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一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。
西南交通大学 2016-10-20
光电盘
280mm×290mm×260mm,高压电驱动,光电人体感应。
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列;采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法,控制溅射时间,在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜,制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应,在360nm紫外光照射下,电压为5V时,明暗电流比为5.5×103,提高了一个数量级,同时具有更快速的响应和恢复时间,分别是0.883和0.956s。
东南大学 2021-04-11
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学 2021-04-11
生命探测雷达
达依据微波雷达原理,发射电磁波穿过墙体等障碍物探测目标,接收来自目标的电磁反射波,利用人体的肢体运动或呼吸、心脏跳动等对电磁波产生的频率调制检测人体的生命特征信号。系统由频率综合源、天线、发射机、接收机、信号处理机、显示器和电源等组成,频率综合源产生系统所需的发射信号和参考信号,发射机将发射信号放大,经环形器、天线辐射到空间。人体电磁反射信号经天线、环形器后进入接收机,接收机将回波信号放大、混频后经相干检波器输出视频正交信号,经A/D变换后对回波信号进行数字信号处理,抑制固定杂波、检测人体低速运动回
西安电子科技大学 2021-04-14
光电轮廓仪
纳米科技是21世纪材料技术革命的核心,而纳米测量是纳米技术中重要环节,我校研制的光电轮廓仪是纳米测量的重要仪器之一。该仪器除在计量系统作为传递基准仪外,也可广泛用于材料科学、生物学、化学、微机械学以及半导体工业等领域中的纳米分析测量。   仪器主要技术指标为:   测量方法:非接触式、三维、光学相移干涉法   物镜倍率:40X   测量范围:0.1×0.1mm   测量列阵:510×510象素   最小显示值:0.1nm   测量表面粗糙度范围:Ra~0.1nm-120nm   最大可测量台阶和孔深:1100nm   仪器Ra测量重复性:Ra≤1nm
上海理工大学 2021-04-11
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料,在外加磁场的作用下,液体的粘度发生很大的变化,具有很大的抗剪切力,易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件,它们可以用于车辆悬挂系统,土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力,且
西安交通大学 2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级,驱动电流增大2 倍,驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术,与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好,有助于降低制造成本,提高良品率,具有很高的技术价值。
中国科学院大学 2021-01-12
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