框构体是以框构作为其中的组合结构形成的空间结构体。以框构组成的框构体，具有重量轻、强度高、延性好的结构性能，同时具有大件预制、快速装配、方便连接的建造性能，可以便于优化组合型钢构件和混凝土构件的应用，可以灵活采用预应力配筋，可以便于建筑分隔墙体和楼板的配置。本发明可广泛应用于各种民用建筑，尤其适用于住宅建筑、医院建筑、宾馆建筑、学校建筑。技术创新点及参数本发明提供一种框构、框构体及其预制和建造方法，目的在于有效解决传统结构， 尤其钢筋混凝土预制装配结构的构件制作零散、安装就位困难、结构连接复杂的技术问题， 并解决钢筋混凝土结构厚重，以及抗震构造复杂、抗震措施不清晰的技术问题。市场前景本发明的框构体，具有重量轻、强度高、延性好的结构性能，同时具有大 件预制、快速装配、方便连接的建造性能，可以便于优化组合型钢构件和混凝土构件的应 用，可以灵活采用预应力配筋，可以便于建筑分隔墙体和楼板的配置。本发明可广泛应用于各种民用建筑，尤其适用于多层、高层住宅建筑、医院建筑、 宾馆建筑、学校建筑等的重型结构。

本发明公开了一种抗微动损伤的骨内牙种植体，由基桩、颈部和有外螺纹的体部构成，其中种植体的颈部的周面分为舌侧区、颊侧区、近中区、远中区四个区域；近中区、远中区表面涂覆有羟基磷灰石/四方氧化锆复合陶瓷涂层，舌侧区、颊侧区涂覆有羟基磷灰石涂层；体部的外螺纹的螺纹牙顶和螺纹牙底均为弧形。

本发明涉及一种真空微电子及纳米材料，具体涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，属纳米应用技术领域。本发明通过对碳纳米管进行纯化和酸化处理，使碳纳米管均匀分散于环氧树脂基体，固化之后得到性能良好的碳纳米管/环氧树脂场发射体。本发明具有如下的有益效果：(1)制备技术简便，成本低，可做成任意形状的大面积场发射体；(2)碳纳米管与环氧树脂的界面结合强度大，碳纳米管的附着性好，抗离子轰击能力强。(3)发射电流大，电流稳定。

本发明提供了一种制备螺旋碳纳米管宏观体的方法，属于材料科学技术领域。其做法是先将一般的碳纳米管经过滤法制备得到碳纳米管基础材料，然后在其上与内部负载生长螺旋碳纳米管的催化剂，最后将螺旋碳纳米管生长于碳纳米管基础材料内部和表面，形成由螺旋碳纳米管穿插和包裹一般碳纳米管而组成的螺旋碳纳米管宏观体。通过这种制备螺旋碳纳米管宏观体的方法，可获得富含螺旋碳纳米管的碳材料宏观体，能在使用过程中保持螺旋碳纳米管的形貌结构，充分发挥螺旋碳纳米管的特有性能。且操作简单，产量大，适合批量生产。

本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制 备方法包括步骤 S1：在洁净的 Si 衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上 制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在 布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层 异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由 BST 薄膜、 BZT 薄膜或 BZN 薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成 晶化薄膜；S6：在

本发明公开了一种多面体空腔结构的发射成像设备，其包括相互连接的上支撑架和上多面体空腔结构以及相互连接的下支撑架和下 多面体空腔结构，上支撑架和下支撑架通过连杆相连，其中:上多面 体空腔结构由多个腔体结构的多边形模块构成，多个多边形模块的外 侧面依次两两拼接组成中空的多面体空腔结构，该多面体空腔结构的 中空部位嵌装有一多边形模块;下多面体空腔结构同样由多个腔体结 构的多边形模块构成;滑动装置包括滑块和导轨，滑块与多边形模块 相连，其在动力机构的驱动下相对导轨滑动;导轨与下支撑架相连， 其一端与多边形模

项目成果/简介:本发明公开了一种刺槐的离体培养和植株再生的方法，以不同胚龄的合子胚为外植体，以ms基本培养基+mes？500mg/l+谷氨酰胺250mg/l+水解酪蛋白500mg/l+萘乙酸0.1-1.0mg/l+6-苄氨基腺嘌呤0-1.0mg/l+蔗糖30g/l+琼脂6g/l为体细胞胚诱导培养基，直接诱导获得刺槐体细胞原胚，然后进行体细胞胚的成熟、萌发、壮苗培养获得再生植株。本发明方法中体细胞胚的诱导

本发明具体涉及一种六方氮化硼粉体及其制备方法。其技术方案是：先按脲醛树脂与水的质量比为1∶(0.2——1)将脲醛树脂与水混合，得到脲醛树脂水溶液；再按含硼化合物中的硼元素与脲醛树脂水溶液中的氮元素的质量比为1∶(1.5——4)将含硼化合物加入到脲醛树脂水溶液中，搅拌10——50min；然后在80——100℃条件下干燥，干燥后球磨0.5——3h；最后在氮气气氛和1000——1600℃条件下保温1——5小时，随炉冷却至室温，得到六方氮化硼粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。 （注：本项目发布于2014年）

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).