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一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12
一种三元复合材料地铁减振道床制作方法
本发明公开了一种三元复合材料地铁减振道床制作方法，利用建筑工程材料组成三元复合材料，所得三元复合材料是一种周期性结构材料，它具有带隙特性，利用这种带隙特性进行减振，三元复合材料道床可有效减小地铁列车振动对周边环境的影响，提高地铁运营的质量，改善和提高地铁沿线周边居民的生活质量。
东南大学
2021-04-11
一种减振隔振带宽调控的复合道床及其制作方法
本发明公开了一种减振隔振带宽调控的复合道床及其制作方法，包括：三层结构，其中，第一层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h1；第二层为轻质混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h2；第三层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h3；h1+h2+h3=30cm，在该总厚度范围内，通过增加第一层和第二层的厚度、减小第三层厚度，提高减振隔振的效果，制得的减振道床预制件减振效果在10?16dB。
东南大学
2021-04-11
一种润滑油（脂）用抗磨减摩复合添加剂
本发明公开了一种润滑油（脂）用抗磨减摩复合粉体及其制备方法，涉及一种可用于润滑油、润滑脂等领域的纳米稀土氧化物包覆超细白云母复合粉体，其特征在于以白云母粉体、稀土盐及其配体为原料，利用球磨过程中产生的剪切力、冲击力破碎固相反应体系，增加反应物的比表面积，提高反应速率，从而提高成核速率和长大速率的比值，制备出微细、均匀的前驱物，然后洗涤、干燥、控制热分解温度与时间，从而可获得不同粒径与包覆体系的纳米稀土氧化物包覆超细白云母复合粉体，将纳米稀土氧化物包覆的超细白云母复合粉体表面改性后以不同比例（0.5%-3%）加入基础油或润滑脂中，在四球磨损中可降低摩擦系数，减小摩擦副磨斑直径。
四川大学
2016-10-21
一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法， 电路包括编码电路和检索电路；编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中，通过擦除信号对已存信息进行 擦除，并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号；检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为；本发明可以根据施加的相关脉冲操作，模拟生物的情景记忆行为。 完成人：缪向水、许磊、李祎、段念
华中科技大学
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14