本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。

本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得

本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。 

本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得

本发明公开了一种燃料电池膜电极组件的层合装置，包括：分别沿着不同输送路径输送两组复合膜层的第一和第二输送机构，对两组复合膜层执行层合处理的层合机构，对层合后膜层执行对齐检测的对齐检测机构，以及对齐调整单元；其中第一、第二输送机构分别用于输送对应模切有多个模切框的第一、第二复合膜层；对齐检测机构用于对层合后膜层采集其模切框图像；对齐调整单元根据对齐检测机构所获得的模切框图像，计算其间距值并相应调整第二输送机构的输送调节，从而实现两组复合膜层的对齐及层合。本发明还公开了相应的层合方法。通过本发明，可以使

本项目从电器极间电弧放电特性、电接触表面动力学特性的界定及分析、电接触材料的转移、电弧对电接触材料的侵蚀机理和电接触数学模型五个方面进行实验、分析和理论研究。揭示了金属蒸汽电弧比气体电弧对触头材料侵蚀严重的本质；首次建立了反映电弧状态转换规律的蝴蝶型突变模型：首次建立了反映电弧状态转换规律的蝴蝶型突变模型：首次提出并界定了受电弧能量作用的电接触表面动力学特

本发明公开了一种用于直流电晕放电烟气治理的分离式喷嘴电极系统。系统包括锯齿形电极、管式喷嘴等，在齿形电极一端设有电极柄，管式喷嘴一端封闭，在管式喷管上纵向设有两排喷吹孔，每排喷吹孔均匀分布，齿形电极两侧对称布置两个管式喷嘴，管式喷嘴的喷嘴和锯齿形电极的锯齿对齐布置，在电极柄上添加正高压，由锯齿形电极通过锯齿电晕放电，电极气经管式喷嘴通过喷吹孔喷出，从而形成电晕放电区域。本发明具有以下优点：1)锯齿形电极加工及生产方便且管式喷嘴的加工工艺简单；2)能耗省，电晕效果好，污染物去除效率高；3)可以结合静电除尘器使用，实现除尘净化一体化。

本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法， 该方法包括如下步骤： （1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层； （2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘； （3）用 PDMS 模板作为压印 模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构； （4）用氧等离子体 进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构； （5）将跨尺度的光刻胶阵 列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。 该方法简单，便 于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积 和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物 芯片和微型传感器等微机电系统领域。

本发明公开了一种光电复合式水下湿插拔连接器，插座部分以及与之配合的插头部分；插头部分包括插头外壳，插头外壳里面设置有插头内腔，所述插头内腔中设置有贯穿其中并伸出所述插头内腔的电插针，电插针中段布置有与插座部分内部上下移动件配合的斜坡，电插针的后端中心贯穿设置插头光纤，电插针前端头部呈凸球状；插座部分包括能伸入所述插头外壳中的插座外壳，所述插座外壳里面设置有插座内腔，插座内腔里面设置有电连接部分和插座光纤部分；插座外壳和所述插头外壳上分别设置有穿通其的第一进水槽和第二进水槽，所述插头内腔和所述插座内腔中都充满绝缘油。本发明能够保证深水环境的可靠连接。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).