高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
3680A/B天馈线测试仪 1Mhz~8GHz
上海启莫科技有限公司 2022-03-17
具有内增塑功能的肠溶型药用包衣聚丙烯酸树脂乳液及制备方 法
本发明是一种具有内增塑功能的肠溶型药用包衣聚丙烯酸树脂乳液,它由以下配比 的原料(质量比)经反应而成:甲基丙烯酸∶甲基丙烯酸甲酯∶甲基丙烯酸丁酯∶复合乳化 剂∶过硫酸钾∶分子量调节剂=1∶(1.20-1.32)∶(1.451.58)∶(0.060-0.080)∶ (0.013-0.025)∶(0.020-0.030)。本发明还公开了种子聚合法制备上述聚丙烯酸树脂乳液的 方法。本发明聚丙烯酸树脂乳胶液属于肠溶型水分散体包衣,具有使用安全、环保、不需加 入增塑剂即可实现高效、高质量包衣的特点。
安徽理工大学 2021-04-13
一种应用于双层包装袋内袋旋转扎口的装置及其扎口方法
本发明提供一种应用于双层包装袋内袋旋转扎口的装置及其扎口方法,所述装置包括位于机架上的 扎带扎口装置(1)、旋转装置(2)、夹袋整形装置(3),其扎口方法步骤如下:(1)夹袋,将通过动力 滚筒输送机输送来的装在木桶中的已扎口的内层包装袋,内层包装袋运动到指定位置时,用旋转装置(2) 
武汉大学 2021-04-14
东南大学三项存内计算研究成果发表于固态电路领域顶会ISSCC
日前,2023年度第70届IEEE国际固态电路会议 (International Solid-State Circuits Conference,ISSCC)在美国举行。东南大学电子科学与工程学院国家ASIC工程中心杨军教授、司鑫副研究员和蔡浩副教授的三项存内计算研究成果在本届会议上发表并作了大会报告。东南大学是本届ISSCC在存储器、存内计算领域报道最多的单位。
东南大学 2023-03-03
一种 H.264/AVC 中 4x4 子宏块的并行帧内预测方法
本发明公开了一种 H.264/AVC 中 4x4 子宏块的并行帧内预测方 法,包括以下步骤:统一帧内预测公式、参考值数组、参考位置表和 并行帧内预测的具体执行步骤,统一帧内预测公式是根据 CUDA 和帧 内预测计算公式的特性改进而成的,通过将 9 种预测模式对应的预测 公式变换成一个计算公式,满足了 CUDA 多线程单指令多数据流的需 求,实现了帧内预测子宏块中细粒度并行,参考值数组及参考位置表 是为了配合统一帧内预
华中科技大学 2021-04-14
新型手性Ir(III)催化剂诱导的分子内碳氢键氨基化反应-γ-内酰胺的高效构筑
基于前期关于双齿导向基团辅助的C-H键活化策略,利用氨基酸作为母体结构,设计合成了一类含有8-氨基喹啉基团的新型手性配体(QAAligands),并制备了相应的手性Ir(III)催化剂。在该催化剂的作用下,可以精准调控二噁唑酮类化合物分子内的C(sp3)-H键胺化反应,以大于99%ee实现γ-内酰胺的高效不对称合成。该类新型催化剂具有一定的类酶特性,可以容忍大量水的存在,并且水的存在对于特定底物具有明显的促进效果。通过对催化剂的单晶结构进行分析,作者发现该类手性Ir(III)催化剂中的五甲基环戊二烯基(Cp*),8-氨基喹啉(AQ)和邻苯二甲酰胺(NPhth)组成了一个规则的沟状手性空腔,金属中心处于手性空腔的内部,从而使其具有优异的立体控制能力。通过与韩国高等技术研究院的SukbokChang教授合作进行计算化学的研究发现手性控制的关键因素是底物中的C-H键与NPhth基团存在多个C-H/π弱相互作用。
南开大学 2021-04-10
反-2-己烯醛及反-2-己烯-1-醇情况简介
研究方向:具有生物活性含磷化合物合成方法研究、糖手性诱导不对 称合成、有机小分子催化剂催化不对称合成、金属-配体络合物催化 不对称合成。项目简介: 反式-2-己烯醛(trans-2-Hexenal),俗称叶醛(leaf aldehyde),检 索美国合成香料手册:其香气为特有的青叶子气味,独特的新鲜感, 俗称青苹果。 反式-2-己烯醛自然界主要存在于西方的鹅耳枥(carpinus betulus), 东方的茶叶油中。由于其独特的香气,常为调香师们爱用的增香剂。 另外,由于其特有的化学结构,它又是合成多种香料必用的原料。如 合成反-2-己烯醇,3-甲巯基己醛,3-巯基己醛等至少不下六种香料, 故市场用量较大。据 2011 年统计,欧美,亚洲市场每年至少需要 800 -1000 吨,国内年需求 50-60 吨。