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磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备及高效光电转换器件
1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位,其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右,但它们需要比较多的单晶硅材料,生产成本高。而对于多晶硅,由于缺陷较多,转换效率比较低。III-V族材料转换效率高,但是材料和生产成本居高不下,难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本,但是由于纳米柱结构具有很大的表面积,载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能,而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法,目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备,另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中,利用刻蚀气体中加入氢气,可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备,通过控制刻蚀时间及氢气含量,精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度,相比于其他生长径向同质结的方法,本方法设备简单,制备效率高。在降低成本方面,纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应,只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作,优化和固定产品制作工艺流程,降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。
清华大学 2022-03-09
一种具有微结构的a-Fe2o3光电极的制备方法
一种具有微纳结构的α-Fe2O3光电极的制备方法,具体作法是:取不锈钢片和钛片,用砂纸抛光,清洗,将洗净的材料超声处理,取出备用;配制电镀液,以钛片做阴极,不锈钢片做阳极,采用稳压直流电源电镀时间分别3-5s,室温30℃,电镀完后将钛片取出,洗净,晾干,得纳米铁立方体,再将覆盖有纳米铁立方体的钛片至于马弗炉中焙烧,取出即得微纳结构的α-Fe2O3光电极。该方法设备简单,能耗低,适合大规模生产;同时用该法制备的所制得的微纳结构的α-Fe2O3呈球形,可以对光进行全方位的反射,同时微米球表面分布很多纳米带,可进一步增强电极的比表面积,作为光电极,其光的利用率高,电流密度大。
西南交通大学 2016-10-20
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
一种变压器有载分接开关的参数测试方法及装置
本发明提供一种变压器有载分接开关的参数测试方法及装置,该方法包括获取变压器有载分接开关的交流电压波形以及过渡电流波形;通过对过渡电流波形进行派克变换,计算电流幅值,根据电流幅值变化数据通过离线辨识算法,判定变压器有载分接开关切换过程各阶段,得出相应的过渡时间,计算变压器有载分接开关过渡电阻瞬时值。本发明通过对交流过渡电流信号进行派克变换,并设计离线辨识算法,准确计算出过渡电阻瞬时值,作为变压器有载分接开关是否正常的判据。保障了变压器有载分接开关的安全使用。与传统的交流测试法相比较,本发明能够准确辨识有载分接开关过渡过程各个阶段并计算出过渡电阻值,误差小,符合国家电力行业标准。
中国农业大学 2021-04-11
降压型单电感双输出支路开关变换器的控制方法及控制装置
本发明公开了一种降压型单电感双输出开关变换器的控制方法及控制装置。本发明的控制方法通过调整控制选通信号序列中的高电平时钟周期数和低电平时钟周期数,可高效实时地调整第一输出支路与第二输出支路的功率比,使两输出支路的输出功率分配更合理。本发明的降压型单电感双输出开关变换器实现对第一输出支路和第二输出支路的输出功率动态分配,使得在优先满足负载供电的前提下,依然能保证对电池充电,而这两部分的功率的总和能够控制在一个较稳定的范围内,相比现有技术,即使输入额定功率较小,也可满足第一输出支路负载的正常工作。
浙江大学 2021-04-11
Switched Reluctance Motor Drive for Electric Vehicles 5KW电动汽车开关磁阻电机驱动系统
Technical parameters: (1) SRM Power rating: 3~10kW or Customizable Rotational speed: 0~6000rpm or Customizable Efficiency: > 90% (2) Controller Power: 3~10kW or Customizable Voltage: 36~96VDC or Customizable System efficiency: > 90% Speed range: 0~6000rpm or Customizable Starting torque: 4TN Locked-rotor torque: 6TN Working environment: -20℃~55℃ Communication mode: CAN bus Contact Information: Prof. Jun Cai, Novel Motor Drive and Control Research Team, C-MEIC, Nanjing University of Information Science and Technology Email: j.cai@nuist.edu.cn
南京信息工程大学 2021-04-26
应用于超高频的大功率高隔离度天线收发开关
本实用新型公开了一种应用于超高频的大功率高隔离度天线收发开关,包括用于选择不同信号通路 的模拟开关组,用于模拟开关组控制逻辑产生的控制逻辑发生器以及用于提供能量的供电电源,模拟开 关组与天线、发射机、接收机相连,控制逻辑发生器的输入与控制信号相连,输出与模拟开关组相连, 供电电源分别与控制逻辑发生器、模拟开关组相连。本实用新型所述的天线收发开关,通过外部提供的 控制逻辑,控制天线与发射机相连还是接收机相连,实现雷达发射与接收天线共用。通过测试,
武汉大学 2021-04-14
一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置
本实用新型公开了一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置,通过限定电感电流峰值和谷值的大小,完成对变换器中主开关管和支路开关管的控制,实现各个输出支路的独立调节。与工作在连续导电模式的传统单电感双输出开关变换器相比,本实用新型具有稳定性好,可靠性高,抗干扰能力强,输入、负载瞬态响应速度快,输出支路间的交叉影响小等优点,可用于控制单电感双输出拓扑结构的多种变换器,诸如:Buck变换器、Boost变换器、Buck-boost变换器、Bipolar变换器等。
西南交通大学 2016-10-24
一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关
本实用新型涉及电子通信技术,具体涉及一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关,包括发射 端、接收端、天线端和电源;包括与所述电源连接的驱动电路、低通滤波器以及拓扑结构;所述驱动电 路利用二极管 PIN 为核心器件,采用 MOS 管驱动二极管 PIN;所述低通滤波器采用二阶 LC 低通滤波 器;所述拓扑结构是在发射端至天线端与天线端至接收端采用串并拓扑结构形成单刀双掷开关。该收发 开关满足单根天线实现收发切换的要求,插入损耗小且隔离度较高,结
武汉大学 2021-04-14
开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置
本成果来自国家科技计划项目,现已结题,并获国家发明专利授权(ZL201320031915.X),知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置,根据基准电压Vref和输出电压Vos经过误差补偿器后生成的控制电压Vc与输出电压Vos的关系,结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间,产生三段时间t1、t2和t3,每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序,控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器,其优点是:负载瞬态响应速度快,稳压精度高,稳定性好。
西南交通大学 2016-06-27
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