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基于
光电
读出技术的浓度检测
浓度是衡量工业产品质量的一项非常重要的指标,采用光学原理测量浓度的方法如旋光法、分光光度法、干涉法、折射率法等,光学方法采用非接触式测量手段能够方便快速测量液体浓度,但诸多光学方法存在成本高、灵敏度低和测量范围窄等不足之处,为了避免现有技术所存在的不足,提出了一种基于光电读出技术的浓度检测仪,在降低装置成本的基础上能有效提高光电检测透明溶液浓度的灵敏度,并实现设备小型化。
安徽理工大学
2021-04-13
智能
光电
检测系列产品
振幅测量不但可广泛应用于材料的探伤,机械系统的故障诊断,结构件的动态特性分析及振动的有限元计算结果验证,而且在噪声消除以及超声电机的研究中发挥着重要的作用。目前国内外进行振动测量大多采用加速度传感器和激光多普勒测振,但是它们都只能进行单点测量,因而测量速度很慢。近年来,电子散斑振动测量发展很快。大振幅测量系统国内外已有初级产品出售,其价格也非常昂贵。价格高
西安交通大学
2021-01-12
光电
感烟探测器
产品详细介绍 ExodusOH是一款采用光学与热源多功能结合的烟感探测器,通过热源后增强处理,数字式漂移补偿功能与先进的微处理技术相结合,对快燃性火警具有超强探测灵敏度。同时,精致的光学室具有超强的抗误报能力。适用于:住宅区、办公商务场所或容易发生火警的场所。
北京赢科迅捷科技发展有限公司
2021-08-23
微仪
光电
(天津)有限公司
微仪光电(天津)有限公司
2022-05-24
创维
光电
科技(深圳)有限公司
创维光电科技(深圳)有限公司
2022-11-01
一种
光电
化学太阳能电池
光电
极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>,将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
一种
光电
化学太阳能电池
光电
极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2,将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14
微流
芯片
及利用微流
芯片
制备聚合物微球技术
已有样品/n该项目所开发的仪器设备可以实现对FNRBCs 准确、高效、快速、低廉的分离与富集,并进行基因组层面的全面分析,为无创性产前诊断技术的发展及相关科学研究的深入提供有力的推动和支撑平台。项目团队在该研究领域进行了长期的研究工作,积累了大量经验,并取得了一定成绩。该成果,方法独特,效果明显并成功用于三体综合症检测。
武汉大学
2021-01-12
新型含碲
光电
功能晶体及器件
"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体,在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽,双折射大,易生长,物理化学稳定等优点,是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权,可以生长出大尺寸(≥50 x 50 x 100 mm3),高质量(光学均匀性≤10-5)的单晶;并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制,偏振棱镜消光比>30000:1,达到高质量冰洲石器件水平;声光调Q器件衍射效率>84%,高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平,器件设计具有国际、国内专利,总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖,主要用于先进光学及其电学领域,如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计,目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件,在满足现有要求的基础上,填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外,独立的知识产权有利于产品推广,具有重要的社会和经济效益。 "
山东大学
2021-04-10
高性能红外
光电
探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景,比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说,一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战;另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境,极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率(小于 10
南京大学
2021-04-14
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