产品详细介绍     【1路高清+2路高清SDI采集卡】     【应用领域】 1、教育课件录制、多媒体录播录像、会议录制、视频会议，远程教育培训； 2、大屏幕拼接、电视墙行业、虚拟演播室、虚拟现实、工控、游戏机等设备； 3、安检 X 光机、雷达图像信号、VDR纪录仪；   【产品特点】 · 可同时采集1路通用高清视频信号，2路SD/HD/3G-SDI模拟双声道音频信号。 · VGA输入信号可达640×400-2048×1536，像素率低于170MHz即可。 · VGA接口可以通过转接线缆采集分量信号。 · 微软AVStream标准驱动，可支持大部分Windows上的多媒体视频软件或流媒体软件。   【高级特性】 · 高性能DMA传输功能。 · VGA输入支持自动输入视频格式侦测，自动视频有效区域侦测，自动VGA采集相位调节。 · VGA信号提供安全模式，支持采集最大行采样数小于等于4095内的VGA信号。 · 支持手工设定有效画面区域功能，可用于画面的剪裁和对特殊输入信号时序的支持。 · 支持多阶画面缩放功能，具有三种针对画面宽高比的缩放模式。 · 支持垂直滤波和运动自适应去隔行功能。 · 硬件色彩转换，可输出RGB24，RGB32，YUY2，UYVY，I420色彩格式。 · VGA输入支持色彩调节功能，可调节画面的对比度、亮度、色彩饱和度、色相、Gamma;并可单独调节R，G，B三色的亮度、对比度。 · 支持画面水平、垂直反转功能。   【产品规格】 几何尺寸：117mm x94.67mm 主机接口：PCI-Express x4, Half-length,*700MB/s 传输带宽 输入接口： 1个DVI-I 接口 (可转接HDMI，VGA，YPbPr) 2个BNC接口 (接 2 路SD/HD/3G-SDI信号) 最大采样率：CVBS：54MHz (4x Oversampling) RGB/分量：170MHz HDMI/DVI：225MHz SDI最大采样速率：3G 板载内存：256MB DDR2，工作频率为 160 Mhz，位宽64bit VGA输入格式：640x400-2048x1536，像素率低于170MHz即可 分量输入格式：480i、576i、480p，576p，720p，1080i，1080p HDMI输入格式： 符合HDMI 1.3 标准，支持36bit DeepColor CVBS输入格式 标准PAL/NTSC SDI输入格式 SD/HD/3G-SDI，符合SMPTE-259/274/296/372/424/425/292标准 输出图像格式大小：40x30-2048x1536，帧率： 1-100 fps，色彩：YUY2, UYVY, RGB24, RGB32, I420 操作系统支持：Windows® XP Professional, Windows® Server 2003, Windows Vista®, Windows® Server 2008 and Windows® 7 (x86) 功耗：<= 8W  

Biosafer超声波破碎仪用于小分量的多种动植物、病毒、细胞、细菌及组织的破碎，同时可用来乳化、分立、匀化、提取、消泡、清晰、纳米材料的制备、分散及加速化学反应等。仪器被广泛应用于生物学、微生物学、物理学、动物学、农学、制药、化工、污水处理、纳米材料等领域,也可用于产生波提取、超声波材料制备、超声波萃取、超声波乳化等。 产品特点： 大屏幕液晶显示。                  微电脑控制，可储存20组工作数据。 超声时间,超声功率均可设置。 超声功率自动检测，防止超声功率随样品温度的变化而变化。 集成温度控制防止样品过热。 频率自动跟踪，故障自动报警。   技术参数： 小容量样品 型号 Biosafer150-96 Biosafer250-88 Biosafer500 Biosafer650-92 Biosafer900-92 功率 1.5-150W 2.5-250W 5-500W 6.5-650W 9-900W 破碎容量 0.1-150ML 0.1-300ML 0.1-400ML 0.1-500ML 0.1-600ML 单次超声时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 单次间隙时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 总时间 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 频率范围 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 20-25KHz 温控范围（选配） 0-100度 0-100度 0-100度 0-100度 0-100度 标配变幅杆(mm) Φ6 Φ6 Φ6 Φ6 Φ6 选配变幅杆(mm) Φ2、3、8 Φ2、3、8、10 Φ2、3、8、10 Φ2、3、10、12 Φ2、3、10、12、15 数据储存 20组 20组 20组 20组 20组 语音报警和提示功能 有 有 有 有 有 主机尺寸（深*宽*高mm） 410*225*290 410*225*290 410*225*290 410*225*290 410*225*290 隔音箱尺寸（长*宽*高 mm） 350*350*550 350*350*550 350*350*550 350*350*550 350*350*550           大容量样品 型号 Biosafer1000 Biosafer1200-98 Biosafer1800-99 功率 10-1000W 12-1200W 18-1800W 破碎容量 0.1-750ML 1-1000ML 1-1200ML 单次超声时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 单次间隙时间 0.1-99.9S 0.1-99.9S 0.1-99.9S 总时间 1-99H59M59S 1-99H59M59S 1-99H59M59S 频率范围 20-25KHz 19.5-20.5KHz 19.5-20.5KHz 温控范围（选配） 0-100度 0-100度 0-100度 标配变幅杆(mm) Φ6 Φ20 Φ22 选配变幅杆(mm) Φ2、3、8、10、12、15 Φ3、6、10、15、22、25 Φ3、6、10、15、20、25、28 数据储存 20组 20组 20组 语音报警和提示功能 有 有 有 主机尺寸（深*宽*高mm） 410*225*290 410*225*290 510*225*290 隔音箱尺寸（长*宽*高 mm） 350*350*550 350*350*550 430*415*730  

