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一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法
本发明公开了一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法，包括如下步骤:(1)确 定温控防裂目标;(2)计算允许最高温度;(3)拟定温控方案，计算混凝土内部最高温度，在计算最高 温度≤允许最高温度的前提下，设计温控防裂方案。本发明方法的计算公式简单，能合理反映围岩性能、 衬砌结构尺寸、混凝土强度、洞内空气温度、通水冷却及其水温、浇筑温度等的影响，可以迅速计算出 门洞形断面结构衬砌混凝土施工
武汉大学
2021-04-14
轨道交通供电系统故障诊断与可靠性评估方法及应用
本成果来自省部级科技计划项目和国家发明授权专利，知识产权归属西南交通大学。项目创新性和先进性：将模型诊断方法引入牵引供电系统故障诊断中，详细讨论了轨道交通供电系统各元件抽象化、系统建模、系统故障在线诊断等关键内容。同时给出了地铁牵引供电系统可靠性的指标体系，建立了可靠分析模型。采用层次分析法对其进行安全评估，为提高牵引供电质量和系统工作可靠性提供有力支撑。
西南交通大学
2016-06-27
输出电容低ESR开关变换器双缘PFM调制电压型控制方法及其装置
本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310022469.0），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种输出电容低ESR开关变换器双缘PFM调制电压型控制方法及其装置，检测流过输出电容的电流ic以及输出电压Vo，将两者相加得到信号Vos，电压控制信号Vc与Vos经过时间运算器生成可变时间，结合预设的恒定时间，再经过控制时序生成器产生由恒定时间和可变时间组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果具有输出电压低纹波且无低频振荡、稳定范围广、瞬态响应速度快、稳压精度高的优点。
西南交通大学
2016-06-27
一种用于脱汞的废弃物衍生吸附剂制备方法及产品
本发明公开了一种用于脱汞的废弃物衍生吸附剂制备方法及产品，属于城市生活废弃物资源利用技术领域。该方法具体为：将含卤素废弃物与生物质废弃物混合发生热解反应，含卤素废弃物中的卤素释放并固定于生物质废弃物上，生成用于脱汞的废弃物衍生吸附剂。应用本发明方法，一方面减少含卤素废弃物热解过程中的卤素释放，另一方面转化成汞吸附剂上有用的卤素，实现废弃物资源化和生成脱汞吸附剂的双重目的。
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方 法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。 本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板 上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接 触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳 有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性 能优异。
华中科技大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种短纤维增强热固性树脂复合产品的 3D 打印制造方法
本发明公开了一种短纤维增强热固性树脂复合产品的 3D 打印制 造方法，包括以下步骤：1)制备适用于选择性激光烧结 3D 打印技术的 复合粉末；2)采用选择性激光烧结技术成形具有孔隙的形坯；3)将形坯 放入液态热固性树脂前驱体中进行浸渗后处理：3.1)配制粘度在 100mPa·s 以下的液态热固性树脂前驱体；3.2)将形坯浸入液态热固性 树脂前驱体中，让形坯的上端露出液面，以使形坯孔隙中的气体排出； 4)从液态热固性树
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化的测量方法
本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，包括：(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度 T1，根据所述稳态温度 T1 计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度 M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值 A，根据所述磁化强度变化信号的幅值 A 计算得到
华中科技大学
2021-04-14