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电池冲击试验机
产品详细介绍  电池冲击试验机/落球冲击试验机/电池冲击检测仪/电池检测仪/电池落球冲击试验机  ——贝尔专业生产 本公司主要致力于电池冲击试验机的研发与生产,是兼研发、生产、销售于一体的专业试验设备有限公司,我们愿与您携手共创高质量的产品! 因为专业 所以信赖 冲击方式:电池中部放横放一定直径的钢棒,一定重量的物体,从电池上方一定高度自由下落, 砸在钢棒上,钢棒挤压下面电池 型   号 : BE-5066 电池冲击试验机规格参数: 1. 落球重量:9.1kg(可按要求订做) 2. 落下高度:25-610mm (重物可以提起到一定高度,并作放,保证重物在垂直方向自由落体, 不倾斜、不摇晃;跌落高度可按要求订做) 3. 横    杠:15.8mm(垂直横放在电池中部,重物砸落在钢棒上,钢棒保持与锂电池的底面平行; 横杠大小可按要求订做) 4. 内箱材质:SUS#304不锈钢板 5. 外箱材质:冷板烤 6. 填充材质:玻璃棉 7. 迫    紧:硅胶发泡迫紧1条 8. 排 风 口:位于箱体背面150mm 9. 箱    门:单门,双层门,不开观察窗,冷拉手门锁 10. 上下冲击面:钢板 11. 箱体尺寸:约150×90×90cm  12. 电   源:1∮,AC220V,ф5A 感谢您对我们公司产品的关注! 本公司接受订制非标规格电池冲击试验机 贝尔公司专业生产电池冲击试验机/锂电池冲击试验机/电池落球冲击试验机/锂电池落球冲击试验机/手机跌落试验机/电池针刺试验机/电池挤压试验机/塑胶橡胶类试验设备等 关键字:电池冲击试验机,锂电池冲击试验机,电池落球冲击试验机,重物冲击试验机,冲击试验机
东莞市贝尔检测仪器有限公司 2021-08-23
阿童木ATOMOS 电池套装包
产品详细介绍 产品包装内容: 5200mAh电池2个、3倍速快速电池充电器。
北京寰宇佳视技术有限责任公司 2021-08-23
26003原电池实验器
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性:为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件,又可应用于微波器件中,本项目提出了铋镥铁石榴石(BiLuIG)薄膜的设计体系,为了使其同时具有良好的磁光和微波特性,本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方,并选用无铅液相外延技术,大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石(GGG)衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路,解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足,突破纯GGG基片上外延超厚(1-20μm)磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括:(1)BiLuIG薄膜材料的配方设计研究:基于四能级跃迁模型,并结合离子替代规律和多离子掺杂技术,寻找最佳配方;(2)液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究:包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等;(3)材料在器件中的验证研究,设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标:(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义:本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司(中电九所下属)、陕西金山电器有限公司(4390厂)等单位使用,并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品,用于制备磁光和微波器件,受到好评。
电子科技大学 2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石(GGG)衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路,解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足,突破纯GGG基片上外延超厚(1-20μm)磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于红外成像的薄膜测厚仪
本发明公开了一种基于红外成像的薄膜测厚仪,包括光源、准直透镜、分光棱镜、参考路散射玻璃、参考路红外滤光片、参考路反 射镜、测量路散射玻璃、测量路红外滤光片、测量路反射镜、半透半 反分光镜、成像透镜、CCD;测量时参考物经反射镜、分光镜和成像 透镜成像到 CCD 光敏面,被测物经反射镜和成像透镜也成像到 CCD 光敏面,CCD 将图像传送至计算机,经图像处理后根据图像的灰度值 求得被测物的厚度;如此形成双光路测量系统,避免了光源光强变化 的影响;使用散射光透射成像的测量体系,避免了传统红外测厚装置 中存在的干涉影响;设置具有多个局部标准厚度的参考物,该装置可 以获取参考物各个局部标准厚度,从而能够更加精确地测量薄膜厚度。 
华中科技大学 2021-04-11
薄膜蒸发与精馏耦合分离技术及设备
柔性智能互动终端的关键材料与传感器件是实现物联网技术革命的重要技术,柔性透明导电薄膜为其 中不可取代的关键元件。本团队在前期工作中针对纳米银线透明导电薄膜进行了系统的研究,包含材料合 成、导电墨水配方调制、大面积卷对卷制程工艺和柔性触控样机制备,已经初步建立起一条从材料、工艺 到器件应用的产学模式;并做了一系列十余项的专利布局(发明专利12篇,授权专利6篇)。其采用的技 术方法如下: (1)低成本的表面图形化工艺。包含基于光酸显影的可图形化配方调制、基于表面能差异化驱动的 自组装电极图形化,相比较于传统的激光、黄光刻蚀,溶液态的图形化方式成本更低,同时可保证满足柔 性触控传感器的线宽/线距要求; (2)高稳定性的纳米银导电薄膜。基于单分子缓蚀剂修饰的纳米银线稳定性提升方案,相较于业界 传统的单级分子蒸馏存在分离效率不高、能耗 较大和成本较高等问题,而常规精馏方法又会使某 些活性组分发生热变质或分解能等不足。薄膜蒸发 与精馏是一种特殊的液-液分离技术,本技术成果 将薄膜蒸发的高效蒸发性与精密精馏的高分离度融 合于一台完整的设备中,既可避免热敏性物质长期 暴露于加热器内,又可使各组分通过
中山大学 2021-04-10
透明防伪包装薄膜—透明激光全息防伪膜
该成果是原有的铝反射激光全息防伪末的升级替换品。这种薄膜结构简单,仅有信 息层和基底层两层组成。全息图像以激光全息技术拍摄并用激光雕刻和电铸手段,以光 栅条纹的形式复制到镍质金属模版上。以金属模版热压气凝胶或有机高聚物聚氨酯涂层, 形成承载全息图像的信息层,可在薄膜上再现全息图像。
同济大学 2021-04-11
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)本质上是一种场效应晶体管,其电性质与传统的MOS场效应管一样,都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大,这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件,当栅源电压小于阈值电压时器件截止,反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的,它是电压控制器件,不吸收信号源电流,不消耗信号源功率,因此它的输入阻抗很高,它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比,ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性,使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势: (1) ZnO为宽禁带半导体材料,可以避免可见光照射对器件性能的影响,保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响; (2) 提高开口率,提高显示器的亮度,进而可以降低功耗; (3) 如果存储电容也用透明材料制备,制备全透明显示器件便成为可能; (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低,即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜,因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等,这又是柔性显示器成为可能; (5) ZnO具有很好的载流子迁移率,使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流,又有效的抑制关态电流的增加;研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展,具有里程碑的意义,为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学 2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI(图1a)。单晶XRD分析表明,DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好,单体间的π堆积也非常紧密,非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低,有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性,同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能(图1b)。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2  V -1  s -1 ,关电流仅为10 −10 -10 −11 A,因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录,同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料,表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学 2021-04-13
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