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农田循环生产配套关键机械技术集成与应用研究 ——苗期地膜回收技术和装备
成果简介： 本成果苗期地膜回收装备——1MSM-1000型玉米/棉花苗期地膜回收机，利用地膜在苗期比较完整、抗拉性较好的优势，能够完成我国超薄残膜(0.006～0.008mm)的回收，与作物收获后残膜回收相比，提高了地膜收净率，同时解决了收膜率与伤苗率之间的矛盾。该机具能够实现连续收膜作业，技术先进、作业效率高、价格低廉。创新点如下： 实现了在残膜收起的同时避免对幼苗的伤害；能很好地完成起膜、脱膜和抖土作业，在保证不伤苗、不伤膜的情况下
中国农业大学
2021-04-14
湖北省科技厅关于组织申报2023年度省级农业科技成果转化项目的通知
为深入贯彻乡村振兴战略和创新驱动发展战略，进一步落实《关于加快推进科技强省建设的意见》及《加快推进武汉具有全国影响力的科技创新中心建设暨湖北省科技创新大会》精神，充分发挥科技创新的引领示范带动作用，推动农业科技成果快速转化应用，省科技厅决定启动2023年度省级农业科技成果转化项目申报工作。
湖北省科学技术厅
2023-02-09
【新华网】聚焦高博会|“新农科·新农人·新担当”——现代化大农业建设产教对话论坛举行
在第63届中国高等教育博览会期间，以“新农科·新农人·新担当”为主题的现代化大农业建设产教对话论坛在长春举办
新华网
2025-05-24
一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法
本发明提供一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法，利用电离辐照/铁碳微电解流化床的集成技术实现重金属元素的钝化和养分氮磷的活化释放，利用碟管式反渗透/鸟粪石结晶/载水合氧化铁水热炭的集成技术实现养分氮磷的高效回收。铜锌铅铬钝化率大于90％，氮素回收率大于90％，磷素回收率大于95％。
中国农业大学
2021-04-11
一种钙钛矿太阳能电池与超级电容器集成件及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池与超级电容器集成件及制 备方法，其包括超级电容器和两块钙钛矿太阳能电池组，超级电容器 包括表面印刷有碳电极的导电基底，导电基底夹在两块太阳能电池组 中间，并由固态电解质层隔离;钙钛矿太阳能电池组包括多个串联的太阳能电池单元，太阳能电池单元包括导电基底、光阳极、钙钛矿层 和碳电极，其中，位于左端的太阳能电池单元的碳电极既作为钙钛矿 太阳能电池组的正极，又作为超级电容器的正极，位于右端的太阳能 电池单元的导电基底与超级电容器的导电基底相连，使光照产生的电 子传输于超级电容
华中科技大学
2021-04-14
华中农业大学植物科学技术学院植物生长室设备采购及安装项目竞争性磋商公告
华中农业大学植物科学技术学院植物生长室设备采购及安装项目竞争性磋商
华中农业大学
2022-06-02
四川农业大学动科院羊遗传育种团队在动物棕色脂肪产热研究取得新进展
该研究利用环状染色质构象捕获技术，绘制了棕色脂肪组织（BAT）和白色脂肪组织（WAT）中Ucp1的高分辨率染色质互作图谱，揭示了BAT和WAT之间Ucp1染色质互作的显著差异。
四川农业大学
2025-02-24
沈阳农业大学特种玉米研究所选育的玉米新品种‘沈农T120’实现成果转化
沈阳农业大学特种玉米研究所选育的玉米新品种‘沈农T120’实现成果转化
沈阳农业大学
2025-05-21
一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器
本发明公开了一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器，包括四分之一模基片集成波导弧形腔，四分之一模基片集成波导弧形腔通过基片集成波导圆形腔沿任意两条相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波导弧形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿四分之一模基片集成波导弧形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔。本发明相对于传统的基片集成波导圆形腔有效实现了小型化。并且，相对于传统的多层结构，本发明结构简单，加工方便。此外，相对于传统的微带结构，本发明的滤波器品质因数高，损耗小。
东南大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11