目前市场价 160-180 元/千克,零 售价格约 240 元/千克;年产 600 吨反-2-己烯醛,每年产值不少于 14400 万元,加上 200 吨反-2-己烯醇,每千克价 500-600 元/千克, 产值又增 10000 万元,这些数据为最保守的数据。 查得的原料价格计算生产 1 千克反-2-己烯醛的原料成本约为 58 元/千克,卖价 160-180 元/千克,利润空间相当大。另外由醛还原成 醇(即反-2-己烯醇)原料成本约 120 元/千克,卖价 500-600 元/千 克,同样也有利润可赚。 年产 600 吨反-2-己烯醛,需 5000 升反应釜六个,10000 升釜四 个,精馏塔四个,水循环泵四台,50M3冷凝器三到四个,估算设备费 约 500-600 万元(水、电、气、冷需齐全,未计在内)流动资金 500 万, 厂房面积 2000-3000M2,操作 10-20 人。 生产规模:年产 600 吨反-2-己烯醛,200 吨反-2-己烯醇,投资额: 400 万元。
南开大学 2021-04-11
一种电子封装用SIC∕A1复合材料的制备方法
SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能,在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中,采用无压浸渗法在空气环境下,成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单,设备要求不高,成本低廉,所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节,具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。
西安科技大学 2021-04-11
对于铁基超导材料Sr1-xNaxFe2As2超导机制的研究
当今凝聚态物理研究中最重要的问题之一是揭示磁性材料中的高温超导机制。带有自旋的电子常被认为是局域在磁性离子实周围的,而形成电流的电子则被视为在晶格中巡游。但事实上这两者均为同一粒子。因此,这对立的两面如何共同协助超导形成,是一个非常有趣的问题。这种“非常规”的机制与铜基超导体、铁基超导体以及重费米子超导体都密切相关。 在具有多个电子轨道的体系,例如铁基超导材料中,电子自旋和轨道自由度的相互作用使得这个问题更为复杂。李源研究员与合作者之前的研究报道已经揭示了自旋-轨道耦合对材料的磁性性质有非常重要的影响。他们的实验同时还表明铁基超导材料中的磁性具有巡游与局域的双重特性。这并不是一个完全意外的结果,因为已有的一些理论研究也说明铁基超导体可以被所谓“洪德金属”的模型描述。不过自旋-轨道耦合以怎样的方式影响铁基材料中的超导机理,依然是一个未知的问题。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 现在,李源研究组及合作者采用基于飞行时间原理的中子散射谱学技术,发现在一种铁基超导材料中,有一类特定的磁激发对超导的形成至关重要,其作用机理与材料中的自旋-轨道耦合效应密切相关。这项工作于2019年1月4日发表在《物理评论快报》上。 这项研究针对的是近年来发现的空穴掺杂的“122”体系铁基超导材料中新奇四重对称性磁相。在传统的二重对称性磁相中,电子自旋指向在晶体的ab面内,而在这种新发现的磁相中电子的自旋指向沿晶体的c方向。有这种四重对称性磁相的晶体中超导温度也被压制。该项研究旨在探索超导的压制与四方磁相中探测到的谱学特征的联系。基于这一目的,研究组瞄准了Sr1-xNaxFe2As2这一种有鲁棒性的四方磁相,且较易制备大单晶的铁基超导材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 实验发现,在材料发生从二重对称性(图1a, T = 80 K)转化为四重对称性(图1b, T = 20 K)的相变后,低能的自旋激发发生了显著的变化。根据中子散射截面与散射几何的关系,在L = 1处测量到的信号中c方向的磁激发有更大的比重,而在L = 3处则可探测到更多的ab面内的磁激发。图1d显示,当温度从80 K降到20 K后,由于自旋的方向发生偏转到了c方向,在低能激发中将难以沿c方向时自旋的长短发生改变,因此低能磁激发中c方向的自旋激发被抑制。