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光电效应(普朗克常数)实验仪 COC-GD-S
实验内容 1、了解光电效应的规律,加深对光的量子性的理解; 2、测量普朗克常数 h; 3、测量光电管的伏安特性曲线
成都华芯众合电子科技有限公司 2022-06-18
磁-电耦合复合材料与磁探测新方法
在过去的二十年里,磁电材料因其在磁传感器、能量回收器、微机电系统、可调微波器件等工程领域的应用潜力,一直以来得到了研究者的广泛关注。为了实现强的磁电耦合,北京大学工学院的研究者们利用不同的压电和压磁材料制备了诸如0-3型、3-1型、2-2型和2-1型的磁电复合材料。 北京大学工学院实验室通过激光处理压磁材料FeBSi合金(Metglas),提出了1-1型的磁电复合结构。实验测试得出:1-1型磁电材料具有超高的磁电系数(超过7000 V/cm Oe),相比于现有结果提高了接近7倍。当被测磁场频率为复合材料的谐振频率时,在室温条件下测到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla的微弱磁场,这是块体磁电复合材料领域的重要突破。该研究还发现,激光快速退火处理可以显著降低压磁材料在谐振频率点的交流损耗,从而提高1-1型磁电结构的机械品质因子。此外,1维(1D)的结构也有利于降低退磁因子,并增强磁通聚集效应。
北京大学 2021-02-01
磁- 电耦合复合材料与磁探测新方法
项目简介 在过去的二十年里,磁电材料因其在磁传感器、能量回收器、微机电系统、可调微波器件等工程领域的应用潜力,一直以来得到了研究者的广泛关注。为了实现强的磁电耦合,北京大学工学院的研究者们利用不同的压电和压磁材料制备了诸如0-3 型、3-1 型、2-2 型和2-1型的磁电复合材料。北京大学工学院实验室通过激光处理压磁材料FeBSi 合金 (Metglas),提出了1-1 型的磁电复合结构。实验测试得出:1-1 型磁电材料具有超高的磁电系数(超过7000 V/cm Oe),相比于现有结果提高了接近7 倍。当被测磁场频率为复合材料的谐振频率时,在室温条件下测到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla 的微弱磁场,这是块体磁电复合材料领域的重要突破。该研究还发现,激光快速退火处理可以显著降低压磁材料在谐振频率点的交流损耗,从而提高1-1 型磁电结构的机械品质因子。此外,1 维(1D)的结构也有利于降低退磁因子,并增强磁通聚集效应。应用范围基于磁电耦合效应,该项研究课题组首次提出了磁电磁通门的结构设计,旨在对微弱直流磁场进行探测。这个磁电磁通门具有梭形结构,对于1nT 的直流磁场输入,磁电磁通门输出信号的相对变化相比现有的结果提高了4-5 倍,为磁异常探测在导航、医学诊断等领域的应用创造了可能。项目阶段本课题组同内窥镜团队合作,发展了基于磁电耦合原理的磁电传感器阵列和磁成像系统,研制了国内首台磁电磁成像样机。该样机核心组成部分由56 路磁电传感器、驱动电路、信号采集与处理、磁成像显示等构成。该磁成像系统不仅能够检测磁性金属物的存在,而且还能准确判断其位置、姿态,定位偏差纵向在1.2cm 以内,横向偏差在0.5cm 以内。另外,通过对金属棒扫描和采集信号的微分处理,还可以判断金属棒的长、径比值。该项研究提出的磁成像系统在安检、医学上人体内磁性药囊实时监测方面具有较大应用价值。知识产权已申请相关专利。合作方式 技术转让、合作开发。
北京大学 2021-04-11
一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片,包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块
华中科技大学 2021-04-10
一种新型电离层探测仪发射系统
本实用新型属于电子通信技术领域,尤其涉及一种新型电离层探测仪发射系统,包括计算机,与所 述计算机连接的USB接口芯片,与所述USB接口芯片连接的主控制器FPGA,以及与所述主控制器FPGA 连接的接收系统,还包括依次连接的波形产生模块、功率放大模块和收发开关模块;所述收发开关模块 与所述接收系统连接;所述主控制器 FPGA 分别与所述波形产生模块、功率放大模块和收发开关模块连 接。可获得高质量的电离层探测回波信息,能够满足常规的电离层探测需求。该电离层探测仪发射系统 使得原来的收发天线分置可改进为收发共用一副天线,简化了探测系统的硬件结构,降低了成本、丰富 了探测方式和改善了探测效果,降低了系统的架设难度和对场地的要求。 
武汉大学 2021-04-13
一种脉冲磁体绝缘故障探测装置及方法
本发明公开了一种脉冲磁体绝缘故障探测装置及方法,该装置包括多根支撑杆、多个探测线圈、第一法兰盘和第二法兰盘;其中一根支撑杆位于脉冲磁体中心,其余支撑杆位于脉冲磁体外侧;各支撑杆上设有多个探测线圈;多个探测线圈对称分布于支撑杆上,处于对称位置的探测线圈串联,其余的两个端口由导线引出连接到外部的采集信号通道接口;各支撑杆的一端固定在第一法兰盘上,另一端固定在第二法兰盘上;第一法兰盘固定在脉冲磁体一端,第二法兰盘固定在脉冲磁体的另一端;所有设在支撑杆上的探测线圈构成探测线圈阵列,将脉冲磁体网格化,根据探测
华中科技大学 2021-04-14
一种基于波矢测量的红外成像探测芯片
本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片,包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块;其中,面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处,被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器,每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元;面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜,每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像
华中科技大学 2021-04-14
一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片
本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片,包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块;液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块,各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸,被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块,其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块;被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块,并且各面阵可见光探
华中科技大学 2021-04-14
一种高功率微波打火探测系统及方法
本发明公开了一种高功率微波打火探测系统,包括方波发生器、 发光二极管、本底光传输光纤、至少一根弧光探测光纤、光电转换电 路、信号放大电路、阈值电压产生电路、第一电压比较器和第二电压 比较器;发光二极管、二极管、本底光传输光纤依次连接;本底光传 输光纤的输出端置于本底光输入孔内,弧光探测光纤的输入端则置于 弧光探测孔内;弧光探测光纤、光电转换电路、信号放大电路、阈值 电压产生电路依次连接;而第一电压比较器和第二电压比较器的比较 端连接信号放大电路,参考端连接阈值电压产生电路;本发明将本底 光引入高功率
华中科技大学 2021-04-14
三维光电子集成研究上的重要进展
近几年,硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前,解决的办法之一是引入光子学器件,部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件,这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力,同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战,是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作,提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统,该系统与现有的COMS制备工艺兼容,可以实现光子学和电子学的三维集成和互联,为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路,包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括:1. 使用低温COMS兼容制备工艺,可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统;2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺,使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容;3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近,便于集成;4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段,这是硅材料无法做到的;5. 光电探测器工作于光伏模式,可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成,可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能,同时,有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献:Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).
北京大学 2021-04-11
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