项目成果/简介: 荧光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）负载抗体等生物大分子针对病毒、细菌和疾病体外检测试剂盒。 技术指标（创新要点等）： 1、使用性能优越的碳量子点取代稳定性差、荧光量子产率低的有机荧光染料和毒性大的无机半导体量子点； 2、通过调节碳量子点的合成原料，使得碳量子点偶联锚定在二氧化硅微球上，且不会引起碳点的荧光猝灭从而有利于连接抗体或生物大分子等，产品具有快速、灵敏度和特异性高等优势。应用范围: 应用领域及预期经济社会效益等： CDs@mSiO2具有经济性、功能性和环境协调性等基本特性，CDs@mSiO2生产效率高、成本低、性能好等优点，可用于病毒、细菌和疾病体外检测。效益分析: 应用领域及预期经济社会效益等： CDs@mSiO2具有经济性、功能性和环境协调性等基本特性，CDs@mSiO2生产效率高、成本低、性能好等优点，可用于病毒、细菌和疾病体外检测。知识产权类型:发明专利知识产权编号:1、发明专利“一种两亲性碳量子点及其制备方法” CN201510213429.3； 2、发明专利“一种氮掺杂碳量子点的简易绿色合成方法” CN201410039846.6； 3、发明专利“一种高强度荧光水凝胶及其制备方法” CN201610060548.4； 4、发明专利“一种超大长径比的碳量子点聚苯胺复合纳米管及其合成方法”201610316536.3； 5、发明专利“一种新型的荧光磁性纳米管材料及其制备方法” CN201410185776.5。技术先进程度:达到国内先进水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无

本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法，包括以下步骤：用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性，再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中，形成半导体量子点墨水，然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合，经过热压成型或挤出成型，得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单，可控性好，可操作性强，易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜，应用于太阳电池，能有效提高太阳电池的利用效率。

北京大学物理学院的贾爽研究员和中科院强磁场科学中心的张警蕾研究员、南方科技大学的卢海舟教授等组成的研究团队对外尔半金属材料TaAs等在强磁场下的磁性质进行了深入研究。利用磁扭矩探测和平行磁化率探测技术，他们发现当外尔电子在强磁场下进入量子极限时，其横向和纵向磁化率都表现出强烈的不饱和性。这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反，是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感，决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级，因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率，无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究，结合了理论计算与强磁场下的实验表征，提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions. 此项工作的通讯作者为贾爽研究员，中科院强磁场科学中心的张警蕾研究员和南方科技大学的卢海舟教授；第一作者为量子材料中心博士生张成龙和南方科技大学的王春明教授。同时，这项研究受到国家自然科学基金（No. U1832214, No.11774007）国家重点研究计划（2018YFA0305601）以及中科院先导研究计划（XDB28000000）等的支持。

荧光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）负载抗体等生物大分子针对病毒、细菌和疾病体外检测试剂盒。 技术指标（创新要点等）： 1、使用性能优越的碳量子点取代稳定性差、荧光量子产率低的有机荧光染料和毒性大的无机半导体量子点； 2、通过调节碳量子点的合成原料，使得碳量子点偶联锚定在二氧化硅微球上，且不会引起碳点的荧光猝灭从而有利于连接抗体或生物大分子等，产品具有快速、灵敏度和特异性高等优势。