实验还发现了重要的一点:超导相(图1c, T = 6 K)的自旋激发相对非超导相的自旋激发有轻微的改变,这说明材料超导与的磁性质相关联。进一步的分析(图2)发现,这种改变主要发生在L = 1的位置,这说明在四重对称性磁相中,尽管c方向的磁激发被抑制,但它们仍然是与超导关系最密切的磁激发。这项结果揭示了在多轨道序洪德金属中实现高温超导的一个“兼容性”要求:局域的磁矩必须能够为巡游电子提供后者在实现超导配对过程中所需的磁激发。由于在四重对称性磁相中,该要求恰好不被满足,所以超导温度被抑制。 量子材料科学中心博士研究生郭见青和岳莉为该项工作的共同第一作者。相关的中子散射实验是由日本的MLF, J-Parc用户实验项目支持完成的。这项工作由量子材料科学中心李源研究组和张焱研究组合作完成。研究课题得到了中国自然科学基金委和科技部项目的资助。References:[1] C. Wang et al., Phys. Rev. X 3, 041036 (2013).[2] M. Ma et al., Phys. Rev. X 7, 021025 (2017).[3] Z.P. Yin et al., Nat. Mater. 10, 932 (2011).[4] J. Guo, L. Yue et al., Phys. Rev. Lett. 122, 017001 (2019).
北京大学 2021-04-11
对于铁基超导材料Sr1-xNaxFe2As2超导机制的研究
在具有多个电子轨道的体系,例如铁基超导材料中,电子自旋和轨道自由度的相互作用使得这个问题更为复杂。李源研究员与合作者之前的研究报道已经揭示了自旋-轨道耦合对材料的磁性性质有非常重要的影响。他们的实验同时还表明铁基超导材料中的磁性具有巡游与局域的双重特性。这并不是一个完全意外的结果,因为已有的一些理论研究也说明铁基超导体可以被所谓“洪德金属”的模型描述。不过自旋-轨道耦合以怎样的方式影响铁基材料中的超导机理,依然是一个未知的问题。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 现在,李源研究组及合作者采用基于飞行时间原理的中子散射谱学技术,发现在一种铁基超导材料中,有一类特定的磁激发对超导的形成至关重要,其作用机理与材料中的自旋-轨道耦合效应密切相关。这项工作于2019年1月4日发表在《物理评论快报》上。 这项研究针对的是近年来发现的空穴掺杂的“122”体系铁基超导材料中新奇四重对称性磁相。在传统的二重对称性磁相中,电子自旋指向在晶体的ab面内,而在这种新发现的磁相中电子的自旋指向沿晶体的c方向。有这种四重对称性磁相的晶体中超导温度也被压制。该项研究旨在探索超导的压制与四方磁相中探测到的谱学特征的联系。基于这一目的,研究组瞄准了Sr1-xNaxFe2As2这一种有鲁棒性的四方磁相,且较易制备大单晶的铁基超导材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 实验发现,在材料发生从二重对称性(图1a, T = 80 K)转化为四重对称性(图1b, T = 20 K)的相变后,低能的自旋激发发生了显著的变化。根据中子散射截面与散射几何的关系,在L = 1处测量到的信号中c方向的磁激发有更大的比重,而在L = 3处则可探测到更多的ab面内的磁激发。图1d显示,当温度从80 K降到20 K后,由于自旋的方向发生偏转到了c方向,在低能激发中将难以沿c方向时自旋的长短发生改变,因此低能磁激发中c方向的自旋激发被抑制。实验还发现了重要的一点:超导相(图1c, T = 6 K)的自旋激发相对非超导相的自旋激发有轻微的改变,这说明材料超导与的磁性质相关联。进一步的分析(图2)发现,这种改变主要发生在L = 1的位置,这说明在四重对称性磁相中,尽管c方向的磁激发被抑制,但它们仍然是与超导关系最密切的磁激发。这项结果揭示了在多轨道序洪德金属中实现高温超导的一个“兼容性”要求:局域的磁矩必须能够为巡游电子提供后者在实现超导配对过程中所需的磁激发。由于在四重对称性磁相中,该要求恰好不被满足,所以超导温度被抑制。
北京大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 64 65 66
  • ...
  • 78 79 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1