量子隧穿是微观世界的基本现象，它是指粒子可以像波一样地穿过有阻碍的区域（即势垒），是微观粒子的波粒二象性的一个具体表现。如今，量子隧穿的概念已经渗透到物理学的方方面面，比如广泛使用的扫描隧道电子显微镜、半导体异质结等。然而，关于量子隧穿却有一个基本问题充满着争议，那就是隧穿的过程是否需要时间？如果需要时间那又该如何测量呢？自量子力学诞生以来，这个问题一直伴随着量子力学的发展而争论至今。 随着超短激光脉冲的问世，人们一直努力、希望在强场隧道电离的范畴来解决这个的重要争议问题。随即，学术界提出了可以通过阿秒钟方案测量隧道电离的发生时间（即时间延迟），阿秒钟巧妙地将隧穿时间延迟转化为光电子发射角的偏移，然而对于实验结果，大家一直未取得一致的看法。学术界通过十多年的研究，基本上形成了两种对立的观点，即瞬时隧穿（隧穿几乎不需要时间）与延时隧穿（隧穿需要百阿秒量级的时间），各自都有相应的理论与实验支持。似乎这两种观点充满矛盾、不可调和！量子隧穿的示意图量子隧穿可以看作是微观粒子的“穿墙术”增强型阿秒钟的原理。（a）线偏振的二次谐波打破了圆偏振的基频光的对称性，标记了最大值激光电场的方向与时刻。（b）不加二次谐波时测量的光电子动量谱。（c）加入标记光场后测量的光电子动量谱。 传统的阿秒钟是采用单个椭圆偏振或近圆偏振的激光脉冲，因此传统阿秒钟的校准依赖于少周期激光的载波包络相位和椭偏率的确定，它们的噪声抖动会给阿秒钟的测量带来很大的误差。日前，北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室“极端光学创新研究团队”刘运全教授和龚旗煌院士领导的研究小组，提出并实现了一种全新改进型阿秒钟，在一束圆偏振飞秒激光场中加入了另一束线偏振的倍频光来校准阿秒钟，使得光电子发射角的偏移量的定标更加精准。这种增强型阿秒钟使得隧穿时间的测量更加准确可靠。理论上还证明了上述两种看似对立的隧穿图像可以被统一在同一个理论框架下进行描述。在强场近似理论框架下，他们分别建立了瞬时隧穿图像以及基于Wigner表象的延时隧穿图像，对于增强型阿秒钟的实验结果，这两种隧穿图像的理论结果都与实验结果相符合。因此，这是第一次使用同一个理论框架和同一个实验完美地统一了这个长期的学术争议，为隧穿时间研究提供一种思路。

在高晶体质量的狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到手征反常导致的负磁电阻效应（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于纳米线比表面积大的优势，测量到起源于拓扑表面态输运的π A-B效应(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他们通过输运测量首次在狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到连续体态和离散表面态耦合产生的Fano共振现象。研究表明直径约为60 nm的Cd3As2纳米线的表面态能带会发生劈裂，通过栅压调制费米能级到一个表面态子能带的带底时，会呈现出零偏压微分电导峰；在磁场作用下，由于塞曼效应，零偏压电导峰会发生劈裂，测量得到表面态的朗德因子为32；Fano共振进一步导致零偏压微分电导峰随偏置电压具有非对称的线形，并可能对材料中起源于“外尔轨道”的量子振荡频率产生修正。这项工作对于深入研究拓扑半金属的输运性质，以及设计实现可电学调控的Fano体系有着重要意义。图1. Cd3As2纳米线中量子限制效应引起的电导振荡；(b)栅压调制的微分电导谱。

本发明属于量子点 LED 封装领域，具体涉及一种高发光效率的量子点白光 LED，其中，LED 芯片固定设置在基板表面，量子点硅纳米球附着在 LED 芯片表面，荧光粉胶将量子点硅纳米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光壳体直接安装在基板上或通过一模塑料固定在基板上方，并将荧光粉胶、LED 芯片和量子点硅纳米球密封在内，透光壳体内的空隙处填充有封装胶。本发明还公开了一种高发光效率的量子点白光 LED 的制备方法。本发明的量子点 LED 能够显著提高白光LED 的发光效率，在生产中能够更加便捷地控制量子点与荧光粉各自的发光光谱，从而得到所需的理想型发光，且可显著减少量子点的用量，节约生产